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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“改善HCI效应的半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121057280A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善HCI效应的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供基底，包括依次叠置的半导体衬底、衬底氧化层和硬掩膜层；半导体衬底中形成有与栅极位置相对应的浅沟槽；刻蚀去除衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的端部，刻蚀后衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的侧面内缩形成凹坑，凹坑开口与硬掩膜层表面相交；填充浅沟槽得到隔离层，衬底氧化层和隔离层于凹坑位置合围形成孔洞；去除硬掩膜层，在孔洞与硬掩膜层相交位置形成缺口，通过缺口使得孔洞与外部环境连通；在衬底氧化层表面沉积形成栅极材料层，沉积时栅极材料沿缺口进入孔洞，填充形成控制栅极体。其制备流程简单，能够改善器件的热载流子效应，延长器件寿命。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目632次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1444条，此外企业还拥有行政许可22个。

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