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国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121038309A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过在沟槽内沉积第一光刻胶层的方式，实现利用光刻胶层在沟槽内定义出隔离衬底和源极多晶硅的第一介质层的具体位置，而后便可利用一步源极材料层的沉积、光刻和刻蚀工艺，便可同步在源引出沟槽和栅沟槽内形成源极多晶硅，简化了呈上下结构的SGT器件的制造流程，避免了多次沉积多晶硅造成的晶圆发生翘曲和导电插塞功能异常的问题，并进一步降低了呈上下结构的SGT器件的制造成本。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1720次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息761条，此外企业还拥有行政许可43个。

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