GaN(氮化镓)器件在机器人关节电机驱动中核心优势是高频、高精度与极致功率密度。GaN提升开关频率可以大幅降低电流纹波与转矩脉动，并显著提升机器人运动平滑度与定位精度，GaN功率器件有望给人形机器人带来革命性的突破:

(1)损耗大幅降低:氮化镓功率器件具有极低的导通电阻，在相同的工作条件下，其导通损耗相较于硅基MOSFET可降低50%-70%;

(2)小型化设计:据Innoscience的实际测试显示(下同)，采用GaN后关节驱动板体积缩减约50%;

(3)系统更可靠:在相同散热条件下，GaN器件温度比Si方案低23℃以上:在18A以下相电流时，集成GaN方案可无需散热器，极大减小系统体积;

(4)功率密度更高:分立GaN方案最大输出电流有效值比Si方案提升3.5A，GaN可支持更高负载电流，轻松实现更高功率密度

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