☆经营分析☆ ◇688072 拓荆科技 更新日期：2025-10-27◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。
【2.主营构成分析】
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体设备行业 ｜ 395839.31｜ 161913.17｜ 40.90｜ 96.46｜
｜其他业务 ｜ 14506.08｜ 9142.23｜ 63.02｜ 3.54｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体专用设备 ｜ 395839.31｜ 161913.17｜ 40.90｜ 96.46｜
｜其他业务 ｜ 14506.08｜ 9142.23｜ 63.02｜ 3.54｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜中国大陆 ｜ 395851.31｜ 161925.18｜ 40.91｜ 96.47｜
｜其他业务 ｜ 14494.07｜ 9130.22｜ 62.99｜ 3.53｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销模式 ｜ 395851.31｜ 161925.18｜ 40.91｜ 96.47｜
｜其他业务 ｜ 14494.07｜ 9130.22｜ 62.99｜ 3.53｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体设备 ｜ 263449.98｜ 133735.40｜ 50.76｜ 97.39｜
｜其他业务 ｜ 7047.42｜ 4237.27｜ 60.13｜ 2.61｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜薄膜沉积设备 ｜ 257019.98｜ 130466.27｜ 50.76｜ 95.02｜
｜其他业务 ｜ 7047.42｜ 4237.27｜ 60.13｜ 2.61｜
｜混合键合设备 ｜ 6430.00｜ 3269.13｜ 50.84｜ 2.38｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜中国大陆 ｜ 263449.98｜ 133735.40｜ 50.76｜ 97.39｜
｜其他业务 ｜ 7047.42｜ 4237.27｜ 60.13｜ 2.61｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销模式 ｜ 263449.98｜ 133735.40｜ 50.76｜ 97.39｜
｜其他业务 ｜ 7047.42｜ 4237.27｜ 60.13｜ 2.61｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体设备 ｜ 98983.42｜ 48873.65｜ 49.38｜ 98.62｜
｜其他业务 ｜ 1387.51｜ 735.28｜ 52.99｜ 1.38｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜PECVD设备 ｜ 90800.00｜ --｜ -｜ 90.46｜
｜其他业务 ｜ 9570.93｜ --｜ -｜ 9.54｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 100352.60｜ 49591.27｜ 49.42｜ 99.98｜
｜境外 ｜ 18.32｜ 17.66｜ 96.37｜ 0.02｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2022年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体设备 ｜ 168528.91｜ 82930.43｜ 49.21｜ 98.81｜
｜其他业务 ｜ 2027.36｜ 1101.03｜ 54.31｜ 1.19｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜PECVD设备 ｜ 156322.62｜ 77240.76｜ 49.41｜ 91.65｜
｜SACVD设备 ｜ 8947.62｜ 4189.36｜ 46.82｜ 5.25｜
｜ALD设备 ｜ 3258.67｜ 1500.31｜ 46.04｜ 1.91｜
｜其他业务 ｜ 2027.36｜ 1101.03｜ 54.31｜ 1.19｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜中国大陆 ｜ 168528.91｜ 82930.43｜ 49.21｜ 98.81｜
｜其他业务 ｜ 2027.36｜ 1101.03｜ 54.31｜ 1.19｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜直销模式 ｜ 168528.91｜ 82930.43｜ 49.21｜ 98.81｜
｜其他业务 ｜ 2027.36｜ 1101.03｜ 54.31｜ 1.19｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2025-06-30】
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所属行业情况
1、半导体设备行业
集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其
发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞
争力。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶
圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半
导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备，因此，半导体设备技术水平直接决
定了芯片制造的先进性。
伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以人工智能（AI）、消费电子、
物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能、功耗、集
成度等方面提出了更高的要求。特别是近两年，AI应用的迅速普及加速推动了技术
创新，对先进半导体技术的需求强劲，同时催生了巨大的先进半导体设备市场空间
。根据SEMI统计，2025年全球半导体设备销售额预计达到1255亿美元，同比增长超
过7%，并持续保持增长态势，预计2026年销售额将进一步攀升至1381亿美元，实现
连续三年增长。
中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半
导体设备带来了广阔的市场空间，尤其是在AI应用快速发展的拉动下，对先进半导
体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备销
售额达到496亿美元，同比增长35%，连续第五年成为全球最大半导体设备市常近年
来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大
陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果
，产业链逐步完善，并加快先进技术领域的布局，为国内高端半导体设备厂商创造
了巨大的发展机遇和市场空间。
2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大
核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结
构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于
不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产
生了巨大的薄膜沉积设备市场，2025年晶圆制造设备销售额预计将达到1108亿美元
，同比增长超过6%，占总体半导体设备销售额的比例近90%。而根据历史年度统计
，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2025年全球薄
膜沉积设备市场规模约为244亿美元。
公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和
应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备
”）的研发与产业化应用。
在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项
具有国际先进水平的核心技术，形成了PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD
（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学
气相沉积）及Flowable CVD（流动性化学气相沉积）等薄膜设备系列产品，在集成
电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分
领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片
内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：
3、公司所聚焦的三维集成设备行业
随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工
艺极限已无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三
维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突
破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进
军高端半导体设备的前沿技术领域，研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合
设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术根
据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合，主要应用如图示：
（二）公司主营业务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，
公司始终坚持自主研发、自主创新，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flo
wable CVD等薄膜沉积设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套
的量检测设备产品，薄膜沉积设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储
芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已在先进存储、图像传感
器（CIS）等领域实现量产。
2、主要产品情况
报告期内，公司不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业
化，持续保持产品核心竞争力，公司研制的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowabl
e CVD等薄膜沉积设备产品、先进键合设备产品和配套的量检测设备产品已在客户
端实现产业化应用，业务规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际同类设备先
进水平。具体产品情况如下：
（1）PECVD系列产品
（2）ALD系列产品
（3）SACVD系列产品
（4）HDPCVD系列产品
（5）Flowable CVD系列产品
（6）三维集成领域系列产品
报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
（三）主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下
游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主
营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备
件销售。
（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。
公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是
公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展
动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户
实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客
户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
（3）采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应
商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的
零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供
应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制
定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、
良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加
工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司
依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需
求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。
公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚
未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生
产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署
正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客
户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合
作关系。
公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报
价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）
签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备
发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相
关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分
发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争
优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持
以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司
产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续
强化公司运营管理，促进公司高质量、稳舰快速的发展，在经营业绩、产品研发、
市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升
。
1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用
，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于近年国内下游晶圆
制造厂对国内半导体设备的需求增加，营业收入维持高增长趋势。2025年上半年度
，公司实现营业收入195,414.62万元，同比增长54.25%；实现归属于上市公司股东
的净利润9,428.80万元，同比下降26.96%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常
性损益的净利润3,818.77万元，同比增长91.35%。
截至2025年6月30日，公司总资产1,755,366.06万元，较2024年年末增长14.62%；
归属于上市公司股东的净资产541,194.65万元，较2024年年末增长2.50%。公司资
产质量良好，财务状况稳剑
2、公司产品研发及产业化进展情况：
报告期内，公司积极把握半导体设备国产替代的战略机遇，通过高强度的研发投入
，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，同时，在先进制程应用的新
产品、新工艺、高产能设备产品的验证及产业化应用等方面均取得了突出成果，产
品成熟度及性能优势获得客户广泛认可，市场渗透率进一步提升，收入持续高速增
长。报告期内的研发投入金额达到34,917.71万元，同比增长11.09%，研发投入占
营业收入比例为17.87%。
在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及Flowabl
e CVD为主的薄膜沉积设备工艺覆盖面。报告期内，基于新型设备平台（PF-300T P
lus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM
、Lok-II及PECVD Bianca等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断扩大；
应用于先进存储领域的PECVDOPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单，已出货多台
至客户端验证；公司目前已实现对PECVD ACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模
工艺的全面覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬
掩模工艺覆盖最全面的设备厂商；基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO
）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单，PE-ALDSiO2和PE-ALD SiCO
多台通过客户验证，不断扩大量产规模，公司已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆
盖；Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大；公司是集成电路领域国
产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，公司ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制
造领域量产规模快速攀升。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCV
D及Flowable CVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材
料的约100多种工艺应用。
在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司晶
圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，同时，公司研发的新一代高速高精度晶圆对
晶圆混合键合产品已发货至客户端验证。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、
图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品和量产规模不断攀升，截至本报告披露日
，公司累计出货超过3,000个反应腔（包括超过340个新型反应腔pX和Supra-D），
进入超过70条生产线。
报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳
定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系
列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积
设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.43亿片。
（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况：
PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片
控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通
入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态
薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高
性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯
片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业
化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cur
e产品：PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖
，通用介质薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）
和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si
、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良
好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复
购和批量订单，不断扩大量产规模。
公司面向先进存储领域自主研发的PECVD Supra-D OPN、SiB、高温SiN等工艺设备
持续获得订单，已出货多台至客户端验证，关键性能指标已达到客户的技术要求。
PECVD Supra-D OPN设备可沉积氧化硅掺杂多晶硅、氮化硅薄膜，主要作为3D NAND
顶部选择栅极，形成存储单元的基本导电通路，能够实现对特定垂直存储串的精确
选择和控制，同时，能够通过调控垂直沟道中的电流实现信号管理。PECVD Supra-
D SiB和高温SiN设备可以沉积高性能的硬掩模，其中，SiB薄膜具有显著提升的刻
蚀选择比，可有效降低硬掩模层厚度，同时实现优异的刻蚀均匀性，大幅简化图形
转移的工艺难度，主要应用于集成电路制造的高深宽比结构图形转移工艺；高温Si
N薄膜与低温沉积SiN薄膜相比，不仅具有更高的薄膜密度，还具备比较宽泛的应力
调整区间，很大程度上兼容薄膜对密度和应力的双重需求，具备更高的刻蚀选择性
，主要应用于DRAM的硬掩模中刻蚀选择比需求较高的工艺。
公司基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）
研发的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备实现了大量出货，并陆续通
过客户验证，满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本
报告披露日，累计超过340个反应腔出货至客户端。
公司PECVD Bianca工艺设备持续获得客户多台复购订单，该设备为晶圆背面薄膜沉
积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该
设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉
积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。截至报告期末，累计超过60个
PECVD Bianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。
公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多
处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在
三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。
公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔
，每次可以同时处理24片晶圆。截至本报告披露日，NF-300M Supra-H设备已完成
样机研发和制造，正在进行薄膜工艺调试。该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）
介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最
先进的生产需求。
②UV Cure产品
UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效
改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。
公司UV Cure设备与PECVD设备成套使用，为PECVD HTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫
外线固化处理。公司UV Cure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内
持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模。
（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况：
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面
，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深
宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺
中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯
片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
PE-ALD产品PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的
薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
报告期内，基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的
PE-ALD设备持续获得多台客户订单，在客户端验证进展顺利，该设备可应用于先进
逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具
有优异的片内均匀性等关键指标。
基于PF-300T和高产能平台NF-300H开发的PE-ALD SiO2及PE-ALD SiCO持续出货，且
多台设备通过客户验证，公司PE-ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模
快速攀升。
截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜
工艺设备均已实现产业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目
前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广
泛的应用。
②Thermal-ALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄
膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金
属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALDTiN持续获
得客户订单，出货量不断扩大，目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户，验证进展顺
利。Thermal-ALD Al2O3、AlN等工艺设备在不同客户端验证进展顺利，此外，公司
持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，扩大金属及金属化合物等先进薄膜材料
应用。
（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况：
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备
之一。在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特
有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力
。
报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，持续获得客户订单并出货
，进一步扩大量产应用规模，同时，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备在客户
端验证进展顺利，关键技术指标已达到客户要求。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况：
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设
备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂
质含量更低。
报告期内，公司HDPCVD持续获得客户订单并出货，不断扩大量产规模。截至报告期
末，公司HDPCVD USG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规
模。
（5）Flowable CVD系列产品研发及产业化进展情况：
Flowable CVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重
要设备之一。Flowable CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过
固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。
截至报告期末，公司自主研发的Flowable CVD产品已有多台通过客户验证，实现了
产业化应用。
（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况：
三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成
为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对
芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控
制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性
能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
①晶圆对晶圆混合键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合
工艺。公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已
实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开
机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产品持续获得不同客户订单并出
货。
报告期内，公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX，该
产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，已出货
至客户端验证。
②晶圆对晶圆熔融键合产品
晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合，将两个平整的晶圆自然
连接键合，其特点是晶圆在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，晶
圆在室温下接合。
公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F，可实现载片晶圆和器件晶圆低应
力熔融键合，具备优异的产能表现，该产品已获得客户订单。
③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产
品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对
晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。
报告期内，该产品持续获得客户重复订单。
④芯片对晶圆混合键合产品
芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备
的关键技术是在晶圆对晶圆混合键合的基础上，还需实现芯片的高精度选取和放置
技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。
公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合
到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告
期末，该产品已获得客户订单并出货，验证进展顺利。
⑤键合套准精度量测产品
键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要
采用红外光学技术原理实现量测功能。
公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量
测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯
片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客户验证，实现产业化应用。
⑥键合强度检测产品
键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司根据客户需求，研制
了键合强度检测产品Ascella300，可以实现晶圆键合后的强度检测。该产品已通过
客户验证，实现产业化应用。
⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加
工的场景，例如垂直架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆
激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户
有效优化工艺成本和前道兼容性。报告期内，公司已完成该产品的研制。
3、供应链保障方面
公司已建立稳定的供应链体系，确保供应链安全与运营连续性，主要如下：
（1）建立多元化供应商体系
公司目前已经建立全球化的供应商网络，关键零部件采用“多源采购”模式，避免
单一供应商依赖。此外，公司与核心供应商签订长期合作协议，锁定产能并享受优
先供应，同时，定期评估供应商的交付能力，保证关键部件的及时稳定供应。
（2）战略库存与弹性备货
公司根据市场供需波动动态调整安全库存水平，对交期长的部件保持3-6个月的战
略储备。同时，推动供应商建立本地仓储，缩短交货周期。
（3）创新保障与协同研发
公司持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进
供应商产品质量与产品性能的不断提升。同时，公司通过召开合作伙伴大会等方式
加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方案，进一步推动与供应商新产品的开
发、新技术的合作，促进公司设备先进性、可靠性的提升。
（4）合规与可持续发展
公司严格遵守国际出口管制相关法规，确保供应链合规性，推行绿色供应链管理，
减少碳足迹及资源浪费。
公司已将供应链安全战略从被动响应升级为主动构建韧性，最大限度地降低国际地
缘政治动荡、贸易环境变化及产业链突发性中断等外部不确定性带来的风险。同时
，面对可能产生的风险，能够快速吸收、适应、恢复并维持关键业务持续运行的能
力，保障公司设备生产供应的连续性和稳定性，提升在市场的竞争力和客户信任度
。
报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
4、市场销售情况
报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新
、优质客户资源积累、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产
品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显著成效，公司产品的市场渗透力和客
户认可度实现稳步提升。截至报告期末，公司在手订单饱满。
公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成领域设备新工艺、新产品，同时，公司始终
致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制
化、高性能的设备产品，以及全方位、高质量的售后服务。同时，公司深入了解行
业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公司业务的持续高速增长及进一
步巩固市场地位奠定坚实基矗
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打
造一支高素质、富有创新精神和协作能力的人才队伍。
在人才引进方面，公司通过与国内高校合作、设立实习基地等形式，积极吸引优秀
应届毕业生；在人才培养方面，公司建立了多维度、全方位的人才培养体系，持续
推进产学研深度融合，着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产
业可持续发展的人才基矗截至2025年6月30日，公司员工总数1569人，其中研发人
员638人，占公司员工总数的40.66%。
报告期内，公司实施了2025年限制性股票激励计划，并向1055名激励对象授予126.
7894万股（股票来源为公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性
股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公
司长远发展。
6、营运管理方面
为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司持续改进智能化的软硬件系统
（Smart Machine），对系统的功能和结构进一步优化，在已有功能基础上，开发
新的优化算法和数据分析方法，更好地满足工艺研发、大规模生产、故障排查等方
面的需求，进一步促进设备性能和维护效率的提升，以及研发成本、维护成本的降
低，提高产品综合竞争力。
公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，报告期内，公司对MES（生
产管理系统）进行升级，从设备启动生产便自动开始监控交期，及时反馈生产进度
，实现设备出货时间自动预警及全程监控，能够有效提升生产效率，实现生产追溯
性系统管理；公司始终秉持“质量至上”的核心原则，建立和优化全流程质量管理
体系，不断完善质量改进机制，以确保产品与服务的持续优化，报告期内，公司围
绕产品设计、生产及交付等全生命周期实施系统化管控，确保产品符合法规标准及
客户需求，持续推进质量优化与技术创新；在EHS（环境、健康、安全）方面，公
司持续完善在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的
合规和安全；报告期内，公司积极开展ISO27001信息安全管理体系认证，持续完善
信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全和物理安全管控
。
7、募投项目建设进展情况：
①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新
片区建设研发与产业化基地，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临港为中
心客户群所需半导体设备的产业化。该产业化基地已于2025年6月投入使用，截至
本报告披露日，该项目已结项。
新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”公司新建投资项目“高端半导体
设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括
生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万
元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人
民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后，将大幅提高公
司薄膜沉积设备的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品
未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日，公司
已取得本项目的土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施
工合同，正在履行相关政府部门备案手续。
8、对外投资情况
报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞
争力，开展了以下对外投资事项：
（1）投资设立子公司/控股子公司
报告期内，公司设立了控股子公司拓荆青岛，积极布局半导体前沿技术领域的半导
体设备产品；公司的全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球
，为公司进一步拓展海外业务奠定基矗
（2）积极开展产业投资
报告期内，公司开展了对原子启智的股权投资，布局覆盖了ALE（原子层刻蚀）等
设备。公司开展的上述产业投资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应
。
9、公司治理情况
报告期内，公司共召开3次股东大会、4次董事会、3次董事会审计委员会、3次董事
会薪酬与考核委员会、4次监事会及1次独立董事专门会议，所审议的议案100%通过
，并得到有效执行和实施。
公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、
法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、
合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实
现奠定良好的基矗
10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东大会、董事会
、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披
露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上
证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交
流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投
资者利益的最大化。报告期内，公司召开3次业绩说明会/投资者交流会。
公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工
作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及
教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵
守股票减持及增持等相关规定。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
公司致力于研发和生产世界领先的高端半导体专用设备，始终坚持自主创新，持续
为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，形成了多
项国际先进的核心技术，并在研发团队、技术积累和研发平台、市场拓展和售后服
务等方面形成竞争优势，具体体现为：
1、具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势
公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取
得了多项自主知识产权。截至报告期末，公司累计申请专利1783项（含PCT），获
得授权专利581项，其中发明专利294项。
公司先后承担了多项国家重大专项/课题，研发并推出的基于不同平台类型且支持
不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和Flowable CVD薄膜系列设备均已在
客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术
，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类
设备水平，并持续迭代升级产品性能，快速响应客户先进技术需求。
公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，研制并推出了应用于三
维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备，并积累了多项具有自主知识产权
的核心技术。公司未来将保持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和
工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。
2、优秀的技术研发及管理团队优势
公司已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。
公司立足核心技术研发，积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。
公司国际化、专业化的高级管理团队、长效激励机制及具有竞争力的薪酬福利，吸
引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业人才加入公司，在整机设计、工艺
开发、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，
随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。
截至报告期末，公司研发人员共有638名，占公司员工总数的40.66%，研发人员中
博士研究生和硕士研究生共计437人，占研发人员总人数的68.50%。公司的研发技
术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司
技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内，公司核心技术团队稳
定，不存在重大不利变化。
3、领先的行业地位及丰富的客户资源优势
公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备及三维集
成设备的技术积累和快速发展，较国内竞争对手形成显著先发优势，已经成为国内
半导体设备行业的领军企业。
公司已与国内下游客户形成了较为稳定的合作关系。公司薄膜系列产品已批量发往
国内集成电路晶圆厂。此外，公司致力于为客户提供三维集成领域全面的技术解决
方案，目前应用于三维集成领域的系列产品研发和产业化已取得重大进展，产品陆
续发货至不同的客户端。
4、稳定的供应链及较低的运营成本优势
公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供
应商建立战略合作关系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评
估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和成本控制等方面进行改善，从而提高
企业竞争力。公司与供应商实时互动，协同产品创新，保持良好稳定的合作关系。
在产品方面，公司通过创新设计及与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护
的特点，从而降低公司原材料采购成本。随着上游供应商的快速发展，给予了公司
更多的采购选择。因此，公司相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，
随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。
5、提供定制化产品及高效的售后服务优势
公司针对客户提出的定制化的半导体专用设备具有快速响应能力，可以及时满足客
户产线的客制化设备需求，这对下游晶圆制造厂能够快速扩充产能极其重要，由此
建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较
于国际竞争对手，公司管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供高效的技术支持
和售后服务，及时保障和满足客户需求。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措
施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识
产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中
，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成
膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产
线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，面向三维集成领域应用，形成了载片
与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术
，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
2、报告期内获得的研发成果
公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成领域
设备的研发与产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担11项国家重大专项/课
题。
公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利1783项
（含PCT）、获得授权专利581项；报告期内，公司新增申请专利143项（含PCT）、
新增获得专利89项。
3、研发投入情况表研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明：
公司依据企业会计准则的规定，在研发项目满足特定条件后将相关研发投入予以资
本化。本期研发投入资本化的比重较上年同期增加13.88个百分点，主要是根据研
发项目的进度，将满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。
4、在研项目情况
5、研发人员情况
6、其他说明
四、风险因素
(一)核心竞争力风险
随着半导体行业技术的发展和迭代，下游客户对半导体设备种类及性能的需求也随
之变化。因此，公司需要持续保持较高的研发投入，保持产品的核心竞争力和先进
水平。如果公司未来未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者
技术创新产品不能契合客户需求，可能导致公司设备无法满足下游产线生产制造需
要，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。
公司建立了科学的研发体系，并具备先进技术的自主研发和创新能力，且技术创新
紧跟市场需求，研发立项以客户需求为导向，始终与客户保持持续有效沟通，以避
免可能的技术研发失败给公司带来损失。
(二)经营风险
1、产品验收周期较长风险
薄膜沉积设备所沉积的薄膜技术参数直接影响芯片性能。生产中不仅需要在成膜后
检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成
晶圆生产流程及芯片封装后，对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量
薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此，晶圆厂对薄膜沉积设备所需要的验证
时间较长。同时，公司应用于三维集成领域的先进键合设备作为高精度专用装备，
键合精度达百纳米级，当前仍处于产业化初期，是高带宽存储器、三维闪存芯片、
3D DRAM、异构集成芯片等领域的核心支撑技术。由于部分产业应用尚未完成规模
化验证，存在定制化需求攀升的技术风险，可能引致研发投入超预期增长及验证周
期延长，导致公司收入确认及回款周期延后，增加资金链压力，对财务稳健性构成
潜在风险。
随着公司产品在集成电路制造产线的应用规模逐步扩大，公司新平台、新工艺产品
技术日益成熟，以及公司与客户高效稳定的合作下，产品的验证周期将呈缩短趋势
。公司将持续关注公司的产品验证和回款情况，保证公司经营持续健康发展。
2、市场竞争风险
目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，与中国大陆半导体专用设
备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，公司的综合竞争力处于弱势地位
，市场占有率较低。另外，国内半导体设备厂商也逐步进入公司业务领域开发部分
同类产品。公司面临国际巨头以及国内新进入者的双重竞争。如果公司未来无法持
续有效应对市场竞争环境，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等均会受到不
利影响。
公司将持续关注国外竞争对手的发展，通过持续有效的研发投入不断缩短与国外厂
商的技术代差，同时公司也密切关注国内竞争格局，不断扩大公司产品覆盖面，提
升产品核心竞争力；公司亦将时刻关注行业发展态势，科学合理的设定研发方向，
加快研发进度，构筑较高的行业进入壁垒；同时，公司也将与客户保持更加紧密的
合作，实现与下游客户的共同成长。
3、晶圆厂扩产不及预期的风险
下游晶圆厂扩产规模决定了半导体专用设备的市场空间。晶圆厂的扩产投资具有一
定的周期性。如果下游晶圆厂的投资强度降低，公司将面临市场需求下降的风险，
对于公司的经营业绩会造成不利影响。
公司将随时关注半导体行业周期的发展阶段，根据市场情况统筹公司购、产、销各
个环节，保持公司的经营活动与行业周期的协调；同时，公司将积极拓展客户群体
，实现客户结构的多元化，避免因个别客户扩产不及预期造成重大不利影响。
4、供应链安全风险
近年来，复杂的国际形势加剧了全球供应链的不稳定性。目前，公司的部分零部件
暂时仍然需要向国外供应商采购。如果国际贸易摩擦进一步加剧，可能出现上述国
外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司部分零部件的供应，可能会影响公司
产品生产能力、生产进度和交货时间，降低公司的市场竞争力。
公司与供应商积极开展更深入、更广泛的合作，采取全球化、多货源的供应策略，
构建稳定的合作渠道，以加强自身供应链安全，降低国际产业链不稳定所带来的风
险。
(三)财务风险
1、政府补助政策变动风险
公司在报告期内收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能
持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发
，进而影响公司现金流。此外，政府补助的减少，也会对公司的经营业绩产生一定
的不利影响。
公司将持续扩大经营业务规模，提高盈利能力，以逐渐降低政府补助对公司经营业
绩的影响。
2、税收优惠风险
报告期内公司享受高新技术企业所得税及国家关于集成电路领域的相关税收优惠政
策，如果国家上述税收优惠政策发生变化，则可能面临因税收优惠减少或取消而降
低盈利的风险。
随着公司盈利能力不断增强，市场占有率扩大及产品竞争力的持续提高，税收优惠
政策变动对公司经营业绩带来的影响正逐步降低。
(四)行业风险
半导体行业受半导体技术迭代、终端消费市场需求影响，呈现周期性波动。如果下
游终端市场需求或发展不及预期、终端消费供需结构变化较大时，下游晶圆厂会调
整其资本性支出规模和设备采购量，从而对公司经营情况产生影响。
公司将随时关注行业动态及景气度波动情况，提前预判并统筹公司的经营活动，合
理控制现金流，避免行业波动造成重大不利影响。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2025-06-30
┌─────────────┬───────┬──────┬──────┐
｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
├─────────────┼───────┼──────┼──────┤
｜拓荆键科(海宁)半导体设备有｜ 1067.54｜ -3746.76｜ 53368.83｜
｜限公司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜拓荆科技(青岛)有限公司 ｜ 5000.00｜ -｜ -｜
｜拓荆科技(北京)有限公司 ｜ 5000.00｜ 243.01｜ 32138.87｜
｜拓荆科技(上海)有限公司 ｜ 143253.79｜ 15050.88｜ 1170402.15｜
｜拓荆创益(沈阳)半导体设备有｜ 50000.00｜ -2012.51｜ 297274.70｜
｜限公司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜上海道禾拓荆芯链私募基金合｜ -｜ -｜ -｜
｜伙企业(有限合伙) ｜ ｜ ｜ ｜
｜上海稷以科技有限公司 ｜ -｜ -｜ -｜
｜上海岩泉科技有限公司 ｜ 100000.00｜ -565.53｜ 71284.20｜
｜上海岩池半导体技术合伙企业｜ 1000.00｜ -｜ -｜
｜(有限合伙) ｜ ｜ ｜ ｜
｜上海原子启智半导体设备有限｜ -｜ -｜ -｜
｜公司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜Piotech (USA) Inc. ｜ 5.00｜ -｜ -｜
｜Piotech Tokyo株式会社 ｜ 10000.00｜ -｜ -｜
｜Piotech International Corp｜ 1.00｜ -｜ -｜
｜oration ｜ ｜ ｜ ｜
｜PIOTECH GLOBALPTE.LTD. ｜ 0.05｜ -｜ -｜
｜A公司 ｜ 5000.00｜ -｜ -｜
└─────────────┴───────┴──────┴──────┘
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