投资者提问：

原子级制造目前主流的技术为原子层刻蚀ale和原子层沉积ald，而臭氧在ale和ald中均发挥了重要作用。公司作为国内半导体臭氧设备的领先企业，能否分别介绍一下臭氧在原子层刻蚀ale和原子层沉积ald的技术原理有何不同？

董秘回答(国林科技SZ300786)：

尊敬的投资者，您好。二者核心差异是作用相反，且均依托自限性循环：臭氧在 ALD 中作氧前驱体，与 TMA 等反应沉积单原子层氧化物薄膜；在 ALE 中作氧化剂，氧化基底表面原子后剥离，实现单原子层刻蚀。感谢您的关注。