☆经营分析☆ ◇605358 立昂微 更新日期：2025-06-22◇
★本栏包括 【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.经营投资】【4.参股控股企业经营状况】
【1.主营业务】
半导体硅片、半导体功率器件、化合物半导体射频芯片的研发、生产和销售。
【2.主营构成分析】
【2024年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体 ｜ 306341.82｜ 26109.39｜ 8.52｜ 99.07｜
｜其他业务 ｜ 2889.85｜ 929.44｜ 32.16｜ 0.93｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体硅片 ｜ 190554.77｜ -3463.44｜ -1.82｜ 61.62｜
｜半导体功率器件芯片 ｜ 86245.27｜ 25698.94｜ 29.80｜ 27.89｜
｜化合物半导体射频芯片 ｜ 29541.78｜ 3873.89｜ 13.11｜ 9.55｜
｜其他业务收入 ｜ 2889.85｜ 929.44｜ 32.16｜ 0.93｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 286639.25｜ 25687.60｜ 8.96｜ 92.69｜
｜境外 ｜ 19702.57｜ 421.79｜ 2.14｜ 6.37｜
｜其他业务 ｜ 2889.85｜ 929.44｜ 32.16｜ 0.93｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2024年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体硅片 ｜ 87084.56｜ 927.00｜ 1.06｜ 59.69｜
｜半导体功率器件芯片 ｜ 44819.15｜ 14019.86｜ 31.28｜ 30.72｜
｜化合物半导体射频芯片 ｜ 12836.99｜ 2627.81｜ 20.47｜ 8.80｜
｜其他业务 ｜ 1145.44｜ 483.66｜ 42.22｜ 0.79｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜内销 ｜ 136121.57｜ 16907.53｜ 12.42｜ 93.31｜
｜外销 ｜ 8619.13｜ 667.14｜ 7.74｜ 5.91｜
｜其他业务 ｜ 1145.44｜ 483.66｜ 42.22｜ 0.79｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年年度概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体 ｜ 266785.20｜ 52205.06｜ 19.57｜ 99.19｜
｜其他业务 ｜ 2181.79｜ 931.52｜ 42.70｜ 0.81｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体硅片 ｜ 150126.31｜ 11590.38｜ 7.72｜ 55.82｜
｜半导体功率器件芯片 ｜ 102923.95｜ 42434.15｜ 41.23｜ 38.27｜
｜化合物半导体射频芯片 ｜ 13734.95｜ -1819.47｜-13.25｜ 5.11｜
｜其他业务收入 ｜ 2181.79｜ 931.52｜ 42.70｜ 0.81｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 249974.33｜ 50331.27｜ 20.13｜ 92.94｜
｜境外 ｜ 16810.87｜ 1873.78｜ 11.15｜ 6.25｜
｜其他业务 ｜ 2181.79｜ 931.52｜ 42.70｜ 0.81｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【2023年中期概况】
┌────────────┬─────┬─────┬───┬──────┐
｜项目名称 ｜营业收入( ｜营业利润( ｜毛利率｜占主营业务收｜
｜ ｜万元) ｜万元) ｜(%) ｜入比例(%) ｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜半导体硅片 ｜ 75540.73｜ 12644.37｜ 16.74｜ 56.28｜
｜半导体功率器件芯片 ｜ 53750.70｜ 23833.70｜ 44.34｜ 40.05｜
｜化合物半导体射频芯片 ｜ 3844.68｜ -392.67｜-10.21｜ 2.86｜
｜其他业务 ｜ 1086.50｜ 518.79｜ 47.75｜ 0.81｜
├────────────┼─────┼─────┼───┼──────┤
｜境内 ｜ 125738.20｜ 34899.32｜ 27.76｜ 93.68｜
｜境外 ｜ 7397.92｜ 1186.08｜ 16.03｜ 5.51｜
｜其他业务 ｜ 1086.50｜ 518.79｜ 47.75｜ 0.81｜
└────────────┴─────┴─────┴───┴──────┘
【3.经营投资】
【2024-12-31】
一、经营情况讨论与分析
2024年全球经济呈现“弱复苏、高波动、强分化”特征。亚太新兴市场依托制造业
复苏保持中高速增长，欧美发达经济体受高利率与能源转型阵痛制约增速放缓。叠
加地缘政治冲突及产业链重构加速，全球半导体市场面临复杂变局。在此环境下，
公司经营也迎来多重挑战：需求变化导致产品价格承压，扩产转产推高固定成本，
叠加可转债利息及存货跌价计提，利润空间持续收窄。面对严峻形势，在公司董事
会领导下，全员攻坚克难，推动产能、技术、市场与良率实现显著提升，发展态势
持续向好。
报告期内，公司实现营业收入309,231.66万元，较上年同期增长14.97%,创出历史
新高；剔除利息、折旧摊销等因素的影响后，EBITDA（息税折旧摊销前利润）为63
,669.83万元，较上年同期下降26.56%；实现归属于上市公司股东的净利润-26,575
.71万元，较上年同期下降504.18%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净
利润-26,595.86万元。
影响2024年度公司业绩下降的主要因素有：
1、产能扩张带来的成本压力。随着2023年扩产项目陆续转产，本报告期折旧摊销
支出93,907.26万元，较上年同期增加20,760.50万元，给公司带来了较大的成本压
力；
2、产品降价导致毛利率大幅下降。为了适应行业周期波动，同时大力拓展市场份
额，公司主要产品售价相比2023年下降明显，叠加固定成本增加的影响，导致综合
毛利率由2023年度的
19.76%下降至2024年度的8.74%，减少了11.02个百分点，毛利总额同比减少26,097
.75万元。
3、公允价值变动损失导致利润减少。2024年度公司持有的上市公司股票股价变动
产生公允价值变动损失2,056.81万元（上年同期为公允价值变动收益1,822.72万元
）。
报告期内，经营活动产生的现金流量净额为81,096.60万元，与上年同期的102,679
.73万元相比，减少21,583.13万元，降幅21.02%，主要系本期质押用于开具银行承
兑汇票支付材料采购款的定期存款增加所致；投资活动产生的现金净流出210,773.
48万元，与上年同期的186,068.49万元相比，增加24,704.99万元，增幅13.28%，
主要系本期购建固定资产支付的现金相比上年同期增加所致；筹资活动产生的现金
净流入110,790.59万元，较上年同期增加178,316.93万元（上年同期为净流出67,5
26.34万元），主要系公司本期银行长期借款增加所致。
报告期末，公司总资产1,932,283.05万元，较期初增长5.73%；总负债1,098,906.7
0万元，较期初增长25.87%；归属于上市公司股东的净资产733,773.09万元，较期
初下降7.96%。
报告期内，公司开展的经营工作主要情况如下：
1、产品矩阵迭代升级，出货营收双双突破历史峰值
公司秉持长期主义发展理念，坚持与国家战略同频共振，依托全产业链优势，凭借
敏锐的市场洞察力、完善的产品矩阵、深厚的技术积淀、多元化的工艺平台以及规
模化生产能力，把握电子信息行业复苏及AI、机器人、低空经济等新兴应用场景机
遇，聚焦车载、工控、消费电子领域需求，深化BCD、CIS、超低阻半导体硅片、FR
D芯片、IGBT芯片、VCSEL芯片、pHEMT芯片等高附加值产品布局，通过产品创新驱
动营收与出货量创历史新高。
在半导体硅片领域，公司成功开发出高压IGBT器件用低氧高阻硅抛光片、超结MOSF
ET器件用硅外延片、低压MOSFET器件用超低电阻率硅抛光片和硅外延片等8英寸及1
2英寸产品，并顺利导入Vishay（威世）、台湾富鼎、重庆芯联、深圳润鹏等十余
家海内外头部客户，加速拓展工业控制、汽车电子及消费电子等应用市常市场需求
持续增长的同时，有力促进了相关产品的技术创新迭代。
在功率器件芯片领域，基于自主研发的600-1200VFRD芯片量产技术及高压沟槽肖特
基二极管芯片设计技术，公司成功推出车规级系列产品，实现从技术突破到规模化
量产的重要跨越。产品凭借超低功耗和卓越性能，在消费电子、工业控制、光伏逆
变器及汽车电子四大领域实现快速渗透。特别是在新能源汽车市场，通过与行业领
军企业的战略合作，公司产品的市场竞争力和品牌价值获得显著提升。随着汽车产
业电动化、智能化转型加速，汽车电子业务已成为公司未来增长的关键引擎。
在化合物半导体射频芯片领域，公司聚焦5G通信、智能驾驶、机器人、低空经济产
业，在二维可寻址大功率激光器技术上取得重大突破，构建了从核心器件研发到终
端应用的全链条技术体系。通过持续深化产学研协同创新机制，公司关键技术攻关
取得系列突破，与战略客户联合开发的产品已进入稳定放量期，为公司在5G通信、
智能驾驶、机器人、低空经济等黄金赛道建立差异化竞争优势提供了坚实支撑。
2、高强度研发显成效，三大板块同步实现里程碑突破
技术创新作为企业发展的战略引擎，是构建市场竞争壁垒的核心要素。公司始终以
市场需求为导向，依托技术创新平台实施精准攻关，通过突破关键工艺、加速高附
加值产品研发，持续强化核心技术储备。2024年，公司研发投入达2.9亿元，同比
增长4%，占营业收入比例9.39%。研发团队规模持续扩大，截至2024年末技术研发
人员增至563人，较2023年净增29人，占员工总数的比例为16.14%，其中硕士及以
上学历占比32%。依托持续的研发投入与技术积累，公司稳步拓宽产品矩阵，深化
下游行业应用，推进产品迭代升级。
在半导体硅片领域，成功开发14类具有差异化应用场景的新产品，具体包括：12英
寸新产品93款，进入量产的有72款；8英寸新产品95款，进入量产的有68款；6英寸
新产品118款，进入量产的有106款。12英寸新品销售额占同尺寸产品营收76%，8英
寸新品销售额占同尺寸产品营收32%，6英寸新品销售额占同尺寸产品营收20%。公
司攻克逻辑芯片及存储芯片用12英寸硅片制造技术，突破12英寸P型轻掺单晶、12
英寸闪存用单晶工艺和动态内存用单晶工艺，同步推进8英寸重掺砷低阻产品及8英
寸重掺磷超低阻单晶工艺升级，产品已进入客户送样验证阶段。
在功率器件芯片领域，聚焦高频化、高压化趋势，为H公司等多家战略客户开发高
频低损耗、高可靠性FRD芯片系列产品，在新能源汽车与工业控制领域加速国产替
代，自主研发的代工平台获得产业链主流厂商认可，为工业通信设备及电源管理芯
片的自主可控提供支撑。
在化合物半导体射频芯片领域，2DVCSEL产品凭借高精度、低功耗及车规级可靠性
优势，切入智能驾驶与机器人核心供应链，应用于车载激光雷达等场景；pHEMT产
品以全频段覆盖、超低噪声及高频功率特性，突破5G毫米波与卫星通信关键技术瓶
颈。
截至2024年末，公司累计获得85项授权专利（其中38项发明专利），进一步夯实技
术壁垒，巩固行业领先地位。
3、射频技术强势突围，卡位低轨卫星和人工智能终端新蓝海
化合物半导体射频芯片业务在2024年实现战略转型升级：技术全面突破并加速下游
应用落地，产能利用率显著提升带动月出货量持续增长，同时把握国际国内市场需
求变化，成功切入低轨卫星、低空经济、机器人、智能驾驶及光通信等新兴领域供
应链。公司构建了覆盖射频芯片与激光器芯片的量产代工平台，形成基站射频前端
、卫星通信收发芯片、车载激光雷达等全场景产品矩阵。GaN射频器件凭借高功率
密度特性助力客户设备小型化与能效升级，满足5G基站MassiveMIMO及低轨卫星终
端等前沿需求。
在国内率先基于双异质结技术开发出首款InGaPDHBT工艺，其功率附加效率（PAE）
与抗失配（Ruggedness）性能达到国际先进水平。HBT工艺技术已量产9种差异化方
案，其中LH05工艺以高线性特性适配基站/WiFi场景，LH07工艺以高健壮性服务卫
星通信，LH09工艺集成高增益与高线性优势，全面覆盖现有及下一代通信系统需求
。全球首发支持功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）及开关（SW）的0.15μm
E/D-modeGaAspHEMT多功能工艺，同时突破二维可寻址大功率VCSEL工艺技术，成为
全球首家量产车规级激光雷达VCSEL芯片的制造商，产品已应用于智能驾驶与机器
人领域。宇航级射频芯片实现低轨卫星终端规模化交付。
公司开发的国内第一款6英寸0.45微米的碳化硅基氮化镓（GaNHEMT）工艺技术取得
重要进展，技术指标对标或超过竞品，6英寸0.25微米的GaNHEMT工艺技术也在加紧
开发中。
立昂东芯以高频高功率技术为核心驱动力，依托全产业链掌控能力和国产化先发优
势，通过持续研发迭代实现工艺节点突破，公司成长为国内先进代工厂，打破海外
厂商垄断格局，确立国产替代领军地位。
4、大客户战略实施成效显著，三大业务协同发展助力营收增长
2024年，立昂微以技术引领、产能保障、服务优化为三大支点深化大客户战略，推
动三大业务板块协同突破。通过构建"半导体硅片+功率器件芯片+射频芯片"全产业
链闭环，实现从材料到终端产品的深度整合，客户结构持续优化，战略客户合作深
度与广度显著提升。在车载领域形成金瑞泓定制硅片、立昂微车规器件芯片、立昂
东芯激光雷达芯片的一站式解决方案，显著缩短客户产品开发周期并提升供应链效
率。
半导体硅片业务实现12英寸轻掺硅片规模化量产，良率与品质对标国际水平，成功
导入中芯国际、华虹半导体等头部厂商供应链，12英寸硅片销量同比激增121.23%
，在逻辑/存储芯片领域市场份额持续扩大。功率器件芯片业务聚焦新能源与光伏
赛道，市场份额稳居国内市场前茅，车规级FRD、IGBT产品通过比亚迪等车企认证
并稳定放量。射频芯片业务突破5G基站、卫星通信、智能手机核心技术，面向中兴
等通信设备龙头，助推5G基站射频国产化率突破60%；智能手机端三维异构集成芯
片进入H公司的供应链，带动射频芯片营收同比增长115.08%。射频芯片业务合作模
式升级至联合研发与产能共建，在5G通信、新能源汽车等战略领域形成深度绑定，
持续巩固行业领军地位。
5、持续改进质量管理体系，不断提高质量保证能力
公司以质量创新为核心战略，依托半导体全产业链协同优势，构建卓越绩效管理、
全流程质量追溯及数字化实验室系统，实现产品良率与可靠性指标行业领先。在原
材料管控、生产工艺优化、检测验证等环节实施全链路精细化管理，为严格质控提
供资源保障。通过建立供应商协同管理系统，有效整合供应链资源，推动供应商技
术交流与能力升级，确保原材料品质稳定可靠。
严苛质控体系助力公司实现客户审核100%通过率，成功切入多家新的头部企业供应
链，荣获华润微、浙江创芯、南通皋鑫颁发的“优秀供应商”奖，瑞能半导体、杭
州道铭颁发的“最佳供应商”奖，吉顺芯微的“最佳交付奖”、扬杰科技的“潜力
协作伙伴”奖、士兰微的“战略合作供应商”奖等，赢得市场高度认可，持续巩固
行业领军地位。
6、产能规模持续扩大，为未来发展蓄力
2024年公司通过产能扩张形成战略储备，以产能蓄水池效应承接未来市场需求，构
建市场壁垒。截至报告期末，半导体硅片产能包括6英寸抛光片（含衬底片）60万
片/月、8英寸抛光片（含衬底片）57万片/月、12英寸抛光片（含衬底片）30万片/
月，6-8英寸外延片82万片/月、12英寸外延片10万片/月；功率器件芯片月产能达2
3.5万片（产品涵盖6英寸SBD、FRD、MOS、TVS、IGBT）；射频芯片年产能15万片（
产品涵盖6英寸InGaPHBT、GaAspHEMT、BiHEMT、VCSEL及碳化硅基氮化镓）。
7、强化成本控制，提升运营效率
2024年，面对原材料波动与市场竞争加剧的双重压力，公司深化“向管理要效益”
战略，全面推进降本增效与成本控制体系建设，取得显著成效。生产端推行精益管
理架构革新，硅片事业部通过推行精益生产管理建立标准化作业体系、新设成本管
理部细化成本模型，关键工序效率提升明显。供应链端发挥集中采购优势，通过国
产替代、战略合作、竞价机制等组合策略，大幅降低原辅料采购成本，持续推行供
应商库存管理模式，有效减少原材料资金占用。能源管理方面，通过设备运行参数
优化、循环系统升级及屋顶光伏发电、废水处理装置改进等，实现综合能耗大幅降
低，形成质量与成本的双重竞争优势。
8、深化战略布局，推动发展新韧性
积极响应国家战略部署，深度融入产业发展大局，以“国之大者”的使命担当，主
动承接集成电路材料领域链主企业任务。作为牵头单位组建浙江省先进半导体材料
创新联合体，通过供应链协同、联合技术攻关等模式，强化产业链上下游协作，持
续提升资源整合效能与产业聚合能力，有力推动半导体设备及材料国产化进程。20
24年，公司以终端用户身份参与上游材料厂商赛迈科实施的等静压石墨研发项目，
并加入由拓烯科技牵头的晶圆载具关键材料创新联合体的研发工作。
立昂东芯与浙江金瑞泓分别取得高新技术企业认定，浙江金瑞泓和立昂微成功入选
浙江省制造业单项冠军培育企业，其中立昂微光伏用肖特基二极管产品由浙江省经
信厅推荐申报国家制造业单项冠军。此外，公司斩获杭州市数字经济百强、ESG公
益示范企业等多项荣誉，浙江金瑞泓入选宁波市制造业百强企业名单，立昂东芯获
评杭州市钱塘区“雨燕企业”称号。
二、报告期内公司所处行业情况
世界半导体贸易统计协会（WSTS）发布的报告显示，2024年第四季度全球半导体市
场为1,709亿美元，同比增长17%，较2024年第三季度环比增长3%。2024年全球半导
体市场规模为6,280
亿美元，同比增长19.10%。从细分行业来看，2024年的增长主要来自于内存和逻辑
市场的推动，其他类别如分立器件、光电子器件、传感器和模拟半导体市场出现下
降。
2024年，全球半导体硅片市场在震荡中迎来曙光。尽管消费电子需求回暖与AI、电
动汽车的爆发拉动了计算芯片和功率芯片订单，但供需失衡、价格下行与地缘政治
扰动仍为行业蒙上阴影。国际半导体产业协会（SEMI）发布的半导体硅片行业2024
年年终分析报告显示，半导体硅片需求开始从2023年的行业下行周期中复苏，但由
于部分细分领域的终端需求疲软，影响了硅片厂利用率和特定应用的硅片出货量，
库存调整速度较慢，全球半导体硅片出货量及营收双双减少，2024年全球半导体硅
片出货量下降至122.66亿平方英寸，同比下降2.67%，销售额下降至115亿美元，同
比下降6.5%。
功率半导体器件作为电子电力核心功能元器件，主要应用在包括汽车电子、清洁能
源、数据中心、AI服务器、机器人、智能安防、工控自动化及消费电子等领域。在
国家双碳战略和全球人工智能浪潮驱动下，市场对能源转换效率、设备智能化水平
的要求持续提升，进而推动市场对各类半导体功率器件需求持续增加。Omdia数据
显示，2023年全球功率半导体市场规模为503亿美元，预计2024年增至522亿美元，
2027年将突破596亿美元。功率半导体作为能源转换的核心器件，其增长受益于新
能源汽车、可再生能源及工业自动化需求。中国作为全球最大消费国，2024年市场
规模预计达206亿美元，占比约39%，凸显其在全球产业链中的关键地位。这一优势
源于新能源汽车、光伏发电及消费电子产业的快速发展，国内政策支持与本土企业
技术突破进一步强化了市场竞争力。根据中国光伏行业协会发布的有关数据，2024
年，全球光伏新增装机预计达450-480GW（IEA数据），同比增长超25%，中国、欧
美及新兴市场贡献主要增量，其中中国全年装机超250GW，占全球55%以上。中国汽
车工业协会发布数据显示，我国汽车销量达到3,143.60万辆，同比增长4.50%，连
续16年稳居全球第一，其中新能源汽车1,286.60万辆，同比增长35.50%，新能源新
车达到汽车新车总销量的40.9%。同时中国跃升为全球最大汽车出口国，2024年出
口量585.90万辆，其中新能源汽车占比超30%。在清洁能源和新能源汽车应用中，
光伏旁路肖特基二极管、光伏逆变器IGBT及并联的FRD、汽车功率模块IGBT及并联
的FRD，是核心的功率半导体器件，也是公司持续投入研发新技术、持续改善品质
、扩大产能服务客户的重点。
2024年，化合物半导体射频芯片市场呈现“需求扩张+国产替代”双轮驱动，得益
于5G时代手机性能的不断提升以及物联网设备数量的迅猛增长，这些因素共同推动
了射频芯片市场的持续扩张。中国智能手机市场2024年出货量约2.86亿台，同比增
长5.6%，带动射频前端芯片需求；可穿戴设备、智能家居等对低功耗、高集成度芯
片需求旺盛，自动驾驶激光雷达、车联网推动射频芯片在汽车电子中的应用；机器
人、低轨卫星等新兴场景进一步拓展市场空间。
三、报告期内公司从事的业务情况
公司主营业务分为三大板块，分别是半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半
导体射频芯片。主要产品包括6-12英寸半导体硅抛光片和硅外延片；6英寸SBD（肖
特基二极管）芯片、6英寸FRD（快恢复二极管）芯片、6英寸MOSFET（金属氧化层
半导体场效晶体管）芯片、6英寸TVS（瞬态抑制二极管）芯片及6英寸IGBT（绝缘
栅双极型晶体管）芯片；6英寸GaAs（砷化镓）射频芯片、6英寸VCSEL（垂直共振
腔表面发射激光器）芯片等三大类。三大业务板块产品应用领域广泛，包括5G通信
、汽车电子、光伏产业、消费电子、低轨卫星、智能电网、医疗电子、人工智能、
智能驾驶、物联网、机器人、光通信等终端应用领域。经过二十多年的发展，公司
已经成长为目前国内屈指可数的从硅片到芯片的一站式制造平台，形成了以盈利的
小尺寸硅片产品带动大尺寸硅片的研发和产业化，以成熟的半导体硅片业务、半导
体功率器件芯片业务带动化合物半导体射频芯片产业的经营模式，很好地兼顾了企
业的盈利能力及未来的发展潜力，为公司的持续、快速发展打下了坚实的基矗
1、半导体硅片业务
报告期内，虽然半导体硅片市场下滑，但公司依托技术突破及市场拓展实现逆势增
长。公司12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需
技术节点的图像传感器件和功率器件。产品结构持续优化，大尺寸硅片出货量快速
增长，高附加值产品增加明显。公司继续发挥重掺外延片的技术优势，6-8英寸外
延片出货量占据国内市场前茅。公司半导体硅片业务拥有众多境内外知名客户，其
中12英寸硅片已经进入中芯国际、华虹半导体、重庆润西微电子、芯联集成、合肥
晶合、粤芯半导体、上海积塔、士兰微、青岛芯恩、重庆万国、北京燕东、格科半
导体、杭州富芯、浙江创芯、上海集成电路研发中心、Onsemi、Tower、日本东芝
等客户的供应链。
报告期内，公司半导体硅片实现主营营业收入223,850.45万元（含对立昂微母公司
的销售33,295.69万元），相比上年同期增长24.91%。从销售数量来看，折合6英寸
的销量为1,512.78万片（含对立昂微母公司的销售222.73万片），较上年同期增长
53.68%，其中12英寸硅片销售110.30万片（折合6英寸为441.19万片），较上年同
期增长121.23%。
2、半导体功率器件芯片业务
报告期内，公司充分发挥自身产业链一体化的优势，以不断的技术创新与稳固的技
术合作充分满足客户的多样化需求，进一步丰富产品系列、优化产品结构、拓展优
质客户，围绕光伏与车规两大产品门类，优先扩大沟槽产品销售规模及占比，稳定
提升FRD产品的产销占比，加快IGBT等产品的开发，从而确保了全年功率器件芯片
业务产销量再创历史新高。产品结构中，光伏控制用芯片中高附加值沟槽SBD占比
超50%，电源管理用芯片同比增长51%，FRD芯片销量增长超20%，并作为一级供应商
进入H公司供应链。车规级芯片已批量供应国内外知名汽车厂商，在公司半导体功
率器件芯片营收占比进一步提升。功率器件芯片业务主要客户有：H公司、比亚迪
、台湾半导体、宏微科技、杭州道铭、南通皋鑫等。
报告期内，公司半导体功率器件芯片实现主营营业收入86,245.27万元，相比上年
同期下降16.20%。从销售数量来看，销量为182.40万片，较上年同期增长6.30%。
3、化合物半导体射频芯片业务
射频芯片业务和技术已进入全球第一梯队，射频芯片产品进入低轨卫星终端客户并
实现大规模出货；开发了二维可寻址VCSEL工艺技术，成为行业内首家量产二维可
寻址激光雷达VCSEL芯片的制造厂商。受益于产品技术实现完全突破，射频芯片已
基本覆盖国内主流手机芯片设计客户，国产替代加速；多规格、小批量、多用途、
高附加值的特殊用途产品持续放量。在客户总量、订单数、产能利用率、出货量、
销售额等方面均有大幅度增长，毛利率大幅转正。产品覆盖昂瑞微、唯捷创芯、慧
智微、康希通信、瑞识科技、锐石创芯、禾赛科技、速腾聚创、老鹰半导体等头部
客户，并成功导入手机、汽车等终端供应链。
报告期内，公司化合物半导体射频芯片实现主营营业收入29,541.78万元，相比上
年同期增长115.08%。从销售数量来看，销量为4万片，较上年同期增长123.04%。
四、报告期内核心竞争力分析
1、产业链上下游一体化优势
这是公司在行业内独一无二的优势所在。公司涵盖了包括硅单晶拉制、硅研磨片、
硅抛光片、硅外延片、功率器件芯片及化合物半导体射频芯片等半导体产业链上下
游多个生产环节，贯通了从材料到芯片的全链条技术。公司功率器件芯片制造材料
来源于公司自产硅片，这有利于充分发挥产业链上下游整合的优势，使公司能够从
原材料端就开始进行质量控制与工艺优化，缩短研发验证周期，保障研发设计弹性
，在保证盈利水平的同时抵御短期供需冲击、提升业绩稳定性，利于公司稳健经营
。
2、自主创新的技术优势
公司坚持立足于技术的自主创新，以市场为导向，与客户密切协同，确保研发与市
场紧密结合，快速响应市场需求，以此推动企业高质量发展。半导体硅片产线建立
之初，其硅片生产技术即拥有完全独立的自主知识产权，通过二十余年的技术攻关
与经验积累掌握了包括超低阻重掺硅单晶、轻掺超低氧单晶等单晶生长技术在内的
一系列独有的硅片控制理论和成套工艺技术及技术诀窍，主持或参与制定了半导体
硅材料行业的多项国家标准，拥有数十项发明专利。公司12英寸硅片已覆盖14nm以
上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器
件。轻掺产品不断拓展客户群体，重掺产品和技术继续保持全球领先优势。公司掌
握的光伏和电源用沟槽及平面肖特基二极管芯片、车规级FRD芯片、IGBT芯片制造
技术具有国际先进水平。引进海外技术团队创建了射频集成电路制造技术省级重点
企业研究院，通过吸收消化、创造性地改进与突破，开发了具有国内领先水平的砷
化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺技术、超高线性HBT技术、二维可寻址VCSEL工艺
技术等多项关键核心技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的
制造厂商。创设了自有技术路径，实现了技术创新。
公司及子公司先后承担了包括国家02科技重大专项、国家发改委高技术示范工程、
科技部863计划、工信部集成电路研发专项等在内的十余项国家级重大科研项目，
均已成功通过验收并实现了产业化。取得的科技成果曾荣获国家技术发明二等奖、
浙江省技术发明一等奖、浙江省科学技术一等奖、工信部信息产业重大技术发明奖
、中国半导体创新产品和技术奖等荣誉。截至2024年底，公司拥有85项授权专利，
其中发明专利38项，实用新型专利47项。公司强大的技术储备、丰富的研发经验确
保了自主研发的连续性与有效性，为巩固产业竞争优势、保持行业领先地位提供了
强有力的技术支撑。
3、产业规模优势
二十余年的深耕细作，公司既拥有了从半导体硅片到半导体功率器件芯片的上下游
产业链，还涉足了第二代、第三代化合物半导体芯片生产线。硅片产品类型实现了
从6英寸到12英寸、从轻掺到重掺、从N型到P型等领域全覆盖，功率器件芯片产品
类型包括了从平面到沟槽、从肖特基、MOSFET、TVS到FRD、IGBT等，化合物半导体
射频芯片产品包括了6英寸砷化镓微波射频芯片、VCSEL芯片等，而且各类产品都达
到了较大的产能，半导体硅片、功率器件芯片的产销量名列国内前茅，光伏用控制
芯片占据了全球较高的市场份额。公司产品种类丰富、层次较高且形成了较大的产
销规模，规模效应十分明显。
4、专业人才聚集优势
半导体企业具有人才密集型特征，公司在前期发展中以自有人才的培养与使用为主
，之后开始走引育并举的人才集聚与使用之路，更好地推动公司快速、持续发展。
公司技术研发人员总数达到563人，占员工总人数比例为16.14%，专业涵盖材料科
学、化学、物理、机械、自动化、机电一体化等众多相关学科，主要研发人员具有
在国内外知名半导体企业担任重要技术岗位的从业背景，基本形成了技术专家、技
术骨干、技术后备力量为主体的多层次技术梯队，在技术研发、工艺控制、良率提
升、品质管理等方面具有丰富的经验，具备较强的持续自主研发和创新能力，足以
为公司的技术创新与管理变革提供强有力的人力资源保障。
5、市场竞争力优势
公司始终坚持高品质的标准，在技术上充分满足行业高端客户的要求，已经与众多
头部优质企业建立了长期稳定的供应链关系，在业界形成了较好的品牌效应与强大
的市场竞争能力。产品长期稳定供应中芯国际、华润微、华虹半导体、比亚迪、上
海积塔、芯联集成、士兰微、青岛芯恩、粤芯半导体、昂瑞微、唯捷创芯、慧智微
、康希通信、禾赛科技、速腾聚创、台湾半导体、美国安森美、日本东芝等众多境
内外重要客户，是国内少有的顺利通过博世（Bosch）、大陆集团（Continenta）
、法格等国际一流汽车电子客户的VDA6.3审核认证的企业。高端客户的严苛要求和
持续领先的需求也不断地推动了公司工艺技术、质量管控、经营管理的改进与完善
，进一步增强了公司参与市场激烈竞争的能力，有助于巩固公司产品的市场头部地
位。
五、报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入309,231.66万元，较上年同期增长14.97%，创出历史
新高；剔除利息、折旧摊销等因素的影响后，EBITDA（息税折旧摊销前利润）为63
,669.83万元，较上年同期下降26.56%；实现归属于上市公司股东的净利润-26,575
.71万元，较上年同期下降504.18%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净
利润-26,595.86万元；经营活动产生的现金流量净额为81,096.60万元，较上年同
期下降21.02%。
报告期末，公司总资产1,932,283.05万元，较期初增长5.73%；归属于上市公司股
东的净资产733,773.09万元，较期初下降7.96%。
六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
(一)行业格局和趋势
1、行业竞争格局和发展趋势
2025年，全球经济预计将延续“弱复苏、高波动”的基调。联合国预测2025年全球
经济增长率为2.8%，与2024年持平，主要挑战包括投资疲软、生产率增长乏力、债
务高企以及地缘政治冲突。同时特朗普政府的“美国优先”政策导致关税升级、供
应链成本上升，并推高全球通胀预期。
全球半导体市场在经历2023-2024年周期性调整后，随着AI算力需求爆发、5G通信
渗透率提升、汽车智能化加速，2025年有望迎来“技术驱动型”复苏，据世界半导
体贸易统计组织(WSTS)预测,2025年全球半导体市场规模将达到6,870亿美元,同比
增长12.5%，人工智能算力需求持续增长，AI芯片市场规模预计达1,200亿美元，占
整体市场18%。汽车电子成为关键增长极，随着高度自动驾驶渗透率突破15%，车规
级芯片需求激增40%，碳化硅功率器件市场占比提升至25%。同时，地缘政治驱动全
球半导体供应链加速重构，美国《芯片与科学法案》二期投入380亿美元扩建本土
产能，欧盟通过《芯片法案》推动2030年本土产能翻倍，中国大陆聚焦28nm及以上
成熟制程的自主可控，主要企业产能利用率大幅提升。
半导体硅片市场：半导体硅片市场长期受益于数字化与智能化趋势，在技术迭代方
面，随着5G、AI、高性能计算推动先进制程芯片的需求，带动硅片尤其是大尺寸硅
片持续增长；在新型应用方面，以DeepSeek为代表的生成式AI、自动驾驶、元宇宙
等依赖高端GPU/ASIC芯片，将刺激高纯度硅片需求；在下游应用方面，电动汽车渗
透率的持续提升以及车用芯片数量的激增，推动硅片在MCU、传感器等领域需求。
工业自动化、可再生能源（如光伏逆变器）依赖功率半导体，也将拉动特色工艺硅
片需求。SEMI在其年度硅片出货量预测报告中指出，预计到2027年，硅片出货量将
继续强劲增长，以满足与人工智能和先进制程相关的日益增长的需求。此外，先进
封装和高带宽存储器生产中新应用需要额外的芯片，这导致了对硅片需求的增加。
公司将持续深化大客户战略，整合“市场-技术-生产-品控”全链路协同资源，重
点突破12英寸存储硅片量产技术瓶颈，集中优势资源攻克核心战略客户，加速实现
规模化供应突破。同步拓展逻辑芯片外延领域市场增量，着力推进新客户开发，加
速CIS外延产品与BCD工艺产品在功率器件市场的渗透速度，实现客户结构优化与业
务规模同步扩张。
半导体功率器件市场：功率器件作为电能转化和电路控制的核心器件，下游应用十
分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨
道交通等，根据每个细分领域性能要求的不同（频率、电压、损耗等），选择不同
的功率器件。在光伏方面，据中国光伏行业协会《2024-2025年中国光伏产业发展
路线图》，预计2025年全球光伏新增装机531-583GW，乐观情况下，2025年全球光
伏新增装机同比增长10%。其中中国、欧洲等传统市场阶段性步入平稳增长的时期
，而中东、南亚、非洲等新兴市场正在积极推动能源转型，光伏需求增加显著，将
为2025年全球光伏需求的增长带来持续动能。在电动汽车方面，根据中国汽车工业
协会的数据，2025年全国汽车总销量预计将达到3,290万辆，其中新能源汽车销量
预计达到1,600万辆，同比增长24.4%，新能源汽车的发展已成大势所趋。但与此同
时，新能源汽车不断向高级智能化迭代，所需功能模块增加，芯片数量随之增加。
公司将采取更加积极灵活的销售策略，持续推进产品结构调整，力求在光伏市场实
现更广泛的业务覆盖和更深入的市场渗透，进一步提升现有市场份额。重点强化FR
D、SJMOS、IGBT等汽车和工控领域相关产品的占比提升，保持车规和沟槽电源持续
增长的良好势头。
化合物半导体射频芯片市场：射频前端芯片作为通信设备的核心部件，广泛应用于
智能手机、平板电脑、智能家居以及车联网等领域。随着5G技术的普及和物联网的
快速发展，射频前端芯片的市场需求持续攀升。根据YoeDeveopment的预测，2028
年全球射频前端模组市场规模将达122亿美元，其中智能手机是主要应用终端。随
着中国消费补贴政策的刺激和5G技术的进一步普及发展，中国智能手机市场有望延
续增长趋势。据IDC预测，2025年中国智能手机市场出货量预计将攀升至2.89亿部
，实现同比稳定增长，为射频前端模组市场带来巨大需求。此外，VCSEL芯片在汽
车应用中的采用日益广泛，例如用于自动驾驶的激光雷达，以及增强现实(AR)和虚
拟现实(VR)、机器人、低轨卫星、光通信等新应用的发展为消费电子市场的VCSEL
芯片创造了新的机会。总之，在各种应用需求和持续的技术进步的推动下，射频芯
片市场预计将在未来几年继续以显著速度增长。公司将以跨部门协同机制为支撑，
聚焦客户定制化开发需求，通过定向研发、合作开发等多种形式，加速推进HBT、p
HEMT、VCSEL以及WiFi6/WiFi7射频芯片定制化产品的规模化应用。进一步提升产品
性能、成本及服务竞争力，深化核心客户渗透并稳固重点市场份额。
2、公司面临发展的战略机遇期
集成电路产业是信息产业的核心，是支撑经济社会和保障国家信息安全的战略性、
基础性和先导性产业，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。为鼓励和支
持我国集成电路产业的发展，国家对集成电路的重视程度史无前例，鼓励和扶持政
策持续加码，尤其是2020年最为突出。比如，将集成电路提升为一级学科，来加大
芯片人才的培养力度，将集成电路产业的重要性放在了软件之前，从财税、投融资
、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面对集成电
路产业实现“全覆盖”等。
2000年，国务院下发了《关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通
知》（国发〔2000〕18号），从税收、人才、融资等方面给予优惠政策。2011年初
国务院下发了《关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知
》（国发〔2011〕4号）。
2014年6月，国务院印发了《国家集成电路产业发展推进纲要》，《纲要》明确提
出：集成电路产业是信息产业的核心，是支撑经济社会和保障国家信息安全的战略
性、基础性和先导性产业，当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战
略机遇期和攻坚期。应充分发挥市场优势，营造良好发展环境，激发企业活力和创
造力，带动产业链协同可持续发展，为经济发展方式转变、国家安全保障、综合国
力提升提供有力支撑。
2015年6月，国务院印发了《中国制造2025》发展战略规划，《规划》提出：在关
系国计民生和产业安全的基础性、战略性、全局性领域，着力掌握关键核心技术，
完善产业链条，提升制造业开放发展水平。
2020年7月，国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若
干政策》（国发〔2020〕8号），文件共40条，涉及财税、投融资、研究开发、进
出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面，为进一步优化集成电路
产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量提供
了保障。
2021年3月，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远
景目标纲要》公布，《纲要》中明确指出，将瞄准人工智能、量子信息、集成电路
、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有
前瞻性、战略性的国家重大科技项目，以此来强化国家战略科技力量。
2023年3月，国务院副总理刘鹤在北京调研集成电路企业发展并主持召开座谈会。
刘鹤指出，集成电路是现代化产业体系的核心枢纽，关系国家安全和中国式现代化
进程。我国拥有庞大的芯片消费市场和丰富的应用场景，这是市场经济下最宝贵的
资源，是推动集成电路产业发展的战略性优势。发展集成电路产业必须发挥新型举
国体制优势，用好政府和市场两方面力量。
2023年9月7日，习近平总书记在新时代推动东北全面振兴座谈会上强调，要积极培
育新能源、新材料、先进制造、电子信息等战略性新兴产业，积极培育未来产业，
加快形成新质生产力，增强发展新动能。2023年9月8日，习近平总书记在听取黑龙
江省委和省政府工作汇报时强调，整合科技创新资源，引领发展战略性新兴产业和
未来产业，加快形成新质生产力。产业是生产力变革的具体表现形式。新质生产力
是以新产业为主导的生产力，特点是创新，关键在质优，本质是先进生产力。战略
性新兴产业与未来产业是形成新质生产力的主阵地，战略性新兴产业对新旧动能转
换发挥着引领性作用，未来产业代表着科技创新和产业发展的新方向，二者都是向
“新”而行、向“实”发力的先进生产力质态。我们要围绕发展新质生产力布局产
业链，及时将科技创新成果应用到具体产业和产业链上，加快传统制造业数字化、
网络化、智能化改造，培育壮大战略性新兴产业，布局建设未来产业，推动产业链
向上下游延伸，形成完善的现代化产业体系，为高质量发展持续注入澎湃动能。
2024年1月，工业和信息化部等七部门印发《关于推动未来产业创新发展的实施意
见》，提出把握全球科技创新和产业发展趋势，重点推进人形机器人、高级别智能
网联汽车、元宇宙入口等高潜能未来产业，深入实施产业基础再造工程，补齐基础
元器件、基础零部件、基础材料、基础工艺和基础软件等短板，夯实未来产业发展
根基。
2025年3月，两会《政府工作报告》提出持续推进“人工智能+”行动，大力发展智
能网联新能源汽车、人工智能手机和电脑、智能机器人等新一代智能终端以及智能
制造装备。扩大5G规模化应用，加快工业互联网创新发展，优化全国算力资源布局
，打造具有国际竞争力的数字产业集群。
今后，随着国家各项鼓励政策的落实、“十四五”重点项目的实施，以及5G网络建
设和新能源汽车发展进度加快、“碳达峰、碳中和”目标的提出，预计中国集成电
路产业将继续保持较快的增长态势。
(二)公司发展战略
半导体产业作为技术、资本、人才三重密集型的高端制造领域，既是国民经济与国
家安全的核心战略支柱，更是全球科技竞合的主战常立昂微作为行业为数不多的从
硅片到芯片的一站式制造平台，胸怀“国之大者”，贯通了从材料到器件的全链条
技术，坚定实施“专注主业，自主创新，追求行业领先，跻身国际一流”的发展战
略，深度融入国家半导体产业战略规划，持续强化“半导体硅片+功率器件芯片+射
频芯片”全产业链协同体系，重点突破12英寸硅片先进制程工艺，加速开发车规级
FRD、IGBT模块、光伏控制芯片等功率器件解决方案，同步推进射频前端、碳化硅
基氮化镓等化合物半导体产业化进程，在新能源汽车、人工智能、5G、低轨卫星、
低空经济、机器人等新兴领域形成差异化竞争优势。秉持“专业、敬业、优质、高
效”的经营理念，未来将持续加大特色工艺研发投入，深化产业布局，朝着实现“
致广大而尽精微，做全球半导体供应链的卓越建设者、贡献者”的企业愿景不断迈
进。
(三)经营计划
2025年度公司重点工作计划如下：
1、精准排产，精益管控，释放最大产能。生产端全面贯彻市场导向原则，依托信
息化工具等多种形式打造“智能排产+柔性制造”产能计算系统。通过订单全生命
周期可视化管理与跨职能协同响应机制，贯通硅片、功率器件及射频芯片三大业务
链的生产调度，实现客户全产品线覆盖。重点强化产线全流程监控体系，针对FRD
产品良率优化、12英寸硅片量产工艺固化及pHEMT制程稳定性提升等关键节点，实
施技术攻关，有效突破产能瓶颈。同步推进产品结构优化与库存动态平衡管理，通
过科学排产计划将存量产能转化为实际产出，为实现2025年度出货规模与价值最大
化目标奠定基矗
2、聚力工艺革新，突破技术瓶颈。公司将加大技术研发力度，重点实施产品迭代
攻坚战略，应对日益激烈的半导体行业竞争。硅片业务依托重掺技术优势，借助嘉
兴工厂导入积塔半导体为契机，加速推进12英寸轻掺产品验证进程与量产，实现28
nm制程上有标志性的突破，同步强化重掺Ph/As超低阻产品开发以巩固细分领域优
势地位，持续优化晶体生长与加工工艺，通过流程再造实现良率提升与生产效率倍
增。功率器件业务启动车规级产品全维度对标工程，建立性能参数、质量标准与国
际标杆的动态对齐机制，重点突破FRD结构优化、SJMOS导通损耗及IGBT开关特性等
关键技术，加速车规级器件与沟槽电源产品的迭代开发。射频业务聚焦高频高增益
技术路线，推进低成本工艺研发与材料国产化替代双轨并行，依托海宁基地产线条
件深化异质结外延工艺优化，着力破解pHEMT器件跨导线性度与功率附加效率的技
术耦合难题，通过客户定制化开发实现新技术的量产转化，构建具有代际优势的射
频产品矩阵。
3、构建多元化营销矩阵，抢占品类细分市常面对激烈的市场竞争，构建全员营销
体系，打破部门壁垒，建立市场导向机制，通过跨部门协同，将客户需求转化为全
流程驱动力。深度解析客户技术需求和产品种类，依托现有供方资质，拓展全品类
供应能力，针对战略客户组建专属技术团队实现研销联动，构建“核心产品定制化
+弹性产品组合化”产品体系，提升客户粘性。重点突破12英寸硅片、VCSEL芯片等
高附加值产品市场，实施差异化定价策略：优势产品价值定价、射频产品金价联动
、弱势产品灵活竞争。通过产能满载实现边际效益最大化。优化销售体系结构，实
施区域网格化管理，强化专业销售团队建设，培育具备市场洞察与价值创造力的复
合型人才。围绕技术领先、产能保障、服务增值深化大客户战略，巩固新能源汽车
和5G通信等市场的先发优势，组建海外市场专班推进全球化布局，通过技术绑定与
产能协同构建国际竞争力。
4、多管齐下提质增效。公司构建技术降本、管理控本、能效优本三位一体的成本
控制体系，通过精益生产提升良率与效率，降低单位生产成本。工艺创新聚焦产线
优化与资源整合，在设备利用率、辅材消耗及能源管理等方面实现降本增效。采购
端强化供应链竞价机制，打破单一供应格局，通过持续导入二供三供降低单位采购
成本。生产端实施精准库存管控，优化生产排程，匹配订单节奏，加速在制品周转
并严控不良库存。通过全价值链成本动态优化，打造品质-价格双维竞争优势。
5、强力驱动质量管理体系一体化成效。构建全流程质量预防体系，覆盖研发失效
预防、生产变异控制及供应链溯源，通过24小时质量波动预警系统防范重大质量问
题。推进质量大数据平台建设，实现风险问题智能预判。依托SRM（供应商管理）
系统构建动态供应商评估体系，驱动供应链精益化管理。深化全员质量文化建设，
开展质量案例研讨与技能竞赛，提升质量意识。完善客户质量反馈闭环机制，确保
审核响应与质量改进同步到位，大幅提高客户满意度，将产品可靠性优势转化为客
户信任资产，构建差异化竞争壁垒。
(四)可能面对的风险
（一）行业需求的风险
半导体行业的需求与下游终端应用领域的景气度密切相关。目前，新能源汽车、人
工智能、物联网、机器人等新兴产业的快速发展作为半导体行业新的需求增长点，
为公司半导体硅片、功率器件芯片、化合物半导体射频芯片业务提供了巨大的市场
增长空间。但如果未来半导体行业下游终端应用领域的市场需求出现衰减，将导致
公司主营业务无法保持持续增长，从而导致公司经营业绩出现波动。
公司在经营发展过程中，需要未雨绸缪，运用底线思维，精准把握半导体行业周期
，做好应对行业需求变动的对策，以更好地避免行业需求变动带来的风险。
（二）市场竞争的风险
近年来，受益于通信、计算机、汽车电子、消费电子、光伏新能源、智能电网、医
疗电子等终端应用领域的快速发展以及5G、人工智能、物联网、机器人等新兴产业
的快速崛起，极大地提高了半导体行业的市场景气度，同时西方国家对中国半导体
企业的打压，普及了国人对半导体在中国发展现状的认知，国家及各地政府对半导
体产业扶持政策的相继出台，以及资本市场的驱动，不断吸引新的行业参与者进入
，虽然半导体行业有较高的技术、人才、资金壁垒，不少属于无效或低效进入，但
不加规制，一定程度上还是会导致行业过度竞争，市场竞争环境将会持续加剧。
（三）财务风险
1、存货减值的风险
截至2024年12月31日，公司存货余额157,623.26万元，存货跌价准备29,917.19万
元，存货账面价值较高，存货跌价准备的增加对财务报表影响较为重大。公司所处
行业为半导体行业，产品价格受行业周期性波动的影响较为明显。如行业竞争加剧
，出现产品价格持续大幅波动，公司存货存在减值增加的风险。
2、权益投资的公允价值波动的风险
截至2024年12月31日，公司以公允价值计量的权益投资账面价值为13,681.07万元
，其中10,681.07万元系公司直接持有的上市公司芯联集成、晶升股份的股权对应
的价值，3,000.00万元为公司持有的非上市公司的股权投资对应的价值。若未来宏
观经济、市场环境、产业政策等外部因素发生重大变化，或权益投资标的自身经营
状况发生重大变化，公司将存在权益投资的公允价值发生较大波动的风险。
3、商誉减值风险
截至2024年12月31日，公司合并报表商誉账面价值为4,776.62万元，系公司并购嘉
兴金瑞泓时形成。嘉兴金瑞泓目前的经营状况稳定，报告期内其商誉未发生减值。
若未来宏观经济、市场环境、产业政策等外部因素发生重大变化，对嘉兴金瑞泓的
经营状况造成不利影响，公司将存在商誉减值的风险。
（四）宏观环境风险
受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，半导体行业存在一定的周期性
。由于半导体行业受下游及终端应用市场需求波动的周期性影响，如未来宏观经济
疲软，终端应用市场的需求尤其是增量需求下滑，客户将会减少产品的采购，行业
将面临一定的波动风险。
【4.参股控股企业经营状况】
【截止日期】2024-12-31
┌─────────────┬───────┬──────┬──────┐
｜企业名称 ｜注册资本(万元)｜净利润(万元)｜总资产(万元)｜
├─────────────┼───────┼──────┼──────┤
｜金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司｜ 180000.00｜ -｜ -｜
｜杭州立昂东芯微电子有限公司｜ 21645.44｜ -2628.90｜ 234211.24｜
｜浙江金瑞泓科技股份有限公司｜ 24236.00｜ 9156.54｜ 382363.73｜
｜金瑞泓微电子(衢州)有限公司｜ 552166.00｜ -52516.97｜ 810509.11｜
｜金瑞泓昂扬科技(衢州)有限公｜ 20000.00｜ -｜ -｜
｜司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜海宁立昂东芯微电子有限公司｜ 66600.00｜ -｜ -｜
｜金瑞泓科技(衢州)有限公司 ｜ 130559.93｜ 13692.13｜ 514851.11｜
｜衢州金瑞泓半导体科技有限公｜ 5000.00｜ -｜ -｜
｜司 ｜ ｜ ｜ ｜
｜嘉兴康晶半导体产业投资合伙｜ 75000.00｜ -｜ -｜
｜企业(有限合伙) ｜ ｜ ｜ ｜
｜杭州立昂半导体技术有限公司｜ 500.00｜ -｜ -｜
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