☆经营分析☆ ◇603290 斯达半导 更新日期：2025-10-28◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。
【2.主营构成分析】
【2025年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜模块 ｜ 189913.03｜ 57209.70｜ 30.12｜ 98.12｜
｜其他产品 ｜ 3648.01｜ 353.29｜ 9.68｜ 1.88｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国外 ｜ 193561.04｜ 57563.00｜ 29.74｜ 50.00｜
｜亚洲地区 ｜ 179458.11｜ 51516.65｜ 28.71｜ 46.36｜
｜其他地区 ｜ 14102.94｜ 6046.35｜ 42.87｜ 3.64｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率半导体器件 ｜ 338130.05｜ 106060.04｜ 31.37｜ 99.73｜
｜其他业务 ｜ 932.01｜ 930.29｜ 99.82｜ 0.27｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜IGBT模块 ｜ 311372.09｜ 98744.29｜ 31.71｜ 91.83｜
｜其他产品 ｜ 26757.96｜ 7315.75｜ 27.34｜ 7.89｜
｜其他业务 ｜ 932.01｜ 930.29｜ 99.82｜ 0.27｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国外 ｜ 338130.05｜ 106060.04｜ 31.37｜ 49.93｜
｜亚洲地区 ｜ 318100.19｜ 96998.97｜ 30.49｜ 46.97｜
｜其他地区 ｜ 20029.86｜ 9061.07｜ 45.24｜ 2.96｜
｜其他业务 ｜ 932.01｜ 930.29｜ 99.82｜ 0.14｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销 ｜ 298778.11｜ 93934.09｜ 31.44｜ 88.12｜
｜经销 ｜ 39351.95｜ 12125.95｜ 30.81｜ 11.61｜
｜其他业务 ｜ 932.01｜ 930.29｜ 99.82｜ 0.27｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜模块 ｜ 150056.45｜ 47695.82｜ 31.79｜ 97.88｜
｜其他产品 ｜ 3254.41｜ 621.73｜ 19.10｜ 2.12｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国外 ｜ 153310.87｜ 48317.55｜ 31.52｜ 50.00｜
｜亚洲地区 ｜ 144612.63｜ 44202.65｜ 30.57｜ 47.16｜
｜其他地区 ｜ 8698.24｜ 4114.90｜ 47.31｜ 2.84｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率半导体器件 ｜ 363843.49｜ 136557.58｜ 37.53｜ 99.33｜
｜其他业务 ｜ 2453.05｜ 831.90｜ 33.91｜ 0.67｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜IGBT模块 ｜ 333110.77｜ 125658.96｜ 37.72｜ 90.94｜
｜其他产品 ｜ 30732.72｜ 10898.62｜ 35.46｜ 8.39｜
｜其他业务 ｜ 2453.05｜ 831.90｜ 33.91｜ 0.67｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国外 ｜ 363843.49｜ 136557.58｜ 37.53｜ 49.83｜
｜亚洲地区 ｜ 340893.71｜ 126766.40｜ 37.19｜ 46.69｜
｜其他地区 ｜ 22949.78｜ 9791.18｜ 42.66｜ 3.14｜
｜其他业务 ｜ 2453.05｜ 831.90｜ 33.91｜ 0.34｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销 ｜ 312158.04｜ 116796.09｜ 37.42｜ 85.22｜
｜经销 ｜ 51685.45｜ 19761.49｜ 38.23｜ 14.11｜
｜其他业务 ｜ 2453.05｜ 831.90｜ 33.91｜ 0.67｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2025-06-30】
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主要业务及所属行业
1.主要业务
公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销
售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司，并在国内
和欧洲均设有研发中心。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订
），公司所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，行业代码为“C39”；
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T4754-2017）
，公司所属行业为半导体分立器件制造，行业代码为“C3972”。
2.主要产品及用途
公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案
，产品组合覆盖IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以
及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，广泛应用于新能源、新能源汽车、工
业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器
等领域。
作为电力电子第三次革命的核心代表，IGBT、SiC和GaN等功率半导体器件被誉为工
业控制与自动化领域的“心脏”，承担对电压、电流、频率、相位等关键参数的高
效调控。2024年，公司正式成立MCU事业部，专注于高端工规与车规级主控MCU的研
发。MCU作为电子设备的“大脑”，负责信号处理、逻辑判断与系统控制，实现对
功率半导体等执行单元的精准调度。而栅极驱动IC则扮演“神经枢纽”的关键角色
，负责将MCU发出的控制信号进行放大与调理，以高效、可靠地驱动IGBT、SiC、Ga
N等功率器件，确保“大脑”指令的准确执行与系统的快速响应。
MCU、功率半导体与栅极驱动IC三者的协同，构建起智能化系统中至关重要的“脑-
心-神经”协同架构。这一完整产品链弥补了当前国内产业链的关键短板，进一步
增强了公司为客户提供系统级解决方案的能力，有助于为下游行业提供更高性能、
更优成本、更快响应的一体化解决方案，尤其在新能源、新能源汽车、机器人、低
空/高空经济、AI服务器电源、数据中心等高速增长领域，形成显著的技术协同与
竞争优势，为公司持续引领行业创新注入新动能。
（二）经营模式
公司坚持以市场为导向，以技术为支撑，通过不断的研发创新，开发出满足客户需
求的具有市场竞争力的功率半导体器件，为客户提供优质的产品和技术服务。
公司产品生产环节主要分为芯片和模块设计、芯片制造、模块生产三个阶段。
阶段一：芯片和模块设计。公司产品设计包含IGBT、快恢复二极管、SiC MOSFET等
芯片的设计功率模块的设计。本阶段公司根据客户对芯片关键参数的需求，设计出
符合客户性能要求的芯片；根据客户对电路拓扑及模块结构的要求，结合功率模块
的电性能以及可靠性标准，设计出满足各行业性能要求的功率模块。
阶段二：芯片制造。目前，公司芯片主要依靠上海华虹、上海积塔等公司代工完成
。公司会根据阶段一完成的芯片设计方案委托第三方晶圆代工厂商外协制造自主研
发的芯片，公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程，不承担芯片
制造环节。此外，公司募投项目SiC芯片研发及产业化项目以及高压特色工艺功率
芯片研发及产业化项目，目前已经完成项目建设，形成了年产6万片6英寸车规级Si
C MOSFET芯片以及30万片6英寸3300V以上高压特色功率芯片的生产能力。
阶段三：模块生产。模块生产是应用模块原理，将单个或多个如IGBT芯片、快恢复
二极管、SiC MOSFET、GaN HEMT等功率芯片用先进的封装技术封装在一个绝缘外壳
内的过程。由于模块外形尺寸和安装尺寸的标准化及芯片间的连接已在模块内部完
成，因此和同容量的器件相比，具有体积孝重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线
简单、互换性好等优点。本阶段公司根据不同产品需要通过芯片贴片、回流焊接、
铝线键合、测试等生产环节，最终生产出符合公司标准的功率模块。公司主要产品
IGBT模块集成度高，内部拓扑结构复杂，又需要在高电压、大电流、高温、高湿等
恶劣环境中运行，对公司设计能力和生产工艺控制水平要求高。
公司销售主要采取直销的方式进行销售，根据下游客户的分布情况，除嘉兴总部外
在全国建立了多个销售联络处，并于瑞士设立了控股子公司斯达欧洲，负责国际市
场业务开拓和发展。
（三）行业状况
功率半导体主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能处理的核心器件
，弱电控制与强电运行间的桥梁，细分产品主要有MOSFET、IGBT、BJT等。随着世
界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C（
通信、计算机、消费电子、汽车）领域迈向新能源、新能源汽车、轨道交通、智能
电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备广泛的应用于日常的
消费，促进了清洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。根据Omid
a的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场
规模将达到596亿美元。中国是最大的功率半导体市场之一，根据中研普华产业研
究院《2025-2030年中国功率半导体器件行业发展潜力建议及深度调查预测报告》
数据显示，2024年中国功率半导体市场规模达1,752.55亿元，同比增长15.3%，近
五年复合增长率(CAGR)达12%，显著高于全球6.9%的平均水平。
IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一，根据WSTS数据显示，2023年全球IGBT
市场规模达到90亿美元，预计2026年将达到121亿美元；中国是全球IGBT最大的消
费市场，2023年中国IGBT市场规模达32亿美元，预计到2026年中国IGBT市场规模将
达到42亿美元。
近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁
带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。其中碳化硅功率
器件受下游新能源汽车等行业需求拉动，市场规模增长快速。根据IHS数据，受新
能源汽车行业庞大的需求驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求
提升的影响，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元，2018-20
27年的复合增速接近40%。
二、经营情况的讨论与分析
(一)经营情况概述
2025年上半年，全球经济依然保持低速增长，中国经济在很多行业展现出较强的韧
性和活力，其中新能源汽车行业需求保持快速增长，新能源发电行业持续回暖，但
工业控制等部分行业仍面临需求疲软、盈利承压以及投资动能不足等挑战。面对复
杂多变的外部环境，公司管理层与全体员工积极应对国内外经营环境的新挑战与新
机遇，较好的完成了上半年的经营目标，主要体现在以下几方面：
（1）继续巩固公司技术和品牌优势，围绕新能源汽车、新能源发电（风光储）、
工业控制和电源等重点行业，市场份额稳步提升；
（2）积极拓展家电行业，进军白色家电用IPM市场，开辟新的业务增长空间；
（3）在AI服务器电源、数据中心、机器人、低空/高空飞行器等新兴行业的持续开
拓，进展顺利；
（4）坚持以“高端化 定制化”产品策略应对行业价格竞争，为公司未来持续快速
增长注入新动能。
2025年上半年，公司实现营业收入193,561.04万元，较2024年同期上升26.25%，实
现归属于上市公司股东的净利润27,544.96万元，较去年同期上升0.26%,扣除非经
常性损益的净利润26,065.53万元，较去年同期下降2.72%。
公司主营业务收入按细分行业来看新能源行业营业收入为121,322.75万元，较去年
同期上升52.82%；工业控制和电源行业的营业收入为50,616.26万元，较去年同期
下降16.52%；变频白色家电及其他行业的营业收入为21,500.74万元，较去年同期
增长63.31%。
(二)经营情况讨论与分析
1.新能源行业
2025年上半年，公司新能源行业恢复快速增长趋势，报告期内公司新能源行业营业
收入121,322.75万元，较去年同期上升52.82%。其中，公司新能源汽车行业继续保
持快速增长，营业收入较去年同期增长25.80%；新能源发电行业在经历了光伏行业
2024年去库存因素影响后，2025年需求开始回暖，营业收入较2024年同期增长200%
以上。
1)在新能源汽车行业
2025年上半年，公司搭载自主第七代微沟槽Trench Field Stop技术的750V/1200V
车规级IGBT模块持续放量，产品质量得到客户的高度认可。同时，基于第七代微沟
槽Trench Field Stop技术的Plus版本芯片开始批量装车，已经在多个主流800V双
电控平台实现批量交付，进一步提高公司主电机控制用车规级IGBT模块的市场竞争
力。
2025年上半年，公司车规级IGBT模块在欧洲一线品牌Tier1持续大批量交付，公司
产品通过国内外Tier1配套欧洲、印度、北美等国家和地区的本地OEM厂商，海外市
场份额迅速增长；同时，公司持续开展和欧洲一线品牌Tier1下一代平台的项目合
作，持续新增多个IGBT和SiCMOSFET主电机控制器项目平台定点，将对公司新能源
汽车行业2026-2030年销售增长提供持续推动力。
2025年上半年，公司车规级SiC MOSFET模块新增多个量产车型，在国内外多个品牌
大批量配套上车。同时，公司自建6英寸SiC芯片产线随着量产车型迅速爬坡，芯片
和模块良率均达到国际领先水平。
2025年上半年，公司商用车业务进展顺利，公司车规级IGBT和SiC MOSFET模块新增
多个量产车型，同时新增多个国内外Tier1方案项目定点。
2025年上半年，公司自主研发的车规级第二代SiC MOSFET芯片开始批量出货，平台
电压覆盖750V、1200V、1400V、1500V等多个电压等级，将对应配套400V、800V、1
000V等电压平台主电驱项目。
2025年上半年，公司车规级GaN驱动模块获得了主电机控制器平台定点，预计2026
年进入装车应用阶段。
2025年上半年，公司应用于主电机控制器的车规级MCU产品进展顺利，预计2026年
底开始小批量供货。
2)在新能源发电及储能行业
2025年上半年，公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的面向地面电站组
串式光伏320KW逆变器模块在多家头部客户持续稳定大批量交付；公司基于第七代
微沟槽Trench Field Stop技术的面向工商业光伏150KW逆变器模块在多家头部光伏
逆变器客户稳定大批量交付。
2025年上半年，公司推出适用于光储行业的第八代微沟槽Trench Field Stop1400V
IGBT芯片平台和适用于光储行业的1400V第二代SiC MOSFET芯片平台，大幅提高芯
片出流能力。
2025年上半年，公司基于第八代微沟槽Trench Field Stop1400V IGBT芯片平台和
第二代1400V SiC MOSFET芯片平台，发布了全球首个光伏地面电站组串式2000V系
统500KW逆变器功率模块解决方案，该方案是目前全球组串式光伏逆变器最大功率
产品，引领行业技术方向。
2025年上半年，公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的IGBT分立器件在
户用式光储与工商业光储市场持续大批量装机，与公司组串式模块方案系列、集中
式模块方案系列一起为客户提供一站式全套解决方案，继续巩固公司在光储行业的
领先优势。
2025年上半年，公司应用于光伏逆变器、储能等下游行业的多个封装系列的新一代
750V、1200V SiC MOSFET分立器件（单管）产品开始批量交付。
2025年上半年，公司应用于组串式储能系统的三电平混合SiC模块方案开始在行业
头部客户大批量交付。
2.工业控制和电源行业
2025年上半年，受宏观经济影响，中国工业自动化市场需求持续性不足，市场竞争
激烈。公司积极应对，报告期公司工业控制和电源行业的营业收入为50,616.26万
元，较去年同期下降16.52%。
2025年上半年，应用于主控制电路的工业级MCU芯片已经流片成功，主要功能测试
通过，预计下半年开始给客户测试送样，2026年开始批量销售。
2025年上半年，公司在工业控制和电源行业持续开展新产品和新技术的推进，公司
基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的IGBT模块在国内外多家工控客户测试
通过并开始批量使用。
3.变频白色家电及其他行业
2025年上半年，公司变频白色家电及其他行业继续保持快速增长，报告期内公司变
频白色家电及其他行业的营业收入为21,500.74万元，较去年同期增长63.31%。
2025年上半年，公司完成了美垦半导体股权交割，交割完成后公司控制美垦半导体
80%股权，美的集团保留20%股权。通过此次战略控股，将有助于公司加速对变频白
色家电市场的拓展，为公司后续业绩快速增长提供有力保障。
4.新兴行业
公司持续在AI服务器电源、数据中心、机器人、低空/高空飞行器等新兴行业进行
产品开发，利用自身技术和品牌优势，不断开发出符合市场需求、具有竞争力的高
附加值新产品，在部分领域已经取得突破性进展。
2025年上半年，公司车规级IGBT和SiC MOSFET模块获得多个低空飞行器项目定点，
并且多个项目开始批量装机；公司车规级SiC MOSFET模块获得载人电动商用飞行器
定点，公司产品首次进入商业航空领域，预计2026开始批量销售。
目前，公司产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备，同时开
展对下一代AI服务器电源、数据中心所需IGBT、SiC MOSFET、GaN等产品系列的开
发，预计2026年开始推向市常
公司将继续坚持以市场为导向，以创新为驱动，以成为全球领先的为高能效、绿色
化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案提供商为目标，为客户创造更大
价值，致力于成为世界顶尖的半导体制造企业。
三、报告期内核心竞争力分析
公司客户目前主要分布于新能源、新能源汽车、工业控制及电源、变频白色家电等
行业，主要竞争对手均为国际品牌厂商。公司在与国际主要品牌厂商的竞争过程中
，形成以下独特的竞争优势：
(一)技术优势
公司自成立以来一直以技术发展和产品质量为公司之根本，并以开发新产品、新技
术为公司的主要工作，持续大幅度地增加研发投入，培养、组建了一支高素质的国
际型研发队伍，涵盖了IGBT芯片、快恢复二极管芯片、SiC芯片和IGBT和SiC模块的
设计、工艺开发、产品测试、产品应用等，在半导体技术、电力电子、控制、材料
、力学、热学、结构等多学科具备了深厚的技术积累。目前，公司已经实现自主IG
BT芯片、快恢复二极管芯片、SiC MOSFET芯片的量产，以及IGBT和SiC模块的大规
模生产和销售。
(二)快速满足客户个性化需求的优势
客户的个性化需求主要是对芯片特性及模块的电路结构、拓扑结构、外形和接口控
制的个性化要求等。
公司拥有IGBT、SiC MOSFET等芯片及模块的设计和应用专家，并成立了专门的应用
部，能够快速、准确地理解客户的个性化需求，并将这种需求转化成产品要求；同
时，公司建立了将客户需求快速有效地转化成产品的新产品开发机制，目前公司已
形成上百种个性化产品，这些个性化产品成为公司保持与现有客户长期稳定合作的
重要基础；另外，与国际品牌厂商相比，公司采用了直销模式，直接与客户对接，
从而进一步提升了服务客户的效率。
因此，与国外竞争对手相比，公司与下游客户的沟通更加便捷和顺畅，在对响应客
户需求的速度、供货速度、产品适应性及持续服务能力等各方面都表现出优势。
(三)细分行业的领先优势
公司自成立以来一直专注于以IGBT和SiC为主的功率芯片和模块的设计研发、生产
和销售，针对细分行业客户对产品性能、拓扑结构等的不同要求，公司开发了不同
系列的IGBT/SiC产品，在新能源汽车、新能源发电、工业控制等细分市场领域形成
了较大的竞争优势。
在新能源汽车领域，公司是国内车规级IGBT/SiC模块的主要供应商，公司积极开拓
海外市场并获得了多家国外头部Tier1的项目定点；在新能源发电领域，公司已是
国内多家主流光伏逆变器客户、风电逆变器客户的主要供应商，并且与头部企业建
立了深入的战略合作关系，公司根据客户需求不断推出符合市场需求的具有市场竞
争力的产品；在工业控制领域，公司目前已经成为国内多家头部变频器企业IGBT模
块的主要供应商，同时公司已经是工控行业多家国际企业的正式供应商。
(四)先发优势
IGBT/SiC模块不仅应用广泛，且是下游产品中的核心器件，一旦出现问题会导致产
品无法使用，给下游企业带来较大损失，替代成本较高，因此一般下游企业都会经
过较长的认证期后才会大批量采购，新的品牌进入市场需要面临长期较大的资金投
入和市场开发的困难，公司的先发优势明显。随着公司生产规模的扩大，自主芯片
的批量导入和迭代，在供货稳定性及产品先进性上的优势会进一步巩固，从而提高
潜在竞争对手进入本行业的壁垒。
(五)人才优势
人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公
司创始人为半导体行业技术专家，具备丰富的知识、技术储备及行业经验；公司拥
有多名具有国内外一流研发水平的技术人员，多人具备在国际著名功率半导体公司
承担研发工作的经历；公司的核心技术团队稳定，大多数人在本公司拥有十年以上
的工作经验。2023年，公司在瑞士苏黎世成立新的研发中心，苏黎世研发中心是公
司2014年成立德国纽伦堡研发中心后在欧洲设立的第二个海外研发中心，公司将不
断补充高素质的专业技术团队，进一步加大对下一代IGBT、SiC、MCU、GaN以及先
进封装技术的研发力度。专业的人才团队为公司的持续稳定发展奠定了良好基础，
公司人才方面的优势为公司的持续发展提供了动力。
(六)合理的业务模式优势
公司选择了以直销为主、经销为辅的销售模式，可迅速了解客户需求，同时通过经
销迅速拓展市场份额，提高市场声誉。此外，公司可以根据客户性质，灵活的选择
直销和经销的维护方式，更好地服务客户。
公司芯片生产采劝Fabless IDM双轮驱动“的混合业务模式，通过与华虹半导体等
全球头部代工厂深度合作，聚焦芯片设计能力与客户需求匹配效率，快速满足客户
需求同时减小了投资风险，避免了IDM公司资产过重的特点。同时，通过自建6英寸
SiC MOSFET芯片和3300V以上高压IGBT芯片生产线，掌握关键工艺节点自主权，缩
短产品开发周期，为新能源汽车、智能电网等场景提供定制化解决方案。
(七)较强的市场开拓能力
公司坚定以“研发推动市场，市场反馈研发”的发展思路，形成研发与销售之间的
闭环。该种良性循环使公司实现了一定技术积累的同时，具备了较强的市场开拓能
力，实现了销售的快速增长。
四、可能面对的风险
1.宏观经济波动的风险
IGBT归属于半导体行业。半导体行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动性
与宏观经济形势具有一定的关联性。公司产品主要应用于新能源汽车、新能源、工
业控制及电源、变频白色家电等行业，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上
述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，从而对公司的销售和利润带来负面
影响。
2.新能源汽车市场波动风险
根据中国汽车工业协会统计，2025年上半年新能源汽车产销量分别为696.8万辆和6
93.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量
的44.3%，出口市场表现尤为亮眼，新能源车出口量达106万辆，同比激增75.2%。
全球新能源汽车销量达到946.9万辆，同比增长31.8%。新能源汽车继续保持稳定快
速的增长势头，目前，新能源汽车占比已经接近50%，可能存在后续渗透率减慢的
风险。公司在此领域投入了大量研发经费，未来仍将继续加大该领域投入，虽然公
司新能源汽车模块销售数量持续保持高速增长，但未来如果产业政策变化、汽车供
应链器件配套、相关设施建设和推广速度以及客户认可度等因素影响，导致新能源
汽车市场需求出现较大波动，将会对公司的盈利能力造成不利影响。
3.汇率波动的风险
公司在海外的采购与销售业务，通常以欧元、瑞士法郎、美元等外币定价并结算，
外汇市场汇率的波动会影响公司所持货币资金的价值，从而影响公司的资产价值。
近年来国家根据国内外经济金融形势和国际收支状况，不断推进人民币汇率形成机
制改革，增强了人民币汇率的弹性，但如果未来汇率出现大幅波动或者我国汇率政
策发生重大变化，有可能会对公司的经营业绩产生一定的不利影响。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2025-06-30
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｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
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｜重庆安达半导体有限公司 ｜ 15000.00｜ -｜ -｜
｜美垦半导体技术有限公司 ｜ 20000.00｜ -｜ -｜
｜浙江谷蓝电子科技有限公司 ｜ 1250.00｜ -｜ -｜
｜斯达半导体(香港)有限公司孙｜ 250.00｜ -｜ -｜
｜公司A ｜ ｜ ｜ ｜
｜斯达半导体(香港)有限公司子｜ 0.30｜ -｜ -｜
｜公司A ｜ ｜ ｜ ｜
｜斯达半导体(香港)有限公司 ｜ 10.00｜ -｜ -｜
｜斯达半导体(重庆)有限公司 ｜ 5000.00｜ -｜ -｜
｜斯达半导体欧洲股份公司 ｜ 60.00｜ -｜ -｜
｜斯达半导体(上海)有限公司 ｜ 5000.00｜ -｜ -｜
｜嘉兴斯达集成电路有限公司 ｜ 5000.00｜ -｜ -｜
｜嘉兴斯达电子科技有限公司 ｜ 1000.00｜ -｜ -｜
｜嘉兴斯达微电子有限公司 ｜ 210933.16｜ -6747.95｜ 504106.29｜
｜上海道之科技有限公司 ｜ 21030.00｜ 24586.42｜ 193665.55｜
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