☆经营分析☆ ◇688048 长光华芯 更新日期：2025-11-06◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
半导体激光芯片的研发、设计及制造。
【2.主营构成分析】
【2025年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜高功率单管系列 ｜ 16479.59｜ 5164.63｜ 31.34｜ 76.25｜
｜VCSEL及光通讯芯片系列 ｜ 2454.34｜ 243.85｜ 9.94｜ 11.36｜
｜高功率巴条系列 ｜ 1186.34｜ 648.81｜ 54.69｜ 5.49｜
｜其他 ｜ 1080.56｜ 857.31｜ 79.34｜ 5.00｜
｜其他业务 ｜ 205.60｜ --｜ -｜ 0.95｜
｜废料销售 ｜ 205.60｜ --｜ -｜ 0.95｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国内销售 ｜ 21000.34｜ 6787.99｜ 32.32｜ 98.10｜
｜国外销售 ｜ 406.11｜ 332.20｜ 81.80｜ 1.90｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜高功率单管系列 ｜ 21345.38｜ 2333.01｜ 10.93｜ 78.29｜
｜高功率巴条系列 ｜ 3684.39｜ 2360.66｜ 64.07｜ 13.51｜
｜其他 ｜ 1871.82｜ 1626.18｜ 86.88｜ 6.87｜
｜VCSEL芯片系列 ｜ 362.37｜ 182.31｜ 50.31｜ 1.33｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国内销售 ｜ 27093.00｜ 6376.46｜ 23.54｜ 99.37｜
｜国外销售 ｜ 170.96｜ 125.70｜ 73.53｜ 0.63｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜高功率单管系列 ｜ 10182.88｜ 1601.29｜ 15.73｜ 79.65｜
｜高功率巴条系列 ｜ 1633.54｜ 1043.24｜ 63.86｜ 12.78｜
｜其他 ｜ 712.32｜ 610.42｜ 85.70｜ 5.57｜
｜VCSEL芯片系列 ｜ 158.86｜ 65.36｜ 41.14｜ 1.24｜
｜其他业务 ｜ 48.45｜ --｜ -｜ 0.38｜
｜废料销售 ｜ 48.45｜ --｜ -｜ 0.38｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国内销售 ｜ 12636.44｜ 3300.73｜ 26.12｜ 99.22｜
｜国外销售 ｜ 99.61｜ 68.03｜ 68.30｜ 0.78｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜高功率单管系列 ｜ 25169.66｜ 7464.92｜ 29.66｜ 86.73｜
｜高功率巴条系列 ｜ 2808.46｜ 1830.73｜ 65.19｜ 9.68｜
｜其他 ｜ 795.67｜ 410.53｜ 51.60｜ 2.74｜
｜VCSEL芯片系列 ｜ 247.21｜ 28.23｜ 11.42｜ 0.85｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜国内销售 ｜ 28860.96｜ 9632.13｜ 33.37｜ 99.45｜
｜国外销售 ｜ 160.05｜ 102.30｜ 63.92｜ 0.55｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2025-06-30】
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业情况
公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行
业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》
（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、
通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电
子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智
能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性
产业。
半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领
域，而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、
输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的
驱动和监控下实现激光输出。
半导体激光器引领光子时代，具有电光转换效率高、体积孝可靠性高、寿命长、波
长范围广、可调制速率高等显著优点，为下游激光器提供不同光子能量，除可以直
接使用外，亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源，属于
其核心器件及关键部件。因此，根据不同的光子类型，其下游激光器类型众多，应
用领域较为广泛。
(二)公司主营业务情况
公司始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系
列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，
逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发
具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激
光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导
体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器
及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制
造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能
安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内，公司主
营业务未发生重大变动。
经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，公司已建成
覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤
耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开
发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。
同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高
效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，
开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行
业的综合实力逐步提升。
(三)公司主要产品情况
公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能
力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信
芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列
产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立健全研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不
断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累，在核心技术方面屡
获突破，打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时，针对半导体激光行
业应用场景多元化、复杂化的发展趋势，公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的
技术积累，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系
，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，纵向延伸开发器件、模块及直
接半导体激光器等下游产品；横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多
系列的产品矩阵，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。
三、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司始终秉承“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”发展战略，重
视研发创新能力建设，结合公司在激光芯片、器件及模块、VCSEL、光通信芯片等
横向、纵向产业布局形成的综合服务能力，不断提升公司在国内及国际市场的竞争
力。公司积极开拓市场，具体经营情况及各项产品研发进展如下：
1、高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。公司超高功率单管芯片在结
构设计与研制技术上取得突破性进展，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新
纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破了公司此前单管芯片室温连续功率
超过100W的行业最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元。同时公司在高功率
和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽
条分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的
最高记录。公司推出了9XXnm50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内
产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实现大批量生产、出
货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外，公司9XXnm光纤激光器
泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节
约单瓦材料成本，为客户创造价值。在特殊波长应用方面，相继推出激光除草应用
1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出
半导体模块，已对外送样，进一步拓展半导体激光器的应用。
2、VCSEL技术获得突破性进展，产品应用场景不断深化。公司攻克了低损耗多结VC
SEL结构技术，将面发射芯片效率提升到74%，打破了近20年VCSEL效率发展停滞不
前的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的固有认知。公司还构建
了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以突破10mW左右的难题，在直流
驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新了单模VCSEL功
率效率的世界纪录。公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向，现在主
要有三方面应用：（1）消费电子，主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域
；（2）光通信，短距离传输，应用于数据中心；（3）车载激光雷达芯片，已通过
车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开
发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将
进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。
随着VCSEL自身技术的不断发展，以及与其他技术的结合使用，未来VCSEL将迎来更
多的新兴应用，比如用于眼动追踪、速度监测、PM2.5空气质量监测等。
3、光通信产品矩阵形成，市场规模不断扩大。面对持续爆发式增长的市场需求和
更高性能芯片的要求，公司利用IDM平台优势持续投入研发，根据市场需求推出“
国产替代”的高性能光通信芯片产品，公司拥有EML、VCSEL、CW Laser三种类型的
光通信芯片，为市场提供高端芯片解决方案。报告期内，公司100G EML已实现量产
，200G EML已开始送样。100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4DFB芯片已达到
量产出货水平。
同时，公司超前布局硅光、薄膜铌酸锂等多种技术路线。硅光集成技术在光通信、
光传感、光医疗、光计算等光子应用领域快速发展的全球市场机遇，实现硅光集成
制造技术和平台的国产自主可控，助力苏州市打造光子产业创新集群。公司通过全
资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司布局硅光方向。公司通过投资匀晶光
电布局新材料方向，薄膜铌酸锂通过带宽极限突破与集成工艺创新，正重塑高速光
通信架构。
4、平台资源整合，资本助力横向拓展新征程。
横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域。填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业
化的空白。全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化
镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础，并与
团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮
化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光
波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有
直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光波段的GaN激光器产品，已经在
激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR微投影）、
激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且
呈现较高的复合增长趋势。
参考Yole等机构的增长幅度测算，预计到2026年全球氮化镓元件市场规模将增长到
423亿美元，年均复合增长率约为13.5%。镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激
光器研究的团队，曾先后攻破关键核心技术，研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光
激光器芯片，填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器领域的空白，研发成果和技术水平
国内领先、国际一流。目前该公司研制的绿光激光器光功率已达1.2W，处于国际先
进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。
发挥产业平台孵化功能，推进光子产业协同发展。公司入股中久大光，加大特殊科
研领域深度合作。公司全资子公司通过公开增资的方式对四川中久大光科技有限公
司进行投资，2023年5月29日完成增资工商变更，投资持股比例1%。公司与特殊领
域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系，未来双方将联合研发多个重点项目
，提升特殊领域研发能力。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势，投资了苏州
匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)、苏州睿科晶创光电科技有限公司
(以下简称“睿科晶创”)、苏州单峰光子科技有限责任公司(以下简称“单峰光子
”)、武汉高跃科技有限责任公司(以下简称“武汉高跃”)及苏州镭智传感科技有
限公司（以下简称“镭智传感”），不断拓宽公司的产品边界，深化技术的应用领
域。匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术，向国内外客户提供高端铌酸
锂、钽酸锂系列晶体，包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学
级双面抛光LiNbO3晶片等；睿科晶创主要从事光学超晶格频率转换器件，扩展激光
器包括半导体激光器的频率，使激光器适于更多的应用场景，具备成本低、体积孝
可靠性高等优点。单峰光子主营业务为激光传感和精密测量领域的半导体激光芯片
研发、生产与销售，其产品可应用于原子钟、磁力计、气体传感、量子传感等高端
领域；武汉高跃专注于半导体光电器件的研发与生产，主营产品包括窄线宽激光器
、大功率半导体激光器、TO封装激光器等，广泛应用于激光雷达、气体检测、光纤
传感等领域；镭智传感致力于激光传感器研发生产和销售，其核心技术为调频连续
波（FMCW）相干检测激光雷达。
投资成立苏州惟清半导体有限公司，布局高端功率器件方向。公司为进一步完善产
业布局，为抢抓电动汽车等新能源行业快速发展的全球市场机遇，实现高端功率器
件等核心产品技术的国产自主可控，2023年9月28日，公司全资子公司苏州长光华
芯半导体激光创新研究院有限公司与清纯半导体（宁波）有限公司合资成立苏州惟
清半导体有限公司（以下简称“惟清半导体”），该公司注册资本10,000.00万元
，公司出资2,900.00万元，占股29%。2024年7月25日，为推动高端功率器件项目实
现2025年通线目标，研究院向惟清半导体增资10,000.00万元，增资完成后，公司
占股31.61%。
5、国产替代与海外拓展并驾齐驱。随着外部环境的持续变化，公司作为多年深耕
高功率激光半导体的头部公司，将继续加大国产替代进程。同时，现在是开拓海外
市场的机遇期、窗口期，公司将进一步布局海外市常海外业务的持续延展将为业绩
提升提供有力支持。
6、完善内部控制，提升公司治理水平。报告期内，公司不断完善内控流程体系，
通过内部培训以及企业价值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率
和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信
息披露及时、真实、准确和完整。
四、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1.核心技术优势
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、
FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射
率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子
及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大
发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半
导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导
体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最
终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出
功率。
公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙
腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高
芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在
周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的
位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高
了激光器的功率和效率。
公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光
芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长
相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的
高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
2.研发及制造工艺平台优势
公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆
制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理
、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线
，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了
高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到
国际先进水平。
公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片
核心制造工艺技术关键环节，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化
镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类衬
底的半导体激光芯片的制造能力。
3.专业人才优势
公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研
发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨
慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队
伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区
重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内
某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科
研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造
技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究
，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
4.资本平台优势
公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院，一方面承担研发职能，例如激光创
新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”；另一方面该
机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构，有望为公司发展新型半导体材料
发挥助力作用。
对于非公司体内业务或较为长期的布局业务，公司则推动成立光子产业基金用以带
动社会资本，发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立了太湖光
子中心。
产业链协同方面，公司通过参股公司等方式运作。例如：公司持股18.13%的公司华
日精密主要经营固体及超快激光器，应用在精密微加工领域，与公司形成良好的产
业链协同效应。合作成立镓锐芯光等公司符合公司“一平台”发展战略的战略需求
和重要实践，进一步拓展了公司半导体激光器芯片的材料体系、波谱范围和市场应
用。目前公司已拥有三大材料体系，IDM平台效应优势已逐步显现。
5.产品可扩展性优势
公司具备技术平台后，未来应用层面可以横向扩展，而在最擅长的高功率领域则可
以深挖打通产业链，实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展，从
大功率市场走向小功率信号市场；其次，新的氮化镓平台开发完成后，可以直接打
开可见光激光市场乃至部分无线通信、电功率芯片市场；现有材料平台中，磷化铟
平台主要面向光通信，包括发射端和接收端，目前公司已经在两端均提供了量产产
品，且未来产品线有望进一步丰富。砷化镓平台方面，公司也已经推出各种信号处
理方向产品，目前产品主要集中在激光雷达与3D传感器的发射端，包括消费电子使
用的结构光探测器VSL（VCSEL Structured Light）系列、车载激光雷达使用的75W
VCSEL VLR系列等。
6.客户资源优势
公司凭借先进的半导体激光芯片技术水平及制造工艺，公司产品质量、性能及可靠
性得到客户的认可，已具备向多元化应用市场及多层级行业客户提供产品的能力。
半导体激光芯片的导入需要经过下游客户的性能、可靠性等验证通过，验证周期较
长，下游客户更换芯片供应商的成本也较高，双方之间的合作绑定较为紧密。凭借
深厚的研发实力、持续的创新能力，在工业激光器、激光加工设备等领域，公司积
累了行业龙头及知名企业客户。同时，在高能激光器的应用方面，公司为高功率光
纤激光器和高功率全固态激光器提供泵浦源，广泛服务于多家国家级骨干单位。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措
施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
1.核心技术优势
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、
FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射
率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子
及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大
发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半
导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导
体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最
终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出
功率。
公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙
腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高
芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在
周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的
位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高
了激光器的功率和效率。
公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光
芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长
相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的
高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
2.研发及制造工艺平台优势
公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆
制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理
、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前2吋量产线主要用于公司新方向氮化镓
，3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺
寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化
，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要
指标达到国际先进水平。
公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片
核心制造工艺技术关键环节，已建成2吋、3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建
了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射
和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）
、GaN（氮化镓）为衬底的半导体激光芯片的制造能力。
3.专业人才优势
公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研
发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨
慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队
伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区
重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内
某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科
研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造
技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究
，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
2、报告期内获得的研发成果
3、研发投入情况表
4、在研项目情况
5、研发人员情况
6、其他说明
四、报告期内主要经营情况
2025年上半年公司实现营业收入21,406.44万元，同比上升68.08%；归属于上市公
司股东净利润897.45万元；归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-1,145.4
3万元；归属于上市公司股东的净资产299,402.59万元，较上期增加0.27%，主要受
当期盈利的影响，总资产333,007.56万元，较上期增加0.85%。
五、风险因素
(一)业绩大幅下滑或亏损的风险
未来受市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，公司的销售
收入将可能面临较大幅度波动的情况，同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成
本、能源成本、持续的研发投入等各方面因素影响，从而使得公司面临经营业绩下
滑的风险。
(二)核心竞争力风险
1.技术升级迭代风险
公司经过多年的持续研发投入，在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积
累。随着半导体激光技术的不断演进，技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓
展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入，或者在关键技术上
未能持续创新，亦或新产品技术指标无法达到预期，则可能会面临核心技术竞争力
降低的风险，导致公司在市场竞争中处于劣势，面临市场份额降低的情况。
2.研发失败风险
半导体激光行业是技术密集型行业，具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及
行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中，也存在下游客户的产品
导入和认证过程，需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确
把握下游行业客户的应用需求，未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势，无
法在新产品、新工艺等领域取得持续进步，可能导致公司产品研发失败，或因稳定
性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素，导致公司新产品无
法顺利通过下游客户的产品导入和认证，会对公司的经营业绩造成不利影响。
3.关键技术人才流失风险
半导体激光行业属于技术密集型行业，对技术人员的依赖度较高，高素质技术人员
是公司核心竞争力的重要组成部分，也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定
的研发队伍和技术人员，是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素
。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的
激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等，将难以引
进更多的高端技术人才，甚至导致现有骨干技术人员流失，将对公司生产经营产生
不利影响。
4.生产良率波动风险
报告期内，公司主营业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。
由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快，如有新型号、新规格且技术
难度较高的产品导入量产，可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工
艺技术不能持续进步，则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险，进而影响公司
的经营业绩。
(三)经营风险
1.客户集中度较高的风险
公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域，下游行业集中度较高，公司来自
主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方
合作关系发生重大不利变化，或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订
单需求大幅下滑，可能对公司的经营业绩产生不利影响。
2.产品价格下降的风险
报告期内，受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响，公司主要产品
价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降，而公司未能采取有效措施，巩固和增
强产品的综合竞争力、降低产品生产成本，公司可能难以有效应对产品价格下降的
风险，导致利润率水平有所降低。
(四)财务风险
1.应收账款余额较大的风险
虽然公司目前应收账款回收情况良好，且主要客户均为国内外知名厂商，但由于应
收账款数额较大，若客户信用状况发生重大不利变化，公司将面临坏账增加的风险
。
2.存货余额较高及存货跌价风险
公司存货余额水平较高。公司采取垂直一体化的IDM经营模式，产品生产工序较长
，公司为及时响应下游客户需求，各个工序均需保持一定数量的备货库存，因此存
货余额较高。一方面，若客户单方面取消订单，或因客户自身需求变更等因素减少
订单计划，及产品的快速迭代，可能导致公司存货的可变现净值低于成本；另一方
面，公司近年来新建厂房和购置生产相关设备资产，投入较大，使得固定成本提高
较多，若公司产品产量因市场需求波动出现大幅减少，或因下游竞争日趋激烈而出
现大幅降价，将可能使得该产品可变现净值低于成本，对公司的经营业绩产生不利
影响。
3.固定资产投资的风险
公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业，专利和技术投资、固定资
产投资的需求较高，尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设
备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂，规模化生产所需的生产线建设投入
较大。
此外，公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后，公司固定资产等长期资产
将继续增加，固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长，可
能导致产品单位成本中单位制造费用较高，进而影响产品毛利率水平，使得公司业
绩下降。
4.毛利率下降的风险
受高功率半导体激光芯片领域竞争加剧、公司为打造行业价格壁垒主动降价、下游
厂商降价传导等因素影响，公司毛利率降幅较大。公司产品毛利率受宏观经济、市
场竞争情况、原材料价格波动、自身产品结构变动等多种因素影响，若出现宏观经
济波动、市场竞争加剧、原材料价格大幅上升而公司未能有效转嫁对应成本、公司
产品结构未能及时调整等情况，可能导致公司产品毛利率下降，从而影响公司的盈
利能力。
(五)行业风险
1.宏观经济及行业波动风险
公司产品处于激光行业产业链上游，其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设
备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动
，导致工业激光器等终端市场需求下降，或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用
场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期，将对公司的业务
发展和经营业绩造成不利影响。
2.市场竞争加剧风险
近年来，在产业政策和地方政府的推动下，国内半导体激光行业呈现出较快的发展
态势，市场参与者数量不断增加。与此同时，国外企业也日益重视国内市常在国际
企业和国内新进入者的双重竞争压力下，公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对
手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势，可能对公司产品的销售收入和利润率产
生一定负面影响。
3.行业增长趋势减缓或行业出现负增长的风险
未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长，可能会在存量市场中出现竞争加剧
、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变
化将有可能直接影响公司的业务收入，从而对公司的经营产生不利影响。
(六)宏观环境风险
(七)全球经济周期性波动
目前全球经济仍处于周期性波动当中，尚未出现经济全面复苏趋势，依然面临下滑
的可能，全球经济放缓可能对整个行业带来一定不利影响，进而间接影响公司业绩
。
(八)存托凭证相关风险
(九)其他重大风险
1.法律风险
（1）知识产权争议风险
公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片
制造技术，公司通过申请专利对自主知识产权进行保护，该等知识产权对公司未来
发展具有重要意义，但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的
风险。同时，公司一贯重视自主知识产权的研发，避免侵犯他人知识产权，但无法
避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略，从而阻碍公司正常业务发展
。
（2）技术秘密泄露风险
公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密，其对公司发展具有重要意
义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技
术泄露问题，不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非
专利技术和技术秘密泄露的风险。
2.内控风险
（1）不存在实际控制人风险
公司股权相对分散，不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决
策由股东大会和董事会按照公司议事规则讨论后确定，但不排除存在因无控股股东
、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时，分散的股权结构导致公司上
市后有可能成为被收购的对象，从而导致公司控制权发生变化，给公司生产经营和
业务发展带来潜在的风险。
（2）公司规模扩大导致的管理风险
公司首次公开发行完成后，随着募投项目的实施，公司的资产规模和业务规模将进
一步扩大，员工人数将相应增加，需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质
量管理、内部控制等诸多方面进行调整优化，对各部门工作的协调性、严密性、连
续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大
，公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。
（3）产品质量控制风险
公司重视产品质量管理，建立了严格的质量控制制度，在产品生命周期内进行全流
程监控，建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系，并
通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等，
若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题，将会对公司品牌形象、市场
拓展、经营业绩产生不利影响。
3.对外投资风险
近年来，围绕公司发展战略，为扩充产品品类，扩大经营规模，以构筑较强的市场
竞争力，公司投资了多家产业链上下游企业，设立了苏州长光华芯投资管理有限公
司作为公司产业投资基金管理平台，并与股权投资机构共同发起成立苏州华泰华芯
太湖光子产业投资基金合伙企业（有限合伙）。但公司所投资标的尚处于初创期，
后期能否和公司产生协同效应还存在一定的不确定性；同时所投标的未来经营管理
过程中可能面临宏观经济及行业政策变化、市场竞争等不确定因素的影响，存在一
定的市场风险、经营风险、管理风险等，投资收益存在一定的不确定性。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2025-06-30
┌─────────────┬───────┬──────┬──────┐
｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
├─────────────┼───────┼──────┼──────┤
｜苏州长光华芯投资管理有限公｜ 1000.00｜ 117.23｜ 1416.81｜
｜司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜苏州长光华芯半导体激光创新｜ 20500.00｜ -345.33｜ 60957.48｜
｜研究院有限公司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜苏州镭智传感科技有限公司 ｜ -｜ -｜ -｜
｜苏州镓锐芯光科技有限公司 ｜ 833.33｜ -945.06｜ 4035.19｜
｜苏州睿科晶创光电科技有限公｜ -｜ -｜ -｜
｜司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜苏州星钥光子科技有限公司 ｜ -｜ -｜ -｜
｜苏州惟清半导体有限公司 ｜ 13393.33｜ -2254.90｜ 35677.93｜
｜苏州单峰光子科技有限责任公｜ -｜ -｜ -｜
｜司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜苏州匀晶光电技术有限公司 ｜ -｜ -｜ -｜
｜武汉高跃科技有限责任公司 ｜ -｜ -｜ -｜
｜武汉华日精密激光股份有限公｜ 4827.28｜ 2157.01｜ 46691.44｜
｜司 ｜ ｜ ｜ ｜
└─────────────┴───────┴──────┴──────┘
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