芯联集成发布的碳化硅G2.0技术平台在多个核心领域实现了重大突破，主要体现在以下几个方面：
核心突破点1. 器件结构与工艺制程双重优化碳化硅G2.0技术平台通过器件结构和工艺制程的双重优化，实现了高效率、高功率密度、高可靠三大核心目标。该平台采用8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平[citation:11][citation:12]。
2. 电驱领域突破在电驱应用场景中，碳化硅G2.0电驱版凭借更低的导通损耗和优异的开关软度，功率密度提升20%。这一突破显著增强了新能源汽车主驱系统的动力输出与能效表现，为整车续航提升提供关键支撑[citation:11][citation:21]。
3. 电源场景创新在电源应用场景中，碳化硅G2.0电源版针对性优化了寄生电容设计，通过封装优化强化散热，开关损耗降低高达30%。同时兼具强化的动态可靠性设计，实现电源转换效率与系统功率密度大幅提升[citation:11][citation:21]。
技术优势应用场景全面覆盖该技术平台全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用于新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等广阔市场。特别在AI数据中心电源领域，完美适配SST、HVDC等高端电源需求[citation:12][citation:22]。
制造工艺领先采用8英寸制造技术，相比传统6英寸工艺，在成本控制和性能提升方面具有显著优势。芯联集成是全球少数实现8英寸碳化硅量产的企业之一，技术实力达到国际先进水平[citation:14]。
市场意义双重市场机遇碳化硅G2.0技术平台将极大助力客户把握新能源电气化与AI算力建设双重机遇。随着新能源汽车渗透率提升和AI数据中心需求爆发，该平台有望在两大高增长市场中占据重要地位[citation:21][citation:22]。
国产替代加速作为国内碳化硅技术领军企业，芯联集成的这一突破进一步推动了国产碳化硅技术的自主可控进程，为国内新能源和AI产业提供关键芯片支撑[citation:14][citation:25]。
这一技术平台的发布标志着芯联集成在碳化硅领域的技术实力达到新高度，有望在未来的市场竞争中建立更强的差异化竞争优势。