晶合集成(SH688249) 截至2025年8月，晶合集成整体专利信息达1197条，但暂无公开数据明确区分其中存储芯片相关专利的具体数量；不过2024 - 2025年该公司密集获得多项存储芯片相关核心发明专利，以下是其中较重要的几项：
1. 嵌入式RRAM结构、阻变存储器及其制备方法：2025年8月授权，通过改变阻变存储单元电极板方位，兼容现有MOS制程，让阻变存储器整体更紧凑，且读写速度比同等条件下现有技术更快，可靠性和可操作性强，还有较高制作良率。
2. 一种非易失性存储器结构及其制备方法：2025年2月授权，设计特殊凹部结构搭配隧穿氧化层与浮栅层，增多电流隧穿通道控制面，强化栅极对电流隧穿通道的控制，有效减少存储器漏电问题，提升工作稳定性。
3. 多次可编程存储器的单元结构及其制作方法：2024年12月授权，其设计的存储单元结构无需额外隧穿区域，缩小了多次可编程存储器单元尺寸，满足小尺寸化需求，同时能避免制作时侧墙被刻蚀破坏，保障存储器性能。
4. 一种非易失性存储器的制备方法：2024年11月授权，通过等向性蚀刻形成凹部，后续制备的栅极与衬底间形成多个电流隧穿通道控制面，既提升栅极控制能力、减少漏电，还能提高非易失性存储器的饱和电流。
5. 2T - eFlash结构及形成方法：2025年10月28日新获授权，作为闪存相关核心技术专利，2T（双晶体管）架构常用于提升闪存存储单元的稳定性与读写效率，该专利的落地有望助力其在嵌入式闪存领域的技术突破。
6. 用于SRAM分析的模型生成方法：2025年11月授权，SRAM是核心静态存储芯片类型，该专利聚焦SRAM分析模型构建，可为SRAM芯片的性能优化、故障排查提供技术支撑，对提升SRAM相关产品研发效率意义重大。