近日，长江存储科技有限责任公司正式启动第三工厂建设。该项目注册资本达 207.2 亿元，明确规划 “100% 采用国产半导体设备”。

受 2022 年美国对华半导体设备出口限制影响，长江存储曾面临 ASML、应用材料等国际厂商的设备供应受阻问题，二期工厂原定 10 万片 / 月的产能目标最终缩减至 4-5 万片 / 月。

在此背景下，长江存储加速与国产设备商的技术协同，于 2025 年下半年启动首条全国产化试产线，也成功验证了国产设备全流程适配的可行性。

目前，长江存储已与北方华创、中微公司、拓荆科技等多家国产设备供应商展开深度合作，订单覆盖光刻、刻蚀、沉积、清洗等芯片制造全流程。

产能扩张方面，长江存储第三工厂规划月产能达10万片，预计2026年建成投产。工厂建成后，长江存储总产能将达30万片/月。

数据显示，长江存储全球市场份额已从 2021 年的 2.7% 提升至 2025 年一季度的 8.1%，三期工厂投产后，其目标将进一步冲击 15% 的市场份额，届时中国有望在全球 NAND 市场占据更高份额，或具备核心产品定价影响力，增强中国存储芯片产业的国际话语权。

不过行业分析师也指出，项目仍面临挑战：国产设备初始良率较国际大厂低 15%-20%，设备单价高 30%，需通过规模化生产与工艺优化实现成本与性能平衡。

未来随着长江存储三期工厂的投产，国内高端存储芯片 30% 的产能缺口将得得到进一步填补，为中国半导体产业自主可控构建坚实基础。