2月24日，美股磷化铟衬底公司AXTI大涨23%，股价创历史新高。公司订单饱满，当前客户需求单已延伸至2027年。
（1）需求端
磷化铟是800G/1.6T光模块关键衬底材料，如英伟达Quantum-X交换机单台配备18个硅光引擎，均使用磷化铟衬底。
（2）供给端
磷化铟衬底扩产周期长达2-3年，短期难以响应爆发式需求；机构预计2026年供需缺口将达到70%。
（3）价格端
2英寸衬底2300美元/片，较去年同期上涨187%；6英寸衬底5000美元/片，较去年同期上涨250%。
二. 磷化铟概览半导体材料按代际划分为三代：第一代硅、锗；第二代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）；第三代碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）。
磷化铟是由铟和磷组成的IIIA-V族化合物半导体，其物理特性完美匹配光通信的低损耗与毫米波通信的高频需求：
（1）直接带隙结构：带隙宽度完美匹配光纤通信低损耗传输，可高效实现光电转换，用于高速光模块（DFB/EML激光器、光电探测器、调制器）。
（2）高电子迁移率、高饱和漂移速度：支持100GHz以上超高频信号处理，主要用于射频器件（激光雷达、毫米波雷达、卫星通信前端）。
但磷化铟产业当前也存在短板：成本高（铟是稀缺金属）、制备难度大（大尺寸晶圆量产难度极高、晶体脆性大导致良率较低）。
三. 制备工艺及流程两大核心环节：单晶衬底制备（核心技术壁垒）、外延片制备（决定器件性能）。
3.1 衬底制备
（1）多晶合成：高纯铟和磷在高压炉中反应生成磷化铟多晶锭。
（2）单晶生长：主流工艺为LEC法（液封直拉）和VGF法（垂直温度梯度凝固） ，生成2-6英寸衬底。
（3）衬底加工：切割、研磨、抛光、清洗、检测、封装等工序。
3.2 外延片制备
外延片是在磷化铟衬底上，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在晶圆表面生长出多层薄膜，形成量子阱、有源区等结构，决定器件性能。
四. 全球供应格局4.1 InP衬底
磷化铟衬底作为核心壁垒环节，呈现高度垄断格局，全球90%产能集中在三家企业：日本住友、美国AXTI、日本JX金属。
国内方面，2-4英寸已实现大规模量产，北京通美、云南鑫耀等少数厂商突破6英寸衬底技术。
云南锗业：锗产业链龙头企业，持有云南鑫耀56.3%股份，其为国内最大磷化铟衬底供应商，已实现6英寸InP衬底量产。
有研新材：承担国家02专项6英寸磷化铟单晶片制备项目，2-4英寸InP衬底已小批量生产，6英寸InP衬底完成技术攻关与样品试制。
4.2 InP外延片
外延片市场分为IDM和代工厂：IDM厂包括Coherent、住友电工、三菱电机等，代工厂包括IQE、Epitaxy、全新光电等。
跃岭股份：主营铝合金车轮，参股公司中石光芯（持股10.89%）主营磷化铟外延片、光芯片。
三安光电：主营化合物半导体与器件，包括氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟外延片、芯片。
云南锗业(SZ002428)有研新材(SH600206)菲利华(SZ300395)