北方华创(SZ002371)

国产半导体设备新突破，便宜大碗的自主存储芯片真要来了？

原创 AMPEXIUM AMP实验室

2025年12月10日 07:02 广东 根据瑞银（UBS）近期发布的一份报告，中国半导体设备领军企业北方华创（NAURA）在关键的深孔刻蚀技术上取得了重大进展。北方华创成功攻克了 90:1 高纵横比（HAR）深孔刻蚀技术，这为国内存储芯片厂商实现300层以上3D NAND闪存的制造奠定了设备基础。

3D NAND技术是当前存储芯片提高密度的核心路径，厂商通过不断堆叠存储单元层数来提升容量。随着层数从128层迈向200层乃至300层，对制造工艺的要求也达到了极致。

芯片制造商需要在数微米厚的多层材料中，垂直打出直径仅几十纳米的“通孔”，以连接各层存储单元。当层数达到300层以上时，所需的深宽比（即深度与直径之比）将达到90:1或更高。深孔刻蚀正是实现这一目标的最苛刻工艺之一，长期以来由美国泛林（Lam Research）和日本东京电子（TEL）等国际巨头主导。

在美国对华实施半导体设备出口管制、先进存储设备禁运的背景下，国内存储厂商对核心设备的国产化需求已上升为“必选项”。北方华创此次的技术突破，正是在这一战略关键期的重要进展。

值得一提的是，国内另一家刻蚀设备龙头中微公司此前也已宣布具备90:1深孔刻蚀能力，并正在加速攻克100:1技术，显示出国内设备厂商在这一领域整体的奋起直追态势。

瑞银分析指出，如果北方华创的90:1刻蚀设备能顺利获得国内NAND晶圆厂的订单，预计将为公司打开数亿乃至数十亿美元的新增市场空间。同时，由于国内逻辑芯片厂商对先进制程设备的需求持续旺盛，北方华创来自逻辑客户的收入也有进一步增长潜力。

基于对市场需求的乐观判断，瑞银已将北方华创2026年和2027年的晶圆厂设备（WFE）收入预测分别上调1%和8%。

事实上，北方华创的业务布局已覆盖多个高增长领域。公司近期在投资者互动平台上透露，随着 HBM（高带宽内存）市场需求的爆发，公司在HBM芯片制造领域已形成完整的解决方案。这包括深硅刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、电镀等多款核心设备。

面对投资者关于“美系设备断供下订单情况”的提问，北方华创回应称，目前公司在存储设备和成熟制程设备方面的订单保持良好态势，产品已广泛应用于国内主流芯片厂商的生产线。

当前，AI、云计算等新兴应用正在推动存储芯片进入新一轮扩产周期，行业供需缺口明显。据业内预测，2025 年至2027年全球HBM产能将增长超过300%。中国作为全球最大的存储芯片消费市场，本土制造的迫切需求为北方华创等国产设备商带来了历史性的发展机遇。

此次突破，使得国内存储芯片厂商在关键设备采购上拥有了可靠的本土选项，极大地降低了外部管制带来的风险。配合中微公司的同步进展，国产刻蚀设备正在形成强大的集群效应，这对于存储器产业实现自主可控具有里程碑意义。目前国内市场对存储芯片的依赖度，仍以韩国的三星和 SK 海力士为主，美光也占据重要地位，有大量的市场等待开拓。当下国产DRAM占据全球市场份额仅3~5%，而NAND闪存领域也不过是5~8%。而我国是全球云计算和 AI 基础设施增长最快的市场之一，对高性能服务器内存的需求巨大，同时也是全球最大的智能手机和 PC 制造及消费市场，对DRAM的需求占比预估为30~40%。随着数据中心和 PC 市场对固态硬盘的需求增加，NAND闪存的需求量持续攀升，在手机存储上也需要大量的UFS存储芯片，因此对NAND闪存的产能需求同样巨大，占全球产能1/3左右。而若要实现国产设备存储全面自主化，这些待开拓的市场价值超过三千亿元，这对于我们的企业既是机会也是挑战。希望我们的存储芯片企业能够抓住这次机会，趁上行期好好扩充产能，为全面自主添砖加瓦。