☆经营分析☆ ◇688711 宏微科技 更新日期：2025-10-27◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销
售。
【2.主营构成分析】
【2025年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜模块(封装) ｜ 50224.06｜ 7107.13｜ 14.15｜ 73.83｜
｜单管(封装) ｜ 15425.03｜ 2730.38｜ 17.70｜ 22.67｜
｜芯片 ｜ 1169.96｜ 496.69｜ 42.45｜ 1.72｜
｜受托加工业务 ｜ 1105.42｜ 363.85｜ 32.91｜ 1.62｜
｜其他 ｜ 102.96｜ 45.66｜ 44.35｜ 0.15｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国内销售 ｜ 66518.17｜ 10286.57｜ 15.46｜ 97.78｜
｜出口销售 ｜ 1509.26｜ 457.14｜ 30.29｜ 2.22｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜线下销售 ｜ 68027.43｜ 10743.71｜ 15.79｜ 100.00｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率半导体器件 ｜ 132681.71｜ 20423.08｜ 15.39｜ 99.66｜
｜其他业务 ｜ 454.32｜ 67.79｜ 14.92｜ 0.34｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜模块(封装) ｜ 103378.35｜ 14496.08｜ 14.02｜ 77.65｜
｜单管(封装) ｜ 24597.97｜ 4364.44｜ 17.74｜ 18.48｜
｜芯片 ｜ 2567.43｜ 873.64｜ 34.03｜ 1.93｜
｜受托加工业务 ｜ 2137.96｜ 688.91｜ 32.22｜ 1.61｜
｜其他业务 ｜ 454.32｜ 67.79｜ 14.92｜ 0.34｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜内销 ｜ 129992.71｜ 19628.71｜ 15.10｜ 97.64｜
｜外销 ｜ 2689.00｜ 794.37｜ 29.54｜ 2.02｜
｜其他业务 ｜ 454.32｜ 67.79｜ 14.92｜ 0.34｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销 ｜ 122010.43｜ 19707.07｜ 16.15｜ 91.64｜
｜经销 ｜ 10671.29｜ 716.01｜ 6.71｜ 8.02｜
｜其他业务 ｜ 454.32｜ 67.79｜ 14.92｜ 0.34｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜模块 ｜ 46368.13｜ 6227.60｜ 13.43｜ 72.83｜
｜单管 ｜ 14176.10｜ 2634.64｜ 18.59｜ 22.27｜
｜芯片 ｜ 1409.83｜ 279.20｜ 19.80｜ 2.21｜
｜受托加工业务 ｜ 1113.19｜ 466.17｜ 41.88｜ 1.75｜
｜其他 ｜ 594.76｜ 398.45｜ 66.99｜ 0.93｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国内销售 ｜ 62897.41｜ 9727.39｜ 15.47｜ 98.80｜
｜出口销售 ｜ 764.61｜ 278.67｜ 36.45｜ 1.20｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜线下销售 ｜ 63662.02｜ 10006.06｜ 15.72｜ 100.00｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜功率半导体器件 ｜ 148664.42｜ 32510.45｜ 21.87｜ 98.80｜
｜其他业务 ｜ 1809.53｜ 866.39｜ 47.88｜ 1.20｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜模块 ｜ 96442.82｜ 18964.70｜ 19.66｜ 64.09｜
｜单管 ｜ 45452.90｜ 11300.95｜ 24.86｜ 30.21｜
｜芯片 ｜ 5040.13｜ 1663.16｜ 33.00｜ 3.35｜
｜其他业务 ｜ 1809.53｜ 866.39｜ 47.88｜ 1.20｜
｜受托加工业务 ｜ 1728.57｜ 581.64｜ 33.65｜ 1.15｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜内销 ｜ 147062.15｜ 32235.19｜ 21.92｜ 97.73｜
｜其他业务 ｜ 1809.53｜ 866.39｜ 47.88｜ 1.20｜
｜外销 ｜ 1602.27｜ 275.26｜ 17.18｜ 1.06｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销 ｜ 133818.03｜ 29763.45｜ 22.24｜ 88.93｜
｜经销 ｜ 14846.39｜ 2747.00｜ 18.50｜ 9.87｜
｜其他业务 ｜ 1809.53｜ 866.39｜ 47.88｜ 1.20｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2025-06-30】
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）主要业务、主要产品或服务情况
公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD为
核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导
体材料与工艺创新，公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片
技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的第七代功率芯片已实现
关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电
桩和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能
、工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等）、家电消费等领域，产
品性能与工艺技术处于行业先进水平。
（二）主要经营模式
1、研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系，制定了《项目立项管理办法》《产品质
量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主
要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段
，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶段均由专门
的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开
发都需要经过计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取
关键特性参数，预先发现潜在问题并加以设计优化。
2、采购模式
（1）采购流程
公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶
及外壳和端子等，其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造
加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂商直接采购；其他材料主要通过选取
至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式，对于生产中常用
的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由
采购部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填
写《请购单》提出请购需求，通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后
由采购部负责统一采购。
（2）供应商管理
公司制定并完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，
明确请购与审批、招标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估
等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权控制均进行严格的规定，同时，建立
采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查与评估。公
司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二
次审核的两级采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。
3、生产模式
公司具备完善的生产运营体系，主要采劝以销定产”的生产模式，由运营办公室综
合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分
为自产模式和委托加工两种模式：
（1）自产模式
公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试
，最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要
依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用的不同系列的产品，并向客户销售；
定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足客户的特殊
需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要
求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试，公司依据研发过程中投入的原材料
、人工成本、测试费等向客户收取技术服务费；量产后，公司按照设计方案、技术
指标要求，组织生产并批量向客户交付产品。
（2）委托加工模式
公司采取Fabless模式（无晶圆厂模式），对于芯片及单管产品生产采用委托加工
模式。公司专注于芯片的研发和设计，将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业
制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片
需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单
管产品的封装与测试环节委托给具备先进封装工艺的公司进行代工。
4、营销模式
公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、
派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交
流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售
活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和
市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率
。
（三）所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）发展阶段
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T4754-2017）
，公司所处行业为半导体分立器件制造。
功率半导体作为能源转换与电路控制的核心器件，深度融入全球“碳中和”战略与
智能化浪潮。其下游应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数
据中心及人形机器人等新兴领域，技术革新与场景需求共同推动行业高速发展。以
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带材料逐步替代传统硅基器件，通过
工艺创新（如8英寸晶圆制造、超微沟槽结构）显著提升效率与功率密度，驱动行
业向高频化、低损耗方向升级。新能源汽车高压平台普及加速SiC应用，储能市场
中功率器件助力构建新型电力系统，AI算力需求推动高效电源技术突破。国产化进
程持续深化，在关键材料与核心工艺上实现突破，为新能源、高端装备等战略产业
提供核心支撑。
未来，行业将围绕新材料普及、封装技术迭代及智能化应用持续演进，在“双碳”
战略与技术创新驱动下，功率半导体分立器件市场空间广阔。
（2）基本特点
半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发还是产线建设都需
要大量的高端人才和资金投入。公司目前正面临新能源汽车、新能源发电、5G通讯
、数据中心和人形机器人等下游新兴产业带来的市场机遇，在未来发展和争取市场
机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金，以推动产品研发、工艺升级、产
能扩张和市场推广。
（3）主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT工业化应用以来，全球市场长期由英飞凌、三菱电机、富士电
机等国际巨头主导，其产品覆盖600V至6500V全电压区间，通过沟槽栅场阻断结构
、微细槽栅结构等技术迭代持续提升性能。制造工艺方面，深沟槽刻蚀、精准掺杂
、超薄片加工等技术形成高壁垒，成为制约产业自主化的关键。尽管国内企业近年
在芯片设计、封装技术及600V-1200V产品系列化方面取得突破，但在高压领域（如
3300V以上）仍依赖进口，整体技术水平与国际先进存在代差。
以SiC、GaN为代表的第三代半导体正重塑行业格局。SiC凭借耐高压、耐高温特性
，在新能源汽车800V平台、储能变流器及数据中心电源中加速渗透，Wolfspeed、
意法半导体等企业已实现1200V-3300V SiC MOSFET量产，国内厂商通过衬底制备、
晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及
高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，英
飞凌等企业通过300mm晶圆工艺优化，推动GaN成本趋近硅基器件。然而，第三代半
导体仍面临技术挑战：SiC需解决栅氧可靠性与动态退化问题，GaN则需突破高温稳
定性与大尺寸外延工艺。未来，行业将形成Si、SiC、GaN材料协同发展的多元化格
局，国产厂商通过垂直整合与产业链协同，加速在车规级、工业级市场的国产替代
进程。
2、市场规模分析
功率半导体器件在电力电子行业应用广泛，涵盖消费电子、汽车电子、工业电子等
传统领域，同时在新能源发电、数据中心、新能源汽车、充电桩、机器人及低空飞
行器等新兴领域亦得到广泛应用。
根据Yole数据，2024年全球功率半导体市场规模约为262亿美元，预计到2030年将
增长至433亿美元，年复合增长率为8.7%。从细分领域来看，当前IGBT模块在功率
半导体市场中占比最高，全球市场规模约为70.8亿美元；随着SiC模块在新能源汽
车、光伏储能等行业的应用不断拓展，预计到2030年SiC模块全球市场规模将达到6
6亿美元。受益于国内新能源汽车、风光储及数据中心等行业的快速发展，功率半
导体器件市场有望迎来广阔的发展空间。
（1）新能源汽车及充电桩
2025年上半年，中国新能源汽车市场展现出强劲的发展态势。根据中国汽车工业协
会数据，截至2025年6月底，国内新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆
，同比增长41.4%和40.3%，在汽车新车总销量中的占比达到44.3%。其中，国内新
能源汽车销量为587.8万辆，同比增长35.5%。具体来看，乘用车销量达552.4万辆
，同比增长34.3%；商用车销量达35.4万辆，同比增长55.9%。新能源乘用汽车出口
在上半年再创新高，出口量突破100万辆，同比增长71.3%。随着“以旧换新，置换
补贴”等国家补贴政策的延续，国内新能源乘用车有望保持较高的增长速度，预计
2025年下半年，新能源汽车市场将继续维持稳中向好的发展趋势。
充电桩作为新能源汽车的重要补能设备，伴随新能源汽车的蓬勃发展迎来新的发展
契机。中国充电联盟数据显示，截至2025年6月底，我国充电基础设施总数达到1,6
10万个，同比增长55.6%，其中公共充电设施达到409.6万个，同比增长达到36.7%
。2025年1-6月，国内充电桩基础设施整体增量为328.2万个，车桩增量比为1:1.8
。2025年7月7日，国家发展和改革委员会发布《关于促进大功率充电设施科学规划
建设的通知》，提出到2027年底，全国范围内单枪充电功率达到250kW以上的大功
率充电设施超过10万台。
随着新能源汽车与充电桩的快速发展，IGBT、SiC等功率器件市场需求有望进一步
增长。
（2）风光储
受“531政策”等因素影响，2025年1-6月国内光伏装机量呈现大幅增长态势。根据
国家能源局数据，2025年上半年国内光伏装机量达212GW，较2024年同期增长107%
，增速迅猛。2025年上半年风电装机量为51.39GW，相比2024年同期增加25.53GW，
同比增长98.7%。截至2025年6月底，国内光伏新增装机量已接近2023年全年装机总
量。以光伏、风电为代表的可再生能源发电装机容量累计占比达到45.8%，已超过
传统火电装机容量占比，反映出能源结构正向可再生能源加速转型。
储能领域同样发展迅速，2025年上半年国内储能新增装机达到21.9GW/55.2GWh，功
率规模同比增长69.4%。其中，电网侧储能新增装机14.2GW/32.9GWh，功率规模占
比64.9%，占据主导地位；电源侧储能新增装机5.8GW/17.8GWh，功率规模占比26.7
%；用户侧储能新增装机1.8GW/4.5GWh，规模同比翻番，展现出强劲的增长势头。
从应用场景看，电网侧占比超六成，用户侧同比翻倍，各场景需求均呈现积极扩张
态势。
随着全球对可再生清洁能源需求的持续攀升，光伏、储能等装机规模有望进一步提
升。根据Yole相关数据，伴随可再生能源产业的发展，应用于光伏领域的IGBT模块
全球市场规模预计在2030年将达到13.75亿美元，并在未来保持7.1%的复合增长率
。在风光储领域，IGBT模块市场规模占整个IGBT模块市场的比例将达到16%，凸显
出该细分领域在IGBT市场中的重要地位及增长潜力。
（3）工业控制
功率半导体器件在变频器、伺服系统等工业控制领域中发挥着至关重要的作用，作
为电能转换与控制的核心部件，其性能直接关系到工业系统的运行效率、稳定性及
可靠性。2024年，国内低压变频器市场规模约为284亿元，较2023年同比下降3.2%
；随着宏观经济逐步复苏、制造业持续回暖，预计2025年该市场将实现3%左右的增
长，规模有望接近300亿元。受益于变频器、伺服系统等下游应用市场的回暖趋势
，应用于上述领域的功率半导体器件市场有望保持稳定增长态势。
3、公司所处的行业地位分析及其变化情况
在全球功率半导体行业格局中，欧美日企业（如英飞凌、意法半导体、安森美等）
凭借技术积累占据主导地位，而中国作为全球最大消费市场，正加速国产替代进程
。公司作为国内功率半导体领域的领军企业，通过技术创新与产业链协同，已形成
覆盖芯片设计、单管及模块的全产品线布局，在中高端市场实现突破，并在国家重
点任务及产业化落地环节加强与上下游伙伴的联动，共同推动功率半导体产品的国
产化与前沿应用拓展。
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售。公司曾荣获“新型电
力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”等荣誉称号。公
司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品
技术参数和性能的多样性需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021
年，公司荣获“江苏省小巨人企业”；2022年，公司荣获“国家级专精特新小巨人
企业”；2023年，公司荣获“国家绿色供应链企业”；2024年，公司获批设立“博
士后科研工作站”，荣获“江苏省智能车间”称号。2025上半年，公司荣获“江苏
省先进级智能工厂”称号。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务，与众多知名企
业客户保持了良好的商业合作关系。同时，依托龙头客户产生的市场效应，公司不
断向行业内其他企业拓展，凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方
面的卓越成就，进一步巩固了其在行业内的领先地位。
报告期内，公司与华虹宏力签署五年期《战略合作谅解备忘录》，双方聚焦IGBT、
FRD等核心产品领域深化协作，通过联合组建研发项目组，集中力量推进技术创新
与平台优化，这一深度合作将直接推动公司IGBT、SiC MOSFET等产品性能对标国际
先进水平，为国产功率半导体器件突破国际技术壁垒提供核心动能。该战略举措显
著强化了公司以设计与模块封装为核心的“轻资产+”模式竞争力，既规避了IDM模
式（垂直整合制造模式）的资本重负，又通过绑定顶尖代工厂的专项工艺支持获得
类似垂直整合的协同效应。这一制造端战略支点的确立，不仅夯实了公司作为国内
功率半导体设计及模块解决方案龙头的主导地位，更通过技术、产能、成本的多维
跃升，为其跻身国际一线功率半导体供应商梯队提供了可落地的跳板，标志着中国
功率半导体产业从单点突破迈向全链条高端化的关键跨越。
二、经营情况的讨论与分析
（一）分化中寻机破局，战略发力筑根基
2025年上半年，功率半导体市场在波动中呈现结构性增长态势，虽有复苏迹象，但
在不同应用领域呈现显著分化。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2025
年1-6月全球半导体市场规模达3,460亿美元，同比增长18.9%。从供需结构来看，
供给侧产能扩张节奏加快，尤其在第三代半导体领域，众多企业纷纷布局SiC、GaN
产线，但部分中低端产品领域已出现阶段性产能过剩，市场竞争加剧引发价格战，
对企业盈利空间形成挤压；需求侧呈现“冷热不均”格局，传统消费电子领域需求
疲软，而新能源汽车、光伏、储能等新兴领域需求增长，成为拉动行业增长的主要
动力，但受政策导向、宏观经济及市场竞争加剧等多重因素影响，增长仍存在不确
定性。
在此背景下，公司实现营业收入68,027.43万元，同比增长6.86%；实现归属于上市
公司股东净利润297.80万元，同比增长18.45%。
2025年下半年，管理团队将在董事会的战略引领下，锚定长期发展目标持续发力。
公司将加大前瞻性技术研发投入力度，不断丰富高端产品矩阵，筑牢技术护城河；
聚焦核心市场定位，深耕高附加值业务领域，拓宽增长空间；深化全流程精细化管
理，强化费用管控与成本优化能力，提升运营效率。多措并举，全面夯实公司核心
竞争力，为推动企业持续健康高质量发展注入强劲动力。
（二）核心技术不断突破，主要产品持续放量
1、芯片产品
（1）光伏应用的IGBT&FRD芯片：1000V/1200VM7iU系列IGBT和M7d FRD芯片已完成
开发和认证，并形成量产，以上产品已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠
性测试，满足风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了
1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量出货。公
司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。
（2）车规应用的IGBT&FRD芯片：针对车用的750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过H
V-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠性测试，最高结温可达185°C，目前该芯片
技术已通过头部新能源车企完整认证流程，后续将根据不同车型平台的技术需求进
行系列化产品开发。
（3）SiC MOSFET芯片：公司首款1200V40mohm SiC MOSFET芯片研制成功，已通过
可靠性验证；车规1200V13mohm SiC MOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证。
（4）SiC SBD芯片：自主研发的SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家
终端客户可靠性和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测
试，部分产品已形成批量出货。
公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了
坚实的技术基矗随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在
功率半导体市场中占据更重要的地位。
（5）GaN芯片：自主研发的GaN650V75mohm芯片研制成功，报告期内已全面通过内
部可靠性验证流程，目前正进入客户导入阶段，现有序安排向多家战略合作客户送
样验证。此项成果标志着公司在GaN功率器件的技术实力取得实质性跃升，为拓展A
I服务器电源和人形机器人等高增长市场奠定基础，进一步强化了公司在宽禁带半
导体技术路线的战略竞争力。
面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续
提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公
司将进一步加大研发投入，构建以SiC、GaN为主要方向，兼顾第四代半导体的多元
化技术体系，加速SiC、GaN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI电源、机器
人等成长性应用场景，并挖掘先进能源与新型电力系统等前沿方向的应用潜力，形
成从技术积累到成果转化的持续推进。
2、模块产品
（1）光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品
批量交付。
（2）基于自主研制的M7i芯片平台，报告期内完成了系列化功率模块产品的开发，
该系列模块已通过多家行业头部客户的性能测试和认证，技术指标满足风光储等高
端应用场景需求，后续将按照计划启动规模化量产进程。
（3）车规级280-820A/750V灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同
应用场景，公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块（280-820A/750V），均
已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
（4）基于自主研制的EDT3芯片平台，成功开发出符合车规级应用的高功率密度、
高可靠性功率模块产品，该系列产品已完成AQG324等车规标准可靠性认证及性能验
证流程，并顺利通过多家头部车企客户的测试和认证审核。
（5）车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，
产能实现翻倍升级，报告期内累计出货60余万只，该塑封模块平台产品对公司2025
年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力。
（6）车规级1200V SiC自研模块完成开发，均通过AQG324等车规级认证。
（7）1700V系列化产品：多款产品（75-600A）完成开发，用于高压变频、风电变
流器和SVG等多领域，且产品已通过客户端认证，正在批量供应市场；
（8）不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已批量供货。
（三）巩固核心技术，研发投入持续加大
2025年上半年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升
级。截至报告期末，公司研发人员数量为220人，同比增长4.76%，其中硕士、博士
合计46人，占研发人员总数的比例为20.91%。2025年上半年，研发投入5,856.61万
元，占营业收入的比例为8.61%，研发投入同比增加8.64%。截至报告期末，公司共
有专利139项，其中发明专利46项，实用新型专利83项，外观设计专利10项。
（四）质量提升见成效，精益求精路未央
2025年，是质量提升之年，公司围绕“提升宏微质量品牌，降低不良质量成本，优
化客户质量服务”的主题，在研发质量、供应商质量、客户质量服务等方面开展了
一系列的改善活动，强化质量管理系统建设；扩大统计过程控制的涵盖项目，对成
品测试进行统计良率管控，严控制造过程波动；提高可靠性监控频次和覆盖面，确
保出货产品的高可靠性；召开供应商大会传递物料质量要求和“三化一稳定，严进
严出”理念，对重点物料安排驻厂督造。2025上半年，公司IGBT模块整体良率提升
0.5%，市场端失效率降低34.5%。公司的整体质量表现获得国内外头部客户的一致
认可。
（五）提升战略客户粘性，加速市场版图扩张
公司长期致力于IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生
产和销售，同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2025年半年度，公
司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有
所收获和积累，持续丰富优质客户资源。在家用电器领域，公司与头部家电企业达
成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。公司在稳步扩容现有客
户订单份额的基础上，持续加大营销力度，积极开拓新客户及新市场，客户矩阵趋
于丰富。
（六）公司治理规范高效，提升组织运营颗粒度
2025年上半年，公司董事会、监事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《
上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律
法规和规范性文件及公司内部制度要求，不断完善公司法人的治理结构，加强内部
制度建设与内控体系完善，以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务
稳健发展。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，合规履行信息披露义
务，持续加强内控建设，以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提
质增效。
（七）积极践行ESG，实现可持续发展
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术优势
经过多年的技术沉淀和积累，公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的
设计、封装和测试等方面突破多项核心技术，在芯片领域，主要包括微细沟槽栅、
多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术；软恢复结构
、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术；高可靠终端设计等高压MOS
FET芯片设计及制造技术等。在模块封装领域，主要包括超声端子键合、PIN针超声
键合、银烧结、铜烧结、DTS（Die Top System）等一系列先进的封装技术。未来
，公司将持续高筑核心技术壁垒，夯实行业竞争力。
2、人才优势
人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公
司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业
领军人才组建的硬科技企业，研发团队的核心成员均为从事电力电子器件行业20余
载的高级技术人才，曾参与国家“八五”、“九五”、“十一五”、“十二五”、
“十四五”等重大科技专项中IGBT芯片及模块技术攻关项目。为保证研发实力的持
续提升，公司将稳步扩大研发团队规模，强化人才梯队建设。2024年上半年，公司
博士后创新实践基地升级为国家级博士后工作站，该平台将为公司引进高层次技术
人才、深化产学研深度融合提供战略支撑，加速科技成果向新质生产力转化，助推
半导体产业高质量发展。
3、产品多品种规模化供应优势
功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件，下游整机装备客户通常需要多
种系列和规格的产品，为确保整机产品的稳定性，客户倾向于选择同一品牌的一站
式采购。公司已构建业内领先的全系列产品矩阵，通过柔性化产线布局和智能化生
产体系，实现从单管到模块的规模化精准供应，为客户提供“多、快、好、时的一
站式解决方案。在产品种类上，公司形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管
到MOSFET、IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列、多规
格产品格局。在产品适用范围上，公司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆
变电源、高频开关电源、风光储、新能源汽车电控系统、新能源汽车充电系统等多
元化领域，并积极向AI电源、机器人、先进能源与新型电力系统等场景探索。依托
公司多品种、专业化、规模化的产品供应能力，使得公司具备突出的组合供应能力
，能够为各领域客户提供多品种、多系列、专业化的一揽子产品解决方案。
4、客户资源优势
公司深耕功率半导体行业多年，凭借先进的产品技术、可靠的产品质量及优质的服
务，与工业控制、新能源发电、新能源汽车、家电等领域的龙头企业建立了长期稳
定的战略合作关系，并被多家知名客户如汇川技术、台达集团、英威腾、奥太集团
等评选为“优秀供应商”或“重要供应商”。通过深度参与客户需求场景分析，形
成“定制化产品+联合开发”的协同创新模式，持续巩固公司在功率半导体价值链
中的核心地位。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措
施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理
，不断强化芯片设计与工艺实现、模块封装工艺与测试等关键技术的积累，在前沿
技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体芯片设计和模块封装领域的核心竞争
力，上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
2、报告期内获得的研发成果
截至报告期末，公司凭借在科技创新工作中的卓越成效，累计获得发明专利授权46
项，实用新型专利授权83项，外观设计专利授权10项。
四、报告期内主要经营情况
2025年上半年公司实现营业收入68,027.43万元，同比增加6.86%；实现归属于母公
司所有者的净利润297.80万元，同比增加18.45%；
五、风险因素
（一）核心竞争力风险技术升级及产品迭代风险
功率半导体器件行业技术不断升级，持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势
的关键。公司现有技术存在被赶超和迭代的可能：如国内外竞争对手推出更先进、
更具竞争力的技术和产品，而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的
研究方向，或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平，新产品研发失
败，将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。
（二）经营风险重要供应商依赖的风险
公司的自研芯片是采用Fabless模式委托芯片代工企业进行生产，外购芯片主要采
购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片供应商产能严重紧张或者难以通过供应
商采购芯片，则可能导致公司产品无法及时、足量交付，进而对公司的经营业绩产
生不利影响。
（三）财务风险
1、毛利率波动风险
报告期内，公司主营业务毛利率为15.75%。如果未来公司产品技术优势减弱、市场
竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、下游市场需求波动、采购成本持续提
高或者出现产品销售价格持续下降等情况，可能导致公司综合毛利率下降。
2、固定资产折旧的风险
随着公司改扩建项目的投产使用，在建工程将陆续转为固定资产，将会导致固定资
产折旧费用的增加。若公司未来面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平
，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
3、资产减值的风险
公司按照企业会计准则及公司会计政策等相关规定，结合公司实际经营情况，对各
类资产进行减值测试，计提资产减值准备。未来，若公司所处的经济、技术或者法
律等环境以及各项资产、投资所处的市场未来发生重大变化，公司相关资产仍将面
临进一步减值的风险，将会对公司的财务状况及经营成果带来不利影响。
（四）行业风险市场竞争风险
经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了
全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯
片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保
持优势地位，几乎垄断工业控制、新能源发电、新能源汽车等利润率较高的应用领
域。
国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为
全球最大的半导体分立器件和功率模块市场，并保持着较快的发展速度，这可能会
吸引更多的竞争对手加入，从而导致市场竞争加剧。如果产品开发效果不达预期，
不能满足新兴市场的要求，或者现有市场应用发生根本性变化，公司的市场份额可
能存在下降风险。
（五）宏观环境风险
公司属于功率半导体行业，具有较强的周期性特征，与宏观经济整体发展密切相关
。公司产品主要应用于工业控制、新能源发电、储能、新能源汽车等领域，如果宏
观经济波动较大或长期处于低谷，上述下游市场需求的波动和低迷亦会导致功率半
导体产品的需求下降，从而对公司的销售和利润带来负面影响。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2025-06-30
┌─────────────┬───────┬──────┬──────┐
｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
├─────────────┼───────┼──────┼──────┤
｜CISSOID S.A. ｜ -｜ -｜ -｜
｜MacMic International Limit｜ 0.93｜ 94.67｜ 1533.37｜
｜ed ｜ ｜ ｜ ｜
｜上海宏微爱赛半导体有限公司｜ 500.00｜ -122.49｜ 242.90｜
｜合肥博众电子科技有限公司 ｜ 210.00｜ -｜ -｜
｜常州能量方舟新材料有限公司｜ -｜ -｜ -｜
｜常州芯动能半导体有限公司 ｜ 20000.00｜ -243.61｜ 23612.13｜
｜常州锦创电子科技有限公司 ｜ 8381.00｜ -34.29｜ 8399.81｜
｜江苏宏电节能服务有限公司 ｜ 500.00｜ -21.45｜ 236.02｜
└─────────────┴───────┴──────┴──────┘
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