下面的表格整理了其核心特点与技术现状，帮助你快速了解。
特性维度 具体内容 技术优势 / 现状
基本定位 新型非易失性存储器技术芯片 断电后数据不丢失，同时兼顾高速读写
核心技术 垂直结构（3D沟槽）+ 铪基铁电材料（HfZrO） 突破集成度瓶颈，与现有芯片制造工艺兼容性好
关键性能 - 读写速度：极高（达2ns/5ns）
- 数据保持：175℃高温下可稳定10年
- 存储密度：较传统FeRAM提升3倍以上 接近DRAM的速度，适用于汽车电子等恶劣环境
应用场景 人工智能、物联网（IoT）、边缘计算、高安全性芯片、智能卡、工业控制等 满足对速度、功耗、可靠性有严苛要求的领域
商业化进展 已形成销售，但目前占公司整体营收比例较低 技术已得到市场验证，正处于规模化应用初期
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