10月30日，中微公司发布2025年第三季度报告。

图源：中微公司

2025年前三季度营业收入达到80.63亿元，同比增长46.40%，归母净利润为12.11亿元，同比增长32.66%。其中刻蚀设备收入61.01亿元，同比增长约38.26%，LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长约1332.69%。

研发方面，中微公司重视核心技术的创新,在开发、设计和制造设备的过程中,始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入，已获授权专利1967项，获100+知名荣誉奖项。

2025年前三季度公司研发支出25.23亿元,较去年同期增长约63.44%，研发支出占公司营业收入比例约为31.29%,远高于科创板上市公司的平均研发投入水平。

得益于工艺成熟以及AI在产品开发中的运用，中微公司今年新品研发及推出市场的节奏提速。在今年第三季度举行的第十三届半导体设备与核心部件及材料展上，中微公司宣布推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺。

业务介绍上，中微公司表示，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升,先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。

其中CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升,下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。

ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。

公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD 等多款薄膜设备已经顺利进入市场，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。

公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。

在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，已陆续付运至客户端开展生产验证。

项目方面，今年10月，中微公司成都研发及生产基地暨西南总部项目正式开工，西南地区战略布局全面启动。

中微公司指出，随着广州和成都研发及生产基地建设的陆续启动，中微公司未来厂房总面积将达到75万平方米，以应对全球半导体设备市场持续增长的需求。

中微公司表示，公司坚持“五个十大”的企业文化,持续践行三维发展战略，聚焦集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域的应用并积极探索其他战略新兴领域的发展机会，保持高速、稳定、健康和安全的发展，立志成为国际一流的半导体设备和高科技领先企业!