XD华润微(SH688396)
技术互补与市场重构的可能性第三代半导体的技术授权与合作
华润微在 SiC/GaN 领域的专利优势可弥补安世的技术短板。例如,华润微的 SiC 衬底制备专利(如化学气相沉积工艺)若授权给安世,可帮助其突破荷兰资产冻结带来的产能瓶颈;而安世在车规级封装测试领域的专利(如超薄晶圆封装技术)可提升华润微第三代半导体器件的可靠性,双方在车规模块领域存在技术协同空间。产能与供应链的交叉整合
华润微的重庆 12 英寸产线可承接安世受地缘政治影响的车规订单,利用其自主设备(如刻蚀机、离子注入机)实现产能替代;安世的东莞工厂可通过技术改造(如引入华润微的 SiC 外延专利)提升第三代半导体产能,缓解全球 SiC 器件供应紧张华润微电子。此外,双方在封装测试领域的专利互补(如华润微的 SiP 封装与安世的铜夹片绑定)可联合开发高功率密度车规级模块,满足 800V 高压平台需求。标准制定与生态共建
华润微在 SiC/GaN 领域的标准制定话语权与安世在成熟工艺领域的市场地位结合,可推动功率半导体行业标准的统一。例如,双方可联合制定车规级 SiC MOSFET 与 IGBT 的混合封装标准,整合华润微的 SiC 技术优势与安世的封装专利,形成具有全球竞争力的技术方案。注:此文仅代表作者观点
