☆公司大事☆ ◇300077 国民技术 更新日期：2025-06-16◇ ★本栏包括【1.融资融券】【2.公司大事】 【1.融资融券】 ┌────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┐ ｜ 交易日 ｜融资余额｜融资买入｜融资偿还｜融券余量｜融券卖出｜融券偿还｜ ｜ ｜ (万元) ｜额(万元)｜额(万元)｜ (万股) ｜量(万股)｜量(万股)｜ ├────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┤ ｜2025-06-｜82461.29｜ 3038.34｜ 3171.41｜ 11.08｜ 0.00｜ 0.00｜ ｜ 12 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ├────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┤ ｜2025-06-｜82594.36｜ 2254.32｜ 3279.12｜ 11.08｜ 1.37｜ 0.02｜ ｜ 11 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ └────┴────┴────┴────┴────┴────┴────┘ 【2.公司大事】 【2025-06-15】 行业追踪|电子存储市场（6月9日-6月15日）：DDR4/16Gb价格环比大幅上涨 【出处】本站iNews【作者】机器人 存储元器件价格上涨会对主营业务为存储芯片的上市公司产生正向业绩影响，反之亦然，此外，需同时关注成本端晶圆价格变动和各企业的产销情况。 本周，电子存储市场价格变动情况如下所示：存储器价格追踪一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位DDR4/16Gb21.52100.002025-6-104.80美元Flash（MLC 64Gb）0.977.832025-6-25.21美元Flash（SLC 2Gb）-0.102.442025-6-20.97美元UFS/128GB0.000.002025-6-107.50美元SSD/256GB（SATA3）0.000.002025-6-1019.80美元eMMC/128G0.005.882025-6-107.20美元 价格指数一定程度上反映了该行业当前的景气指数。 本周存储价格指数追踪异动情况如下：存储价格指数追踪一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位DRAM指数8.9928.482025-6-10654.41--NAND指数0.551.382025-6-10672.36-- 需要关注上游材料价格变化对相关公司的成本影响，上游晶圆价格涨幅过大时，下游终端厂商的成本压力将陡然增加。 本周上游晶圆价格异动情况如下：上游晶圆价格一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位Wafer（256Gb）-0.530.132025-6-21.50美元Wafer（128Gb）-0.51-0.512025-6-21.18美元Wafer（512Gb）-0.44-1.312025-6-22.71美元受电子存储市场价格变化影响的公司一览表股票名净利润（亿元）机构预测年度净利润（亿元）截止日期产品名称产品收入占比（%）产品毛利率（%）兆易创新--16.92--存储芯片64.0539.71北京君正--5.10--存储芯片68.1530.40紫光国微--16.59--集成电路94.1361.97上海贝岭------集成电路产品70.3440.58普冉股份--3.40--集成电路10036.23国科微--1.27--固态存储系列芯片产品55.1112.98澜起科技--20.01--集成电路产品10048.08德明利--5.26--储存产品99.7521.23东芯股份--0.19--集成电路99.9342.09（注：财务数据截止到该公司最新披露的财务报告日期） 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。风险须知：本数据引用第三方信息源，并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-14】 价格前线|6月13日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月13日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价6月13日已涨至6.06美元，当日涨幅3.41%，周涨幅13.21%，月涨幅38.1%。 费城半导体指数(SOX)6月13日已跌至5112.24，当日跌幅2.61%，周涨幅1.47%，月涨幅3.05%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps6.06美元3.41%13.21%38.1%费城半导体指数(SOX)5112.24---2.61%1.47%3.05% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-13】 国民技术MCU+BMS双芯驱动光储充，以智能控制与安全高效赋能能源未来 【出处】国民技术官微【作者】国民技术 随着全球能源结构向清洁化、智能化转型，光伏+储能+充电（光储充）一体化解决方案成为行业热点。在这一领域中，微控制器（MCU）和电池管理系统（BMS）芯片作为核心控制单元，分别承担系统智能化管理和电池安全高效运行的关键任务。国民技术MCU与BMS芯片产品凭借其高性能、低功耗和高检测精度等优势，正推动光储充系统向更高效、更可靠的方向发展。 6月12日，在全球光储融合前沿技术大会上，国民技术市场总监刘亚明与行业专家、用户代表展开深入交流，重点探讨N32系列MCU及 NB系列 BMS AFE产品在光储充领域的应用优势。会议聚焦如何通过高运算性能和高检测精度的芯片技术提升能源管理效率、优化系统运行性能，并打造更安全可靠的用户体验。 N32 MCU：光储充系统的“智慧大脑” 国民技术N32 MCU产品家族已形成完整的32位微控制器产品矩阵，包含38个产品系列、近300款型号，全面覆盖Cortex-M0/M4/M7内核架构，主频范围48 MHz至600 MHz，在业内具有先进的工艺制程、创新性的双核异构构架以及广泛的全栈产品覆盖等优势。 刘亚明在本次演讲中详细解析了国民技术MCU产品在光储充领域的技术优势： 01 高效能源管理，提升系统稳定性 在光储充系统中，能源的高效转换与管理至关重要。MCU通过精准的算法控制，实现光伏MPPT（最大功率点跟踪）优化、电池储能智能管理（BMS）和充电桩动态功率分配。N32 MCU高算力（最高主频600 MHz，性能达1284 DMIPS）、高精度（100 ps超高分辨率PWM输出）和实时响应能力（支持Flash加速单元实现零等待执行程序），确保能源流动更高效，系统运行更稳定。 02 低功耗设计，延长设备续航 光储充系统通常需要7×24小时运行，MCU的低功耗特性可大幅降低待机功耗，可以帮助光储充系统减少能源浪费，提升整体能效。 N32 MCU在低功耗设计方面支持： — 休眠模式唤醒：N32 MCU支持RUN、SLEEP、Stop0、Stop2、Standby、VBAT等工作模式，根据工作场景切换工作模式，减少无效能耗。 — 动态电压调节：可根据负载情况调整MCU运行频率和电压，优化能耗比。 03 高集成度，系统设计更灵活 N32 MCU最大集成了高达4MB Flash存储空间，1.5MB的SRAM空间，便于运行各种高效的能源计量与管理算法，除此之外集成了丰富的外设资源，如ADC、DAC、CMP等模拟外设，内部集成多个UART、USB、CAN/CAN FD和Ethernet等通信接口，让系统设计更灵活。 04 实时响应与安全保护 光储充系统对安全性和实时性要求极高，MCU的实时性与安全性保障了光储充系统的可靠性与智能化。 N32 MCU提供： — 硬件级保护机制：多种芯片内硬件级保护机制、时钟失效监测等故障的快速检测与关断机制。 — 数据加密与安全启动：防止黑客攻击，保障用户数据和设备安全。 NB BMS+N32 MCU芯片协同助力安全高效 国民技术为光储充市场提供完整的芯片级解决方案，通过MCU+BMS芯片协同创新，构建安全高效的能源管理系统。 产品矩阵与技术优势： BMS AFE芯片NB1802：高精度电池监测前端。 — 支持6-18串电芯监控。 — ±1.5 mV电压检测精度（-20 ℃~60 ℃）。 — 350 mA大电流被动均衡，最长90小时离线均衡。 — 1.5 Mbps菊花链通信，支持62颗级联。 — 10路GPIO或模拟输入,支持灵活配置Busbar测量通道。 NBT02：专用桥接芯片，支持环形拓扑通信。 NB1802与NBT02芯片将于年底发布。 广泛的光储充应用案例 大会同期的2025 SNEC国际光伏储能展，国民技术带来了包括关断器、逆变器、集中式架构储能方案、数字电源、交流充电桩以及60KW直流充电桩等光储充用户案例与方案。 光伏关断器应用 主控芯片：N32H474 优势： — 高性能：ARM Cortex-M4F@200 MHz，性能达250 DMIPS ,支持 DSP 指令和 MPU, 支持Flash加速单元实现零等待程序执行。 — 高精度定时器资源：1xSHRTIM (125 ps)、3xATIM(5 ns)、10xGTIM（5 ns/5.56 ns）。 — 高性能模拟：4x12-bit 4.7Msps ADC、8x12-bit DAC、4xPGA、7xCOMP。 — 高安全：支持外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支持安全启动，支持多种硬件加密算法。 应用特点： 主控芯片实时采集电压、电流及温度数据，通过磁耦合器模块（RSM）依据SunSpec协议传输至快速关断器（RSD），触发光伏组件电气解耦，确保30秒内电压降至安全范围。 逆变器应用 主控芯片：1xN32H765+ 2xN32H473 优势： N32H765 —高性能：ARM Cortex-M7@600 MHz，性能达1284DMIPS，双精度浮点运算单元，支持DSP指令和MPU，支持Flash加速单元实现零等待程序执行。 — 高精度定时器资源：2x16-bit SHRTIM (100 ps)、4x16-bit ATIM(3.3 ns)、10x16-bit GTIM、4x32-bit BTIM、5x16-bit LPTIM。 — 高性能模拟外设：3x12-bit 5 Msps ADC（支持16-bit硬件过采样，支持单端和差分模式）、6x12-bit DAC、 4xCOMP。 — 丰富的数字接口：15xU(S)ART、8xCAN FD。 — 高安全：支持外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支持安全启动，支持多种硬件加密算法。 N32H473 — 高性能：ARM Cortex-M4F@200 MHz，性能达250 DMIPS,支持 DSP 指令和 MPU, 支持Flash加速单元实现零等待程序执行。 — 丰富的定时器资源： 3x16-bit ATIM(5 ns)、10x16-bit GTIM、2x32-bit BTIM、2x16-bit LPTIM。 — 高性能模拟外设：4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC、4xPGA、7xCOMP。 — 丰富的数字接口：8xU(S)ART(其中三个UART支持任意I/O映射), 2xCAN FD（任意I/O映射）。 — 高安全：支持外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支持安全启动，支持多种硬件加密算法。 应用特点： 主控MCU实现核心控制功能，包括： — MPPT（最大功率点跟踪） ● 支持4路MPPT，独立优化，适配不同朝向/倾角/阴影遮挡的光伏组串，提升发电效率。 ● 21A大电流输入，兼容182/210大尺寸高效组件，支持1.1倍直流超配，最大化利用组件功率。 — DC/AC转换控制 ● 采用高效IGBT/SiC MOS拓扑，转换效率高达98.6%，降低能量损耗；支持宽电压输入范围（200 V~1000V DC），适应不同光照条件下的组件输出。 集中式架构储能方案 芯片型号： MCU：N32H47x/N32G45x BMS AFE：NB1802 菊花隔离链通信芯片：NBT02 方案特点： — 稳定检测电池包电压和温度。 — 电压精度±1.5 mV(常温)，±3 mV(-40 ℃~125 ℃)；温度精度0.5 ℃~1 ℃。 — 高可靠性菊花链（环状）通信，支持正向/反向唤醒。 — 支持BusBar电压采集（-1 V ~5 V），通道灵活可配。 — 低功耗 Active: 10 mA， Shutdown: 15 uA。 数字电源方案 主控芯片：N32H474 优势： — 高性能：ARM Cortex-M4F@200 MHz，性能达250 DMIPS ,支持 DSP 指令和 MPU, 支持Flash加速单元实现零等待程序执行。 — 高精度定时器：支持12通道125ps超高分辨率相位可调的PWM输出。 — 高集成度外设：4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC、4xPGA、7xCOMP、3xCAN FD。 — 高安全：支持外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支持安全启动，支持多种硬件加密算法。 应用特点： 单芯片实现500-5000W的多相FPC+LLC数字电源控制。 交流充电桩应用 主控芯片：N32G457 优势： — 最优效能成本比：ARM Cortex-M4F@144MHz，性能达180DMIPS，支持Flash加速单元实现零等待程序执行。 — 高集成度：7xU(S)ART、3xSPI（2个支持I2S）、4xI2C,1xUSB2.0、2xCAN2.0。 — 高安全：支持外部高速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支持安全启动，支持多种硬件加密算法。 应用特点： N32G457作为整机控制器，实现充电枪状态检测、功率控制、充电模块温度监测、电量计量、语音播报，并通过4G或以太网将数据上传至服务器。 直流充电桩应用 主控芯片: N32H474 优势： — 高性能：ARM Cortex-M4F@200 MHz，性能达250 DMIPS ,支持 DSP 指令和 MPU, 支持Flash加速单元实现零等待程序执行。 — 高精度定时器资源：支持12通道125 ps超高分辨率相位可调的PWM输出。 — 高集成度外设：4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC、4xPGA、7xCOMP、3xCAN FD 等通信接口。 — 高安全：支持外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制，支持安全启动，支持多种硬件加密算法。 应用特点： — 控制充电启停、预充电（避免电流冲击）、恒流（CC）/恒压（CV）模式切换，确保符合国标。 — 实时高精度调整PWM占空比，精确控制输出电压（200V-1000V）和电流（0-400A）。 — 通过 CAN总线与车辆BMS交互，获取电池SOC、温度、最大允许充电电流等参数，动态调整充电策略。 — 具备过欠压保护、过流保护、绝缘监测、温度保护和急停等功能。 附录：光储充应用MCU推荐型号主要参数对比 【2025-06-13】 国民技术：6月12日获融资买入3038.34万元 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月12日获融资买入3038.34万元，占当日买入金额的19.45%，当前融资余额8.25亿元，占流通市值的6.24%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-1230383411.0031714109.00824612921.002025-06-1122543203.0032791227.00825943619.002025-06-1035082596.0041966008.00836191643.002025-06-0947330885.0052909698.00843075055.002025-06-0634552355.0042207621.00848653868.00融券方面，国民技术6月12日融券偿还0股，融券卖出0股，按当日收盘价计算，卖出金额0元，融券余额258.39万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-120.000.002583856.002025-06-11321539.004694.002600476.002025-06-100.0035130.002278766.002025-06-090.00365560.002376140.002025-06-060.0088023.002712060.00综上，国民技术当前两融余额8.27亿元，较昨日下滑0.16%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-12国民技术-1347318.00827196777.002025-06-11国民技术-9926314.00828544095.002025-06-10国民技术-6980786.00838470409.002025-06-09国民技术-5914733.00845451195.002025-06-06国民技术-7756236.00851365928.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-13】 价格前线|6月12日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月12日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价6月12日已涨至5.86美元，当日涨幅1.49%，周涨幅11.41%，月涨幅34.64%。 费城半导体指数(SOX)6月12日已涨至5249.15，当日涨幅0.32%，周涨幅4.75%，月涨幅6.44%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.86美元1.49%11.41%34.64%费城半导体指数(SOX)5249.15--0.32%4.75%6.44% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-12】 国民技术：6月11日获融资买入2254.32万元，占当日流入资金比例为12.54% 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月11日获融资买入2254.32万元，占当日买入金额的12.54%，当前融资余额8.26亿元，占流通市值的6.21%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-1122543203.0032791227.00825943619.002025-06-1035082596.0041966008.00836191643.002025-06-0947330885.0052909698.00843075055.002025-06-0634552355.0042207621.00848653868.002025-06-0553209933.0061391315.00856309134.00融券方面，国民技术6月11日融券偿还200股，融券卖出1.37万股，按当日收盘价计算，卖出金额32.15万元，占当日流出金额的0.16%，融券余额260.05万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-11321539.004694.002600476.002025-06-100.0035130.002278766.002025-06-090.00365560.002376140.002025-06-060.0088023.002712060.002025-06-050.00592720.002813030.00综上，国民技术当前两融余额8.29亿元，较昨日下滑1.18%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-11国民技术-9926314.00828544095.002025-06-10国民技术-6980786.00838470409.002025-06-09国民技术-5914733.00845451195.002025-06-06国民技术-7756236.00851365928.002025-06-05国民技术-8707127.00859122164.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-12】 价格前线|6月11日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月11日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价6月11日已涨至5.77美元，当日涨幅3.05%，周涨幅11.6%，月涨幅34.02%。 费城半导体指数(SOX)6月11日已跌至5232.53，当日跌幅0.19%，周涨幅3.96%，月涨幅9.45%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.77美元3.05%11.6%34.02%费城半导体指数(SOX)5232.53---0.19%3.96%9.45% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-11】 价格前线|6月10日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月10日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价6月10日已涨至5.60美元，当日涨幅3.44%，周涨幅11.35%，月涨幅31.42%。 费城半导体指数(SOX)6月10日已涨至5242.50，当日涨幅2.06%，周涨幅5.6%，月涨幅17.37%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.60美元3.44%11.35%31.42%费城半导体指数(SOX)5242.50--2.06%5.6%17.37% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-11】 国民技术：6月10日获融资买入3508.26万元 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月10日获融资买入3508.26万元，占当日买入金额的17.90%，当前融资余额8.36亿元，占流通市值的6.30%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-1035082596.0041966008.00836191643.002025-06-0947330885.0052909698.00843075055.002025-06-0634552355.0042207621.00848653868.002025-06-0553209933.0061391315.00856309134.002025-06-0437658351.0046974568.00864490516.00融券方面，国民技术6月10日融券偿还1500股，融券卖出0股，按当日收盘价计算，卖出金额0元，融券余额227.88万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-100.0035130.002278766.002025-06-090.00365560.002376140.002025-06-060.0088023.002712060.002025-06-050.00592720.002813030.002025-06-040.000.003338775.00综上，国民技术当前两融余额8.38亿元，较昨日下滑0.83%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-10国民技术-6980786.00838470409.002025-06-09国民技术-5914733.00845451195.002025-06-06国民技术-7756236.00851365928.002025-06-05国民技术-8707127.00859122164.002025-06-04国民技术-9326192.00867829291.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-10】 价格前线|6月9日费城半导体指数(SOX)异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月9日电子-存储价格出现异动： 费城半导体指数(SOX)6月9日已涨至5136.66，当日涨幅1.96%，周涨幅6.29%，月涨幅15%。 DRAM:DDR4现货平均价6月9日已涨至5.41美元，当日涨幅1.2%，周涨幅7.66%，月涨幅27.06%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅费城半导体指数(SOX)5136.66--1.96%6.29%15%现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.41美元1.2%7.66%27.06% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-10】 国民技术：6月9日获融资买入4733.09万元，占当日流入资金比例为17.86% 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月9日获融资买入4733.09万元，占当日买入金额的17.86%，当前融资余额8.43亿元，占流通市值的6.18%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-0947330885.0052909698.00843075055.002025-06-0634552355.0042207621.00848653868.002025-06-0553209933.0061391315.00856309134.002025-06-0437658351.0046974568.00864490516.002025-06-0333602132.0043536188.00873806733.00融券方面，国民技术6月9日融券偿还1.52万股，融券卖出0股，按当日收盘价计算，卖出金额0元，融券余额237.61万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-090.00365560.002376140.002025-06-060.0088023.002712060.002025-06-050.00592720.002813030.002025-06-040.000.003338775.002025-06-032350.000.003348750.00综上，国民技术当前两融余额8.45亿元，较昨日下滑0.69%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-09国民技术-5914733.00845451195.002025-06-06国民技术-7756236.00851365928.002025-06-05国民技术-8707127.00859122164.002025-06-04国民技术-9326192.00867829291.002025-06-03国民技术-9971578.00877155483.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-09】 国民技术：6月6日获融资买入3455.24万元 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月6日获融资买入3455.24万元，占当日买入金额的16.16%，当前融资余额8.49亿元，占流通市值的6.29%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-0634552355.0042207621.00848653868.002025-06-0553209933.0061391315.00856309134.002025-06-0437658351.0046974568.00864490516.002025-06-0333602132.0043536188.00873806733.002025-05-3060429681.0056838928.00883740789.00融券方面，国民技术6月6日融券偿还3700股，融券卖出0股，按当日收盘价计算，卖出金额0元，融券余额271.21万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-060.0088023.002712060.002025-06-050.00592720.002813030.002025-06-040.000.003338775.002025-06-032350.000.003348750.002025-05-300.000.003386272.00综上，国民技术当前两融余额8.51亿元，较昨日下滑0.90%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-06国民技术-7756236.00851365928.002025-06-05国民技术-8707127.00859122164.002025-06-04国民技术-9326192.00867829291.002025-06-03国民技术-9971578.00877155483.002025-05-30国民技术3458321.00887127061.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-08】 行业追踪|电子存储市场（6月2日-6月8日）：Flash（MLC 64Gb）价格环比小幅上涨 【出处】本站iNews【作者】机器人 存储元器件价格上涨会对主营业务为存储芯片的上市公司产生正向业绩影响，反之亦然，此外，需同时关注成本端晶圆价格变动和各企业的产销情况。 本周，电子存储市场价格变动情况如下所示：存储器价格追踪一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位Flash（MLC 64Gb）1.887.592025-5-265.16美元Flash（SLC 2Gb）0.833.872025-5-260.97美元eMMC/128G0.005.882025-6-37.20美元UFS/128GB0.000.002025-6-37.50美元DDR4/16Gb0.0064.582025-6-33.95美元SSD/256GB（SATA3）0.000.002025-6-319.80美元 价格指数一定程度上反映了该行业当前的景气指数。 本周存储价格指数追踪异动情况如下：存储价格指数追踪一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位DRAM指数2.1918.592025-6-3600.42--NAND指数0.060.802025-6-3668.70-- 需要关注上游材料价格变化对相关公司的成本影响，上游晶圆价格涨幅过大时，下游终端厂商的成本压力将陡然增加。 本周上游晶圆价格异动情况如下：上游晶圆价格一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位Wafer（256Gb）-0.400.672025-5-261.50美元Wafer（512Gb）-0.18-1.412025-5-262.73美元Wafer（128Gb）0.000.002025-5-261.18美元受电子存储市场价格变化影响的公司一览表股票名净利润（亿元）机构预测年度净利润（亿元）截止日期产品名称产品收入占比（%）产品毛利率（%）兆易创新--16.26--存储芯片64.0539.71北京君正--5.11--存储芯片68.1530.40紫光国微--20.57--集成电路94.1361.97上海贝岭------集成电路产品70.3440.58普冉股份--3.40--集成电路10036.23国科微--1.37--固态存储系列芯片产品55.1112.98澜起科技--23.01--集成电路产品10048.08德明利--5.26--储存产品99.7521.23东芯股份--0.19--集成电路99.9342.09（注：财务数据截止到该公司最新披露的财务报告日期） 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。风险须知：本数据引用第三方信息源，并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-07】 价格前线|6月6日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月6日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价6月6日已涨至5.35美元，当日涨幅1.77%，周涨幅6.38%，月涨幅27.56%。 费城半导体指数(SOX)6月6日已涨至5038.06，当日涨幅0.54%，周涨幅5.88%，月涨幅14.86%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.35美元1.77%6.38%27.56%费城半导体指数(SOX)5038.06--0.54%5.88%14.86% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-06】 国民技术：6月5日获融资买入5320.99万元，占当日流入资金比例为16.09% 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月5日获融资买入5320.99万元，占当日买入金额的16.09%，当前融资余额8.56亿元，占流通市值的6.32%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-0553209933.0061391315.00856309134.002025-06-0437658351.0046974568.00864490516.002025-06-0333602132.0043536188.00873806733.002025-05-3060429681.0056838928.00883740789.002025-05-29114067203.0094050842.00880150036.00融券方面，国民技术6月5日融券偿还2.48万股，融券卖出0股，按当日收盘价计算，卖出金额0元，融券余额281.30万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-050.00592720.002813030.002025-06-040.000.003338775.002025-06-032350.000.003348750.002025-05-300.000.003386272.002025-05-29546091.000.003518704.00综上，国民技术当前两融余额8.59亿元，较昨日下滑1.00%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-05国民技术-8707127.00859122164.002025-06-04国民技术-9326192.00867829291.002025-06-03国民技术-9971578.00877155483.002025-05-30国民技术3458321.00887127061.002025-05-29国民技术20699594.00883668740.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-06】 价格前线|6月5日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月5日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价6月5日已涨至5.26美元，当日涨幅1.66%，周涨幅5.75%，月涨幅25.95%。 费城半导体指数(SOX)6月5日已跌至5010.92，当日跌幅0.45%，周涨幅3.1%，月涨幅16.23%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.26美元1.66%5.75%25.95%费城半导体指数(SOX)5010.92---0.45%3.1%16.23% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-05】 国民技术：6月4日获融资买入3765.84万元 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月4日获融资买入3765.84万元，占当日买入金额的21.52%，当前融资余额8.64亿元，占流通市值的6.51%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-0437658351.0046974568.00864490516.002025-06-0333602132.0043536188.00873806733.002025-05-3060429681.0056838928.00883740789.002025-05-29114067203.0094050842.00880150036.002025-05-2864078697.0047996038.00860133675.00融券方面，国民技术6月4日融券偿还0股，融券卖出0股，按当日收盘价计算，卖出金额0元，融券余额333.88万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-040.000.003338775.002025-06-032350.000.003348750.002025-05-300.000.003386272.002025-05-29546091.000.003518704.002025-05-28263984.000.002835471.00综上，国民技术当前两融余额8.68亿元，较昨日下滑1.06%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-04国民技术-9326192.00867829291.002025-06-03国民技术-9971578.00877155483.002025-05-30国民技术3458321.00887127061.002025-05-29国民技术20699594.00883668740.002025-05-28国民技术16385919.00862969146.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-05】 价格前线|6月4日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，6月4日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价6月4日已涨至5.17美元，当日涨幅2.82%，周涨幅7.42%，月涨幅24.87%。 费城半导体指数(SOX)6月4日已涨至5033.35，当日涨幅1.39%，周涨幅4.11%，月涨幅15.55%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.17美元2.82%7.42%24.87%费城半导体指数(SOX)5033.35--1.39%4.11%15.55% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-06-04】 国民技术：6月3日获融资买入3360.21万元 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术6月3日获融资买入3360.21万元，占当日买入金额的19.24%，当前融资余额8.74亿元，占流通市值的6.56%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-06-0333602132.0043536188.00873806733.002025-05-3060429681.0056838928.00883740789.002025-05-29114067203.0094050842.00880150036.002025-05-2864078697.0047996038.00860133675.002025-05-2715305521.0023619673.00844051016.00融券方面，国民技术6月3日融券偿还0股，融券卖出100股，按当日收盘价计算，卖出金额2350元，融券余额334.88万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-06-032350.000.003348750.002025-05-300.000.003386272.002025-05-29546091.000.003518704.002025-05-28263984.000.002835471.002025-05-2732494.0064988.002532211.00综上，国民技术当前两融余额8.77亿元，较昨日下滑1.12%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-06-03国民技术-9971578.00877155483.002025-05-30国民技术3458321.00887127061.002025-05-29国民技术20699594.00883668740.002025-05-28国民技术16385919.00862969146.002025-05-27国民技术-8370956.00846583227.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-03】 国民技术：5月30日获融资买入6042.97万元 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术5月30日获融资买入6042.97万元，占当日买入金额的23.64%，当前融资余额8.84亿元，占流通市值的6.55%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-05-3060429681.0056838928.00883740789.002025-05-29114067203.0094050842.00880150036.002025-05-2864078697.0047996038.00860133675.002025-05-2715305521.0023619673.00844051016.002025-05-2620130272.0019146145.00852365168.00融券方面，国民技术5月30日融券偿还0股，融券卖出0股，按当日收盘价计算，卖出金额0元，融券余额338.63万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-05-300.000.003386272.002025-05-29546091.000.003518704.002025-05-28263984.000.002835471.002025-05-2732494.0064988.002532211.002025-05-2686691.00356136.002589015.00综上，国民技术当前两融余额8.87亿元，较昨日上升0.39%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-05-30国民技术3458321.00887127061.002025-05-29国民技术20699594.00883668740.002025-05-28国民技术16385919.00862969146.002025-05-27国民技术-8370956.00846583227.002025-05-26国民技术761042.00854954183.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-06-01】 行业追踪|电子存储市场（5月26日-6月1日）：DDR4/16Gb价格环比小幅上涨 【出处】本站iNews【作者】机器人 存储元器件价格上涨会对主营业务为存储芯片的上市公司产生正向业绩影响，反之亦然，此外，需同时关注成本端晶圆价格变动和各企业的产销情况。 本周，电子存储市场价格变动情况如下所示：存储器价格追踪一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位DDR4/16Gb3.9564.582025-5-273.95美元Flash（MLC 64Gb）1.896.542025-5-195.06美元Flash（SLC 2Gb）1.374.242025-5-190.96美元UFS/128GB0.000.002025-5-277.50美元SSD/256GB（SATA3）0.000.002025-5-2719.80美元eMMC/128G0.005.882025-5-277.20美元 价格指数一定程度上反映了该行业当前的景气指数。 本周存储价格指数追踪异动情况如下：存储价格指数追踪一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位DRAM指数3.3916.302025-5-27587.56--NAND指数-0.251.402025-5-27668.32-- 需要关注上游材料价格变化对相关公司的成本影响，上游晶圆价格涨幅过大时，下游终端厂商的成本压力将陡然增加。 本周上游晶圆价格异动情况如下：上游晶圆价格一览表（按周涨跌幅幅度排序）品种周涨跌幅（%）月涨跌幅（%）日期价格/数量单位Wafer（256Gb）1.071.072025-5-191.51美元Wafer（512Gb）-0.18-1.272025-5-192.73美元Wafer（128Gb）0.000.942025-5-191.18美元受电子存储市场价格变化影响的公司一览表股票名净利润（亿元）机构预测年度净利润（亿元）截止日期产品名称产品收入占比（%）产品毛利率（%）兆易创新--15.51--存储芯片64.0539.71北京君正--5.10--存储芯片68.1530.40紫光国微--20.57--集成电路94.1361.97上海贝岭------集成电路产品70.3440.58普冉股份--3.40--集成电路10036.23国科微--1.32--固态存储系列芯片产品55.1112.98澜起科技--23.01--集成电路产品10048.08德明利--5.26--储存产品99.7521.23东芯股份--0.19--集成电路99.9342.09（注：财务数据截止到该公司最新披露的财务报告日期） 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。风险须知：本数据引用第三方信息源，并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-05-31】 价格前线|5月30日费城半导体指数(SOX)异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，5月30日电子-存储价格出现异动： 费城半导体指数(SOX)5月30日已跌至4758.06，当日跌幅2.11%，周涨幅1.18%，月涨幅12.48%。 DRAM:DDR4现货平均价5月30日已涨至5.03美元，当日涨幅1.17%，周涨幅10.26%，月涨幅21.44%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅费城半导体指数(SOX)4758.06---2.11%1.18%12.48%现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps5.03美元1.17%10.26%21.44% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-05-30】 国民技术：6月16日将召开2025年第一次临时股东大会 【出处】证券日报网 证券日报网讯 5月30日晚间，国民技术发布公告称，公司将于2025年6月16日召开2025年第一次临时股东大会。本次股东大会将审议《关于公司发行H股股票并在香港联合交易所有限公司主板上市的议案》等多项议案。 【2025-05-30】 国民技术：拟发行H股股票并在香港联交所上市 【出处】证券时报网 人民财讯5月30日电，国民技术(300077)5月30日晚间公告，公司拟通过发行境外上市外资股（H股）股票，申请在香港联交所主板挂牌上市。截至目前，公司正与相关中介机构就本次发行上市的相关工作进行商讨。本次发行上市工作尚需提交公司股东大会审议，并需取得中国证监会、香港联交所和香港证券及期货事务监察委员会等相关政府机构、监管机构备案、批准或核准。 【2025-05-30】 国民技术：5月29日获融资买入1.14亿元，占当日流入资金比例为14.17% 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术5月29日获融资买入1.14亿元，占当日买入金额的14.17%，当前融资余额8.80亿元，占流通市值的6.28%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-05-29114067203.0094050842.00880150036.002025-05-2864078697.0047996038.00860133675.002025-05-2715305521.0023619673.00844051016.002025-05-2620130272.0019146145.00852365168.002025-05-2346970564.0063451253.00851381041.00融券方面，国民技术5月29日融券偿还0股，融券卖出2.21万股，按当日收盘价计算，卖出金额54.61万元，占当日流出金额的0.10%，融券余额351.87万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-05-29546091.000.003518704.002025-05-28263984.000.002835471.002025-05-2732494.0064988.002532211.002025-05-2686691.00356136.002589015.002025-05-2318440.000.002812100.00综上，国民技术当前两融余额8.84亿元，较昨日上升2.40%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-05-29国民技术20699594.00883668740.002025-05-28国民技术16385919.00862969146.002025-05-27国民技术-8370956.00846583227.002025-05-26国民技术761042.00854954183.002025-05-23国民技术-16594357.00854193141.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-05-30】 国民技术连续2日融资买入额增长率超50%，多头加速建仓 【出处】本站iNews【作者】机器人 据本站iFind数据显示，国民技术5月29日获融资买入1.14亿元，连续2日融资买入额增长率超50%，当前融资余额8.80亿元，占流通市值比例为6.28%。融资买入额连续2日大幅增长，说明融资客在加大融资买入。一般融资客判断后续股价有较大涨幅且收益远超融资利息支出时，才会着急连续买入，代表杠杆资金看好后市。回测数据显示，近一年连续2日融资买入额增长率超50%样本个股共有18159个，持股周期两天的单次收益平均值为0.31%。注：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额 （数据来源：本站iFinD）更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-05-30】 价格前线|5月29日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，5月29日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价5月29日已涨至4.97美元，当日涨幅3.26%，周涨幅10.61%，月涨幅20.54%。 费城半导体指数(SOX)5月29日已涨至4860.48，当日涨幅0.54%，周涨幅1.78%，月涨幅15.82%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps4.97美元3.26%10.61%20.54%费城半导体指数(SOX)4860.48--0.54%1.78%15.82% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-05-29】 国民技术：5月28日获融资买入6407.87万元，占当日流入资金比例为18.75% 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术5月28日获融资买入6407.87万元，占当日买入金额的18.75%，当前融资余额8.60亿元，占流通市值的6.44%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-05-2864078697.0047996038.00860133675.002025-05-2715305521.0023619673.00844051016.002025-05-2620130272.0019146145.00852365168.002025-05-2346970564.0063451253.00851381041.002025-05-2246276093.0044292771.00867861730.00融券方面，国民技术5月28日融券偿还0股，融券卖出1.12万股，按当日收盘价计算，卖出金额26.40万元，占当日流出金额的0.07%，融券余额283.55万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-05-28263984.000.002835471.002025-05-2732494.0064988.002532211.002025-05-2686691.00356136.002589015.002025-05-2318440.000.002812100.002025-05-2216898.00166566.002925768.00综上，国民技术当前两融余额8.63亿元，较昨日上升1.94%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-05-28国民技术16385919.00862969146.002025-05-27国民技术-8370956.00846583227.002025-05-26国民技术761042.00854954183.002025-05-23国民技术-16594357.00854193141.002025-05-22国民技术1840024.00870787498.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 【2025-05-29】 价格前线|5月28日DRAM:DDR4现货平均价异动提示 【出处】本站iNews【作者】数探 据本站iFinD数据显示，5月28日电子-存储价格出现异动： DRAM:DDR4现货平均价5月28日已涨至4.81美元，当日涨幅2.06%，周涨幅8.72%，月涨幅16.73%。 费城半导体指数(SOX)5月28日已跌至4834.42，当日跌幅0.55%，周涨幅0.66%，月涨幅14.14%。品种当日数据单位当日涨跌幅周涨跌幅月涨跌幅现货平均价:DRAM:DDR4 16Gb(2Gx8)2666 Mbps4.81美元2.06%8.72%16.73%费城半导体指数(SOX)4834.42---0.55%0.66%14.14% 存储产业链 存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀等设备；中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；下游为消费电子和汽车电子等应用领域。成本构成来看，设计环节占成本30%，制造环节占成本40%，封测环节占成本30%。【炒股高手都在悄悄布局！点击加入商品情报群，抓住下一个暴涨品种！→ 点击加入限时免费群】风险须知：本数据引用第三方信息源，现货行情价格当日可能多次更新；本站并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。 【2025-05-28】 国民技术：5月27日获融资买入1530.55万元 【出处】本站iNews【作者】两融研究 本站数据中心显示，国民技术5月27日获融资买入1530.55万元，占当日买入金额的11.15%，当前融资余额8.44亿元，占流通市值的6.41%，低于历史50%分位水平。交易日期融资买入额融资偿还额融资余额2025-05-2715305521.0023619673.00844051016.002025-05-2620130272.0019146145.00852365168.002025-05-2346970564.0063451253.00851381041.002025-05-2246276093.0044292771.00867861730.002025-05-2125562421.0036442896.00865878408.00融券方面，国民技术5月27日融券偿还2800股，融券卖出1400股，按当日收盘价计算，卖出金额3.25万元，占当日流出金额的0.02%，融券余额253.22万，超过历史70%分位水平。交易日期融券卖出额融券偿还额融券余额2025-05-2732494.0064988.002532211.002025-05-2686691.00356136.002589015.002025-05-2318440.000.002812100.002025-05-2216898.00166566.002925768.002025-05-210.0016863.003069066.00综上，国民技术当前两融余额8.47亿元，较昨日下滑0.98%，两融余额低于历史50%分位水平。交易日期证券简称融资融券变动融资融券余额2025-05-27国民技术-8370956.00846583227.002025-05-26国民技术761042.00854954183.002025-05-23国民技术-16594357.00854193141.002025-05-22国民技术1840024.00870787498.002025-05-21国民技术-10958826.00868947474.00说明1：融资余额若长期增加时表示投资者心态偏向买方，市场人气旺盛属强势市场，反之则属弱势市场。说明2：买入金额=主动买入特大单金额+主动买入大单金额+主动买入中单金额+主动买入小单金额。 更多两市融资融券请查看融资融券功能>> 免责声明：本信息由本站提供，仅供参考，本站力求 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