中国振华(集团)科技股份有限公司增资嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
可行性研究报告
信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司
二〇二一年十二月
I
目 录
第一章 项目概况 ...... 1
一、 项目背景 ...... 1
（一）MOSFET在民品中应用 ...... 2
（二）MOSFET在JG上应用 ...... 2
二、 项目简介 ...... 3
三、 投资主体与标的公司 ...... 3
（一）投资主体-振华科技 ...... 3
（二） 标的公司-奥罗拉 ...... 4
第二章 奥罗拉的产品与业务 ...... 10
一、 产品与生产组织方式 ...... 10
（一）产品体系 ...... 10
（二）产品研发方式 ...... 12
二、 技术研发 ...... 13
（一）主要技术 ...... 13
（二）技术团队 ...... 14
（三）知识产权及集成电路布图 ...... 15
三、 现有客户结构及主营业务 ...... 17
（一）技术服务 ...... 17
（二）芯片销售 ...... 17
第三章 项目投资方案 ...... 19
一、投资总额 ...... 19
二、投资方式 ...... 20
三、资金来源 ...... 20
四、资金用途 ...... 20
第四章 市场分析 ...... 21
一、市场状况、技术水平及发展趋势 ...... 21
（一） 国际市场状况、技术水平及发展趋势 ...... 23
II（二） 国内市场状况、技术水平及发展趋势 ...... 25
二、 竞争环境与行业集中度 ...... 27
（一） 国外企业 ...... 28
（二） 国内企业 ...... 28
第五章 项目必要性和可行性 ...... 30
一、项目必要性分析 ...... 30
（一）是打破国际技术封锁，保障国家基础战略产业发展的需要.... 30
（二）日益增长的市场需求 ...... 31
（三）是振华科技完善产品体系，实现转型升级的需要 ...... 31
二、项目可行性分析 ...... 33
（一）行业发展有良好的政策支撑 ...... 33
（二）奥罗拉具备打破国外技术封锁、参与国际竞争的技术实力.... 34
（三）振华科技具备推动奥罗拉业务发展的管理基础和资金实力.... 34
第六章 项目效益评价 ...... 36
一、经营业经预测 ...... 36
（一）预测期限 ...... 36
（二）总成本费用估算 ...... 36
（三）收入、税金及附加、利润及其分配 ...... 37
二、效益评价 ...... 38
第七章 增资后经营管理 ...... 40
一、发展思路 ...... 40
二、着力提升核心技术竞争力 ...... 40
三、着力加大人才招募和激励 ...... 40
四、着力提升管理水平 ...... 41
五、着力拓宽市场渠道 ...... 41
第八章 项目风险分析及对策 ...... 42
一、市场开拓风险 ...... 42
（一）风险描述 ...... 42
（二）对策 ...... 42
III二、人才流失风险 ...... 42
（一）风险描述 ...... 42
（二）对策 ...... 43
三、技术研发风险 ...... 43
（一）风险描述 ...... 43
（二）对策 ...... 44
四、运营管理风险 ...... 44
（一）风险描述 ...... 44
（二）对策 ...... 44第九章 项目结论.............................................................................................................................................. 46
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第一章 项目概况
一、 项目背景
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），是一种典型半导体器件结构，具有高频、驱动简单、抗击穿性好的特性，作为功率半导体器件已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使用以实现特定功能。MOSFET属于半导体领域中的功率半导体器件分类，是实现高效电能利用、智能电机控制的核心部件，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩等领域，保持稳定增长，特别在节能环保发展趋势下，超低能耗高可靠性的半导体功率器件将迎来更大的市场空间。随着半导体理论和工艺技术发展，近年来MOSFET发展出沟槽型MOSFET(Trench MOS)、超结MOSFET(Super Junction MOS )和屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOS )。沟槽型MOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点；超结MOSFET特别适用于 500V~900V 高压应用领域，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，目前主要用在高端电源管理领域；屏蔽栅沟槽型MOSFET打破了普通 MOSFET的“硅限”，特别适用于 30V~300V 电压应用领域，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。
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（一）MOSFET在民品中应用
半导体分立器件作为基础性电子元器件，MOSFET是国家鼓励发展的功率半导体器件，随着我国“双碳战略”的提出和新能源市场的发展，国内市场即将开始爆炸性增长。近年来，随着国民经济的快速发展及产品技术工艺的不断突破，MOSFET 器件应用领域有了较大幅度的扩展。目前，半导体功率器件的应用范围已从原有的工业控制和4C产业（计算机、通信、消费类电子产品和汽车），逐步扩展到新能源汽车/充电桩、光伏新能源、物联网、智能装备制造等新兴领域。而且，受益于国际半导体产业制造环节的转移、国家产业政策的大力扶持以及下游行业快速发展的需求拉动，我国半导体功率器件市场容量将保持持续稳定的增长态势。此外，随着本土半导体功率器件产品技术水平和质量品质不断提升，半导体功率器件进口替代效应将日益显性。
（二）MOSFET在JG上应用
MOSFET广泛使用在模拟与数字电路，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，MOSFET作为新型半导体功率器件的代表，已成为整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品。随着新一代WQZB功能性能不断提升，高性能、高可靠ZB使用已从地面延伸至星载、箭载、弹载、机载、核电等应用领域。由于目前国际局势紧张程度日益加剧，自2012年起，英、美等多个国家联合签署的瓦森纳协议、北约条例等文件已正式陆续施行，绝大部分核心器件已无法实现进口
3
采购。以抗辐照MOSFET器件最为典型，该类器件使用范围基本涵盖了所有的航天、空间、核领域及型号，目前均已全部受到国外禁运，而国内现有产品品种较少，无法满足ZB使用需求，急需开展相关技术研究，掌握核心关键技术，实现产品自主可控研制。一旦成功，不仅会为企业带来新的经济增长点，提升自身技术能力和行业地位，更是能够进一步缓解ZB核心元器件配套困难的窘迫局面，为我国国防技术提升及战略储备作出贡献。
二、 项目简介
中国振华（集团）科技股份有限公司（以下简称振华科技）拟自筹资金1,800万元人民币，以现金出资方式对嘉兴奥罗拉电子科技有限公司（以下简称奥罗拉）进行增资。投资主要用于奥罗拉技术研发和补充其经营流动资金。振华科技将持有奥罗拉公司约20.08%的股权。
三、 投资主体与标的公司
（一）投资主体-振华科技
1、公司概况
振华科技是由中国振华电子集团有限公司独家发起并以募集方式设立的高科技股份制企业，1997年7月在深圳证券交易所上市，股票代码：000733。振华科技的主导产品有钽电解电容器、片式电阻器、片式电感器、开关、微型继电器、接触器、半导体分立器件、厚膜混
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合集成电路及高压真空灭弧室、锂离子动力电池等。截止2021年9月，振华科技总资产101.37亿元，总股本51480.6万股，净资产48.25亿元。
2、主营业务
振华科技主要从事电子信息产品的研制生产和销售，产品主要有:
以片式钽电容器、片式电阻器、片式电感器、片式二三极管、厚膜混合集成电路、TO-5微型密封电磁继电器为代表的高新电子；以锂离子电池和高压真空开关管为代表的关键元器件。
3、发展战略
振华科技以支撑国家战略、引领行业发展为己任，坚持“产资结合、重组整合”发展思路，加快产业结构调整、人才结构调整、资产结构调整，着力提升管理能力、资本运作能力和科技创新能力，推动企业高质量发展，开创振华科技发展新局面，致力成为有较强资本运作能力、有较强自主创新能力、有较强行业影响力的高科技上市公司，实现股东和职工、企业和社会的多赢共进。
（二） 标的公司-奥罗拉
1、公司概况
名称：嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
住所：浙江省嘉兴市南湖区亚太路705号16FA16-12室
法定代表人：万欣
注册资本：167.91万元（人民币）
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企业性质：有限责任公司（自然人投资或控股）营业执照注册号：91330402MA28ATWL7C成立日期： 2016年12月1日营业期限： 无固定期限经营范围：电子元器件、集成电路的技术研发、技术服务、生产、销售；进出口业务。
奥罗拉系自然人万欣与晋虎作为发起人设立的有限责任公司，已入选高新技术企业、浙江省科技型中小企业、南湖区级研发中心。奥罗拉是一家功率半导体芯片的FABLESS公司，拥有经验丰富的专业功率半导体器件设计团队，具备各类功率半导体器件自主研发能力，特色产品为宇航级抗辐射MOS。截止目前已申请各类知识产权十余项，获授权9项。奥罗拉与清华大学、中科院微系统所、浙江清华长三角研究院等国内多家高校及科研院所建立了紧密的合作关系，共同推进高可靠功率半导体的国产化进程。曾获得第四届中国青年创新创业大赛金奖，第二届清华校友三创大赛银奖，入选“创新嘉兴?精英引领计划”。
奥罗拉将始终以国家战略需求为导向，以国际前沿水平为追求，以创新的理念和专业的技术致力于为客户提供领先可靠的功率半导体产品。
2、股权结构及变更
（1）公司设立
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奥罗拉前身为北京极光源芯科技有限公司（以下简称北京极光源芯），成立于2016年1月18日，注册地为北京市海淀区中关村东路1号院8号楼地下一层CB102-013号，法定代表人为万欣。应嘉兴政府相关政策要求，获得嘉兴政府补贴的高新企业注册地须设立在浙江嘉兴，因此北京极光源芯于2016年12月1日注销，在嘉兴新设奥罗拉，注册地为浙江省嘉兴市南湖区亚太路705号16F A16-12室，注册资本150万元，万欣出资136.5万元，持股91%，晋虎出资13.5万元，持股9%。
（2）股权变更
1、2017年6月22日,股东万欣将其所持奥罗拉7%股权（出资额
10.5万元，未实缴）以0元转让给邢喆，8%股权（出资额12万元，
未实缴）以0元转让给北京亨普瑞，9%股权（出资额13.5万元，未实缴）以0元转让给北京泰有，出资时间均为2036年11月30日前。转让后，各股东、出资额、持股比例、出资方式、出资时间见下表1。
表1
序号 股东
出资额
万元
| ( | ) |
持股比例
出资方式
出资时间
| 1 | 万欣 |
| 100.5 | 67% |
| 货币 | 2036.11.30 |
| 2 | 晋虎 |
| 13.5 | 9% |
| 货币 | 2036.11.30 |
3 北京泰有创业投资合伙企业 13.5 9% 货币 2036.11.304 北京亨普瑞投资管理有限公司 12 8% 货币 2036.11.30
| 邢 | 喆 |
10.5 7% 货币 2036.11.30
2、2017年12月15日,奥罗拉增资320万元，其中，增加注册资
本17.91万元，其余302.09万元计入资本公积。增资后，奥罗拉整体估值3,000万元，各股东、出资额、持股比例、出资方式、出资时间
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见表2。
表2
序号 股东
出资额
万元
| ( | ) |
持股比例
出资方式
出资时间
| 1 | 万欣 | 100.5 | 59.86% | 货币 | 2036.11.30 |
| 2 | 晋虎 |
| 13.5 | 8.04% |
| 货币 | 2036.11.30 |
| 3 | 北京泰有创业投资合伙企业 | 13.5 | 8.04% | 货币 | 2036.11.30 |
4 北京亨普瑞投资管理有限公司 15.358 9.15% 货币 2036.11.30
| 5 | 邢 | 喆 | 10.5 | 6.25% | 货币 | 2036.11.30 |
启迪之星（天津）创业投资中心
| （ | 有限合伙 | ） |
5.5969 3.33% 货币 2018.3.1
| 7 | 浙江浙华投资有限公司 | 5.5969 | 3.33% | 货币 | 2018.3.1 |
杭州泰之有创业投资合伙企业
| （ | 有限合伙 | ） |
1.6791 1% 货币 2018.3.1
新余泰益投资管理中心
（有限合伙）
1.6791 1% 货币 2018.3.1
3、2019年1月19日,股东万欣将其所持奥罗拉15.19%股权（出
资额25.5万元，未实缴）以25.5万元转让给嘉兴奥丁，将其所持奥罗拉18.76%股权（出资额31.5万元，未实缴）以31.5万元转让给嘉兴欧若拉；股东晋虎将其所持奥罗拉8.04%股权（出资额13.5万元，未实缴）以13.5万元转让给嘉兴欧若拉。本次股权转让后，各股东、出资额、持股比例、出资方式、出资时间见表3。
表3序号 股东
出资额(万元)
持股比例
出资方式
出资时间
1 万欣 43.5 25.91% 货币 2018.12.30
嘉兴欧若拉企业管理咨询合伙企业
（有限合伙）
45 26.8% 货币 2018.12.30
嘉兴奥丁企业管理咨询合伙企业
（有限合伙）
25.5 15.19% 货币 2018.12.30
北京泰有创业投资合伙企业
（有限合伙）
13.5 8.04% 货币 2018.12.30
5 北京亨普瑞投资管理有限公司 15.358 9.15% 货币 2018.12.30
| 邢 | 喆 |
10.5 6.25% 货币 2018.12.30
启迪之星（天津）创业投资中心
（有限合伙）
5.5969 3.33% 货币 2018.3.1
8 浙江浙华投资有限公司 5.5969 3.33% 货币 2018.3.1
8
杭州泰之有创业投资合伙企业
（有限合伙）
1.6791 1% 货币 2018.3.1
10 新余泰益投资管理中心（有限合伙） 1.6791 1% 货币 2018.3.1
(3)实际控制人
1、嘉兴欧若拉合伙人为万欣、晋虎、周博，万欣占80%的份额，
为执行事务合伙人。
2、嘉兴奥丁合伙人为万欣、晋虎，万欣占91.18%的份额，为执
行事务合伙人。
3、再加上单独持有的股权，万欣实际控制奥罗拉67.9%的股权。
因此，自然人股东、董事长、总经理万欣拥有对奥罗拉的绝对控制权。
(4)其他股东
1、嘉兴欧若拉持股26.80%（出资额45万元，已实缴），拟用于
小股东的持股平台。
2、嘉兴奥丁持股15.19%（出资额25.5万元，已实缴），拟用于
员工股权激励。
3、北京亨普瑞持股9.15%（出资额15.3580万元，已实缴），其
实际控制人为自然人股东邢喆，再加上其单独持有的6.25%（出资额
10.5万元，已实缴），自然人股东邢喆实际控制奥罗拉15.4%股权。
自然人股东邢喆为实际控制人万欣表姐。
4、浙江浙华持股3.33%（出资额5.5969万元，已实缴）是浙江
清华长三角研究院的全资子公司，而浙江清华长三角研究院是奥罗拉实际控制人万欣目前所供职单位。
5、北京泰有、启迪之星、杭州泰之有、新余泰益共持股13.37%
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（出资额22.4551万元，已实缴），均与清华大学教育基金会相关联。
3、组织结构
董事会：由5人构成，万欣（董事长）、晋虎，北京泰有、启迪之星和浙江浙华三方各派出1人。
监事会：由2人构成，刑喆、北京亨普瑞派出1人。
高级管理人员：总经理万欣，负责市场及运营；产品总监晋虎，负责公司产品开发。
奥罗拉在总经理领导下分别设置综合部、运营部、研发部。
图1 奥罗拉组织结构图
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第二章 奥罗拉的产品与业务
一、 产品与生产组织方式
（一）产品体系
1、现有产品（样品）
奥罗拉专注于功率半导体器件的研发和销售，包括MOSFET、FRD等，目前以 MOSFET半导体芯片设计及销售为主。抗辐照MOS作为奥罗拉研制产品的主要方向，其开发的抗辐照产品已基本达到了IR公司的R5、R6级别的产品性能。目前已推出包括30V/100V低压平面MOS、30V/100V SGT、100V/200V 抗辐照MOS六款产品。
表4 奥罗拉现有现有产品（样品）研发成果序号 产品类型 产品类别 产品型号 性能 备注
低压平面MOS
30V 3103 Gen5
击穿电压40V阈值电压1.8V栅极电荷42nC导通电阻8.7mΩ比导通电阻59.78mΩ·cm?FOM值319.2mΩ·nC
已有产品，综合参数优于IR Gen5产品
2 100V芯片 100V Gen5
击穿电压108V阈值电压3.98V栅极电荷44.4nC导通电阻36.5mΩ比导通电阻278mΩ·cm?FOM值1571.76mΩ·nC
已有产品，综合参数接近IR Gen7水平
SGT MOS
30V
| SGT#2CHIP21 |
NO1
击穿电压32.4V阈值电压2.65V栅极电荷44nC导通电阻2.67mΩ比导通电阻6.28mΩ·cm?FOM值69.08mΩ·nC
已有产品，优于英飞凌optiMOS3，与optiMOS5有较大差距
4 100V AKE4P2R10(1#)
击穿电压116V阈值电压3.2V栅极电荷59.7nC导通电阻3.72mΩ比导通电阻55.39mΩ·cm?
已有产品，优于英飞凌optiMOS3，FOM与optiMOS5接近，比导通电阻与optiMOS5有一定差
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FOM值196.82mΩ·nC 距
5 高压平面MOS 650V 7N65
击穿电压671V阈值电压3.15V导通电阻1.07mΩ比导通电阻9.01mΩ·cm?
已有产品，采用JTE结构，650V终端比传统终端缩小近50%
抗辐射MOS
100V
宇航应用产品Y
总剂量100rad(Si)单粒子80MeV·cm?/mg导通电阻80mΩFOM值1768mΩ·nC
已有产品，与IR R5产品相当，已开展上星搭载试验2年7 核应用产品H
总剂量300rad(Si)导通电阻39mΩ
已有产品，电性能接近IR R6产品，已开展上星搭载试验2年
200V
宇航应用产品Y
总剂量100rad(Si)单粒子80MeV·cm?/mg导通电阻230mΩFOM值5200mΩ·nC
已有产品，与IR R5产品相当，已通过单粒子试验9 核应用产品H
总剂量300rad(Si)导通电阻156mΩ
已有产品，电性能接近IR R6产品，已通过单粒子试验
固态继电器专
用MOS
增强型
4.66*3.76um
导通电阻下降15%（3.34mΩ-2.69mΩ）极限雪崩能量1200mJ
已有产品
11 耗尽型 100V 100V
击穿电压121V阈值电压-2.2V导通电阻70mΩ比导通电阻574mΩ·cm?已有产品，电性能更具优势，阈值电压一致性强12 耗尽型 200V 200V
击穿电压230V阈值电压-2.05V导通电阻38mΩ比导通电阻1096mΩ·cm?FOM值2638mΩ·nC
沟槽肖特基二
极管
AR10100
击穿电压116V反向漏电流14μA（VR100V,Ta25℃)反向漏电流5.5mA（VR100V,Ta125℃)正向压降
0.398V(IF1A,Ta25℃)
正向压降
0.68V(IF10A,Ta25℃)
结电容243pF（VR10V）结电容107pF（VR50V）芯片大小82mil mm?
已有产品，较传统平面肖特基具优势，达到业内同类产品水平
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2、在研产品
在已研发的产品（样品）基础上，奥罗拉将开展相同平台产品系列化与其他平台产品开发,通用MOSFET由N沟向P沟拓展、SGTMOS产品由低压向高压（150V、200V）扩展、高压MOSFET由平面向SJ-MOS扩展、抗辐照MOS由100V/200V平台向全耐压系列拓展、定制开发（固态继电器MOS、TMBS等）。目前在研产品包括耗尽型MOS和高压650V抗辐照MOS。目前在研产品如下：
（1）高压抗辐射MOS 600V平台开发，可应用在低轨卫星电推
进系统，目前仅有IR R6与英飞凌产品，英飞凌产品竞争力较强，市场上尚无同类型自主可控产品，该产品已于2021年开始研发工作，预计2022年完成；
（2） 固态继电器专用MOS低开启SGT MOS产品，Vth:～1.8V，
匹配封装外形，该产品计划2021年7月上线，10月底已产出，测试中；
（3） 固态继电器专用MOS 定制产品，将根据客户需求定制尺
寸，匹配封装外形，目前LOT已上线，原计划2021年8月底产出，受晶元加工厂排产影响，滞后。
（二）产品研发方式
奥罗拉芯片研发的设计环节由奥罗拉独立完成，生产制造环节采取委外加工方式进行流片、封装、量产测试。
1、产品开发流程
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奥罗拉的产品开发以项目形式进行组织开发。收到客户需求或公司内部提出的开发需求，即组织产品研发进程。开发流程如下图所示。
图2 开发流程图
2、生产制造环节
奥罗拉采用Fabless模式。芯片主要由奥罗拉设计方案后交由晶圆代工企业进行生产，功率器件主要是委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。晶圆代工和封装测试公司均为国内企业。同时，由于自身体量较小，与部分晶圆代工企业采用间接方式代工，不直接作为晶圆代工企业的客户，而是通过与晶圆代工企业的现有客户合作的方式委托晶圆代工企业进行生产。
二、 技术研发
（一）主要技术
奥罗拉擅长抗辐照MOSFET、SGT MOSFET及大功率MOSFET，其研发能力处于国内第一梯队。奥罗拉对MOSFET的国内外现状及发展趋势掌握较好，紧跟MOSFET 技术发展方向，掌握了包括平面MOS、SGT MOS，Trench SBD等通用技术和抗辐射MOS、耗尽型
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MOS等特色技术。中低压抗辐照功率MOSFET的成功开发表明该公司已经自主掌握了中低压MOSFET抗辐照加固从芯片结构设计到工艺流片的全流程技术，其开发的抗辐照产品已基本达到了IR公司的R5、R6级别的产品性能，产品整体达到国内先进技术水平。而低损耗SGT MOSFET的研制表明该公司已经基本具备了高性能功率MOSEFT器件的开发能力，研发的30V、100V SGT器件性能优于国内同类产品,与英飞凌OptiMOS3性能相当。奥罗拉以自主开发国内领先水平的MOSFET芯片为切入点，致力于打破国外技术垄断，实现高端半导体功率芯片自主可控。
奥罗拉的核心技术主要体现在非专利的专有技术，是先进、实用但未申请专利的技术秘密，包括数据公式、计算机仿真程序及代码、设计图纸、加工图纸、工艺流程、与设计对应的详细工艺菜单、制造加工的设备型号、材料规格参数、质量控制流程、检测方法、测试分析数据以及技术人员的经验和知识等。
（二）技术团队
目前奥罗拉研发人员主要为万欣与晋虎，总经理万欣现阶段负责管理运营和市场，晋虎作为产品总监负责芯片结构设计，主要研发人员构成见下表。
表5 主要研发人员姓名 性别 职务 部门 岗位性质 学历 毕业学校 专业
万欣 男 总经理 CEO 兼职 博士 清华大学 核科学与技术晋虎 男 产品总监 CTO 兼职 硕士 复旦大学 集成电路工程杨春益 男 测试员 技术部 兼职 本科 福建师范大学 电子信息工程
邓辉 男 工艺师 技术部 兼职 硕士 湖北大学
微电子学与固体电子学万春友 男 测试员 技术部 退休返聘 大专 唐山职工大学 电气自动化专业
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（三）知识产权及集成电路布图
截止2021年5月31日，奥罗拉拥有已授权的实用新型专利5项、集成电路布图4项，已进入实审阶段的发明专利10项。
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表6 知识产权情况
序号 类别 专利名称 专利内容 专利号 授权日期 权利人/权利单位 状态
实用新型专利
功率半导体芯片 热分布宽SOA ZL201721383406.8 2019.5.20 奥罗拉
已授权
功率半导体器件 改善SEGR ZL201820967474.7 2018.11.14 重庆平伟、奥罗拉
功率半导体器件 改善SEGR ZL201820977290.9 2018.11.27 重庆平伟、奥罗拉
一种功率半导体器件 TMBS降低反向漏电 ZL201920274948.4 2019.10.1 重庆平伟、奥罗拉
功率半导体器件 耗尽型MOS ZL202021434739.0 2021.2.2 奥罗拉
集成电路布图
100V/22A高可靠VDMOS(ANB1N11022) BS.175008671 2017.10.24 奥罗拉
宽FBSOA的200V 60A MOSFET BS.18500136X 2018.3.19 奥罗拉
650V/7A VDMOS BS.195579011 2019.3.15 奥罗拉
点状TMBS BS.195002083 2019.12.11 奥罗拉
发明专利
功率半导体芯片及其形成方法 热分布宽SOA 201711031103.4 奥罗拉
已受理
功率半导体器件 改善SEGR 201810650267.3 重庆平伟、奥罗拉
功率半导体器件的形成方法 改善SEGR 201810651307.6 重庆平伟、奥罗拉
功率半导体器件的形成方法 改善SEGR 201810651306.1 重庆平伟、奥罗拉
功率半导体器件及其制造方法 改善SEGR 201811544082.0 重庆平伟、奥罗拉
功率半导体器件及其制造方法 改善总剂量 201910068469.1 重庆平伟、奥罗拉、长三院
一种功率半导体器件制造方法及功率半导体器件 TMBS降低反向漏电 201910157115.4 重庆平伟、奥罗拉
一种功率半导体器件 TMBS降低反向漏电 201910156443.2 重庆平伟、奥罗拉
功率半导体器件及其形成方法 耗尽型MOS 202010697369.8 奥罗拉
一种功率器件 改善终端SEGR 202011597627.1 长三院、奥罗拉
三、 现有客户结构及主营业务
奥罗拉成立时间较短，目前合作客户均为国内客户，暂未涉及海外市场，合作方式主要为技术服务与产品销售，自2019年起，主要合作客户如下表所示。
表7 客户情况序号 客户名称 合作方式 合作期限
1 锐鹰传感 技术服务 2020.6-2021.62 振华永光 技术服务 2019.3-2022.63 株洲宏达 技术服务 2021.3-2022.124 振华群英 技术服务 2021.1-2022.85 北京206 技术服务 2019.8-2019.106 绵阳905 产品销售 2019.3-2020.127 无锡光萌 产品销售 2020.9-至今8 湖北乾智 产品销售 2019.1-2019.49 狮王半导体 产品销售 2020.6-2020.1010 新干晶 产品销售 2020.4-2020.811 无锡昌德 产品销售 2019.3-2019.7
（一）技术服务
奥罗拉主要面向有确定市场需求，但需求较为特殊且产品市场采购难度较大的用户，包括芯片研发、定制，按定制产品情况定价，根据客户需求按事项收取技术服务费用。
除芯片开发外，在技术服务方面还提供与芯片开发相关的测试、提参、委托加工等技术服务，这类技术服务不多且金额较小。包括北京机械设备研究所芯片模板加工，苏州珂晶达公司芯片提参服务，振华永光辐射试验等。
（二）芯片销售
基于研发积累，奥罗拉成功开发的芯片已开始小批量供货，取得了一定的经济效益。2019年1月至2021年5月，实现产品销售收入约300万元。
第三章 项目投资方案
一、投资总额
振华科技委托银信资产评估有限责任公司进行评估，以2021年5月31日为评估基准日，拟选用收益法评估结果作为参考，即奥罗拉股东全部权益价值为7,162.02万元（最终以经中国电子信息产业集团有限公司备案确认的评估值为准）。
振华科技以现金1,800万元对奥罗拉进行增资，其中，约42.2万元作为奥罗拉新增的注册资本，1757.8万元计入资本公积。本次增资完成后，振华科技持有奥罗拉20.08%的股权比例。
表8 奥罗拉本轮增资后的股权结构序号 投资者名称
增资后投资金额（万元）
所占比例
万欣
43.5 20.71%
嘉兴欧若拉企业管理咨询合伙企业
（有限合伙）
45 21.42%
嘉兴奥丁企业管理咨询合伙企业
（有限合伙）
25.5 12.14%
北京泰有创业投资合伙企业
（有限合伙）
13.5 6.43%
北京亨普瑞投资管理有限公司
15.358 7.31%
邢喆
10.5 4.99%
启迪之星（天津）创业投资中心
（有限合伙）
5.5969 2.66%
浙江浙华投资有限公司
5.5969 2.66%
杭州泰之有创业投资合伙企业
（有限合伙）
1.6791 0.80%
新余泰益投资管理中心（有限合伙）
1.6791 0.80%
11 中国振华（集团）科技股份有限公司 42.2
20.08%
序号 投资者名称
增资后投资金额（万元）
所占比例合计 210.11 100%
二、投资方式
本项目将以现金方式一次投入。
三、资金来源
项目投资资金全部由振华科技自筹解决。
四、资金用途
本次投资主要用于奥罗拉技术研发和补充其经营流动资金。
第四章 市场分析
一、市场状况、技术水平及发展趋势
分立器件行业是半导体产业中一个重要分支，据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%-25%之间。
半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。
根据英飞凌测算，2019年全球功率半导体市场规模约为454亿美元，Omidia预计至2024年市场规模将增长至524亿美元，年化增速为5.3%。目前中国占全球功率半导体市场需求比例约三分之一，是全球主要的消费大国。据IHS Markit数据显示，未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望达到159亿美元。
功率半导体包括功率IC与功率器件。根据WSTS数据，预计2020年全球功率器件市场规模在236亿美元，2021年预计将同比增长7%
达到253亿美元。从细分产品来看，MOSFET在功率器件细分市场占比超过30%，是功率器件细分领域中规模最大的市场。
由于功率半导体是一个需求驱动型的行业，因此，在将各类型的功率MOSFET分层来讨论未来的结构趋势时，业内通过生产商与下游的关系将不同的功率MOSFET比较抽象地分为低端、中端和高端，如下图所示。
图3 MOSFET分类
Yole Développement预判，未来五年会出现三个比较明显的结构变化趋势：Trench MOSFET将从中端下移至中低端，替代部分PlanarMOSFET的低端市场，Advanced Trench（如SGT等）MOSFET将彻底下移至中端，替代Trench MOSFET在低压领域的中端市场，宽禁带（SiC、GaN等）MOSFET将更为广泛地占据高端市场。功率MOSFET的市场结构图如下：
图4 MOSFET市场结构图
（一） 国际市场状况、技术水平及发展趋势
全球MOSFET主要制造商包括Infineon(英飞凌)、On Semi(安森美)、Renesas(瑞萨电子)、ST(意法半导体)、Toshiba(东芝)、Vishay(威世)、Alpha Omega(万代半导体)、Nexperia(NXP)(恩智浦)、IXYS(艾赛斯)、Rohm(罗姆半导体)等。2016年他们的市场份额如下图所示：
图5 MOSFET国际市场份额
近几年并购造就了领军企业，同时也改变了行业格局。在2014年收购国际整流器公司（IR）后，英飞凌在功率半导体市场独大，占据了主要的市场份额(2016年，23.8%)。英飞凌与国际整流器公司的
产品组合具有高度互补性。国际整流器公司擅长的产品包括低功率、能源效率IGBT及智慧型功率模组、功率MOSFET等，将与英飞凌的功率元件与模组产品完善整合。通过这次并购，英飞凌不仅能用Si材料，还能用GaN材料，生产出从小功率到大功率覆盖广泛用途的功率器件。强化了英飞凌在全球市场上的地位。
收购Fairchild(仙童)后的安森美成为功率半导体组件市场仅次于英飞凌的第二大供货商(2016年，12.7%)，试图在不同领域与英飞凌进行竞争。安森美拥有丰富的低功率半导体组件产品，包括贡献其2015年营收33%汽车应用中的MOSFET动力系统驱动组件、车用摄影机以及安全系统所需组件等。
其他供应商则试图在不同的细分市场保持自己的市场份额，例如瑞萨电子产品广泛应用于电源、电机驱动、高频放大、负载开关等领域，但其重点专攻低压功率MOSFET；意法半导体提供了100V-1700VMOSFET各电压范围的工业级和汽车级应用，例如开关电源(SMPS)、照明、电机控制、能源生产和电气移动、底盘与安全、车身与便利等，但其侧重于高压器件的研究与生产。
2020 年开始，新冠肺炎疫情催生宅经济爆发，带动笔记本电脑、平板、电视、游戏机等终端装置需求大幅提升，加上5G应用渗透率扩大，尤其是5G手机需要的半导体含量较4G手机高3-4成的情况下，部分芯片用量更是倍增。此外，伴随电子元器件国产化进程加快，以及手机多镜头 趋势导致电源管理IC、驱动IC、指纹识别芯片、图像感测器(CIS)等需求增长，国内8英寸芯片代工产能日益紧俏，
MOSFET、IGBT等8英寸半导体功率器件下游需求旺盛，行业内企业纷纷提高产品销售单价，市场整体供不应求。
目前，主流功率MOSFET类型按内部结构不同主要分为：Planar、Trench、Lateral、Super Junction、Advanced Trench，以及由于材料迭代形成的半导体材料改变的SiC、GaN。尽管材料迭代与技术变化属于并行关系，比如存在GaN Lateral MOSFET，但就目前而言，由于宽禁带半导体仍处于初步发展阶段，所有面世的宽禁带MOSFET的性能主要由材料性能决定，因此将所有不同结构的GaN MOSFET和SiC MOSFET分别归为一个整体。
（二） 国内市场状况、技术水平及发展趋势
中国是功率半导体第一大市场，进口替代空间广阔。中国是最大的功率半导体消费国，2018年市场需求规模达到138亿美元(IHS数据)，增速为9.5%，占全球需求比例高达35%。IHS预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望达到159亿美元，年增速达4.8%。根据IHS的统计，中国功率半导体市场中前三大产品:电源管理IC、MOSFET、IGBT，三者市场规模占2018年中国功率半导体市场规模比例分别为60.98%，20.21%和13.92%。
庞大的市场需求以及出于降低成本等方面的考虑，中国MOSFET产业近年来得到了快速发展。从目前发展情况来看，国内从事MOSFET产品生产的企业主要以代工厂为主，拥有自有产品的本土企业相对较少。同时，国内半导体分立器件整体技术水平相对落后，
以功率二极管、功率三极管、晶闸管和中低端MOSFET等产品为主，部分高端技术产品仍大量依赖进口。近年，通过对国际先进技术的持续引进、消化吸收再创新以及自主创新，国内优质企业在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平，并凭借其成本、区域优势逐步实现相关产品的进口替代。未来，随着技术水平的提升、高端人才的引进以及管理经验的积累，国内优质企业有望进一步对国外企业形成竞争优势，占据更大的市场空间。
虽然中国半导体起步晚、追赶难度较大，但随着半导体产业的转移，以及新能源汽车/充电桩、节能环保、4G/5G、人工智能、AR/VR等新兴领域快速发展，国内半导体厂商有望在产业竞争中获得更大发展机会。半导体行业的整体发展呈现以下趋势：
1.产业的发展动力逐渐从技术驱动转向应用驱动
由于新应用领域的出现，使得半导体产业发展的驱动力更多来自于应用及相应功能的开发。目前半导体产业的应用热点已从最初的计算机、通信拓展至新能源汽车/充电桩、节能环保、4G/5G、人工智能、 AR/VR等新兴领域。
2.竞争加剧产业的国际化和扁平化发展
随着产业发展的变革，半导体行业已从单一垂直化生产向扁平化结构转变，国际分工日益明显。在日益激烈的国际竞争中，世界各地遵循成本效益原则形成了以美国为主导的高端产品设计与关键技术制造，以日本、韩国为核心的大众消费品生产，以中国台湾及大陆地区为主体的封装加工业共同发展的产业格局，大陆地区已经逐步切入
到半导体设计、研发以及封装测试等相关领域。
3.半导体产业链转移趋势明显
受生产要素成本以及半导体产业自身发展周期性波动的影响，世界半导体产业呈现向具有成本优势、市场优势的发展中国家产业链转移的趋势。作为经济高速增长的发展主体，我国依托庞大的市场需求及生成要素、成本优势及人才优势成为国际半导体产业转移的主要目的地，以欧美、台湾地区为主的大型半导体制造业通过OEM、并购、合资等多种方式向我国转移半导体产业。
二、 竞争环境与行业集中度
目前全球前十大半导体分立器件厂商均为国外企业，其总体份额占全球市场份额的 50%以上 且格局较为稳定。相较于国外，我国半导体分立器件行业较为分散，只有少数企业具备芯片研发、 设计、制造等方面的竞争优势。随着少数具备竞争优势的企业通过持续技术积累和自主创新不断 扩大产品知名度和市场占有率，国内半导体分立器件行业的整体集中度将不断提升。
根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体分立器件进口金额为261.6亿美元，相较2014年进口额下降了16.63%。未来，国内行业内优秀企业将凭借地缘、技术和成本等方面的优势获得 更多的发展机会，这也将大大增强我国半导体分立器件产品替代外资同类产品的能力。
国外半导体供应商包括英飞凌、安森美、瑞萨电子等国际一流半
导体企业，以及新洁能、华微电子、士兰微等国内优秀的半导体功率器件企业。奥罗拉与上述企业在经营模式、销售规模等方面的差异情况如下。
（一）国内企业
表10 国内企业情况序号 企业名称 企业情况 经营模式 销售规模 产能特征 技术水平
新洁能（605111）
成立于 2013 年，专注于 MOSFET、 IGBT等半导体芯片和功率器件研发设计和销售的企业。
主要采用Fabless模式
2018年度营业收入为7.16亿元；2019年营业收入为7.73亿元；2020年营业收入为
9.55亿元。
产品包括沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET 和IGBT 等。
产 品 主 要 为 超结 功 率MOSFET 、沟 槽 型 功 率MOSFET 和 屏 蔽 栅功 率MOSFET、 IGBT等先进功率器件。
华微电子(600360)
成立于 1999 年，为集半导体分立器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业，拥有多条半导体分立器件及 IC 芯片生产线，主要生产半导体分立器件及 IC，应用于消费电子、节能照明、计算机、 PC、汽车电子、通讯保护与工业控制等领域。
IDM 模式
2018年度营业收入为17.09亿元；2019年年度营业收入为16.56亿元；2020年营业收入为17.19亿元。
其产品主要为功率半导体，主要包括二极管、三极管、 双极型功率晶体管、MOSFET 和IGBT。
产品包括 IGBT、平面型功率 MOSFET 以及主要种类的二极管等。
士兰微(600460)
成立于 1997 年，为集成电路十强企业，从集成电路设计出发目前已经搭建了特色工艺的芯片制造平台，形成了 IDM 模式；主要从事 MCU、 LED 驱动芯片以及 MEMS等集成电路芯片以及包括MOSFET、二极管、 IGBT等半导体功率器件产品。
IDM模式
2018年度营业收入为30.26亿元；2019年度营业收入为
31.11亿元；
2020年营业收入为42.81亿元。
产品主要包括集成电路和功率半导体，功率半导体产品主要为功率集成电路、二极管、三极管、MOSFET、IGBT 等。
公司拥有 LED 电源电路、数字音视频电路、MCU 电路以及 MEMS等较为丰富的集成电路芯片产品；功率半导体产品以 IGBT、超结功率 MOSFET 为代表，陆续 完 成 了 超 薄片 槽 栅IGBT、超结高压 MOSFET。
（二）国外企业
表9 国外企业情况
第五章 项目必要性和可行性
一、项目必要性分析
（一）是打破国际技术封锁，保障国家基础战略产业发展的需要
目前全球有40%的能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体功率器件。半导体功率器件的研制一直在减少能源消耗这一难题中扮演着重要的角色，它是机械自动化、控制智能化的关键部件，是支撑工业、国防、信息化发展的基础性器件。
MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。MOSFET作为新型半导体功率器件的代表，已成为整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品。然而，目前芯片制造的核心技术掌握在国际半导体巨头手中，我国相关应用市场被完全垄断，使我国在电能管理技术的核心领域长期受制于人，甚至影响了我国国防军事工业的发展。构建自主可控的国防科技工业体系是国家战略的重中之重。而核心则是掌控关键核心技术，增强自主创新能力。只有掌握了核心技术，将国际领先技术和国防建设需求相结合，才能真正解决国家在国防军事工业存在的关键问题。
本项目以抗辐照MOSFET器件目标，开展相关技术研究，掌握
核心关键技术，实现产品自主可控研制。本项目重点推进抗辐照功率器件研制，重点目标市场为国防军事电子领域，与国家战略高度吻合，能切实提升振华科技参与国家重大项目建设的能力，并能产生较好的经济效益和社会效益。
（二）日益增长的市场需求
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）属于半导体领域中的功率半导体器件分类，是实现高效电能利用、智能电机控制的核心部件，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩等领域，保持稳定增长，特别在节能环保发展趋势下，超低能耗高可靠性的半导体功率器件将迎来更大的市场空间。MOSFET是市场上应用最为广泛的功率半导体器件之一，近些年，随着“高效、节能、环保”等理念的日益普及和国家政策的大力引导，诸多新兴行业（如轨道交通、电动及混合动力汽车、风力及光伏发电、智能电网等）也为MOSFET提供了巨大的应用市场。
在未来十年甚至更长的时间里，新能源、高铁、电动汽车等绿色经济产业将保持每年20-30%的高速增长，发展绿色经济已成为全球各个主要经济体的共识。MOSFET市场发展前景一片光明。
（三）是振华科技完善产品体系，实现转型升级的需要
目前，振华科技的半导体分立器件主营产品为二、三极管等基础半导体功率器件，整体上产品结构处于价值链的中低端，亟需向价值
链中高端的核心半导体功率器件（如抗辐照MOS、SGT MOS、IGBT、SiC肖特基二极管、GaN HEMT等）转型升级。
奥罗拉致力于功率半导体器件的研发和销售，包括MOSFET、FRD等，目前以 MOSFET半导体芯片设计及产品销售为主，并根据客户需要提供应用解决方案，其两款产品已成功应用于航天领域终端用户，对振华科技的产品体系能提供较好的补充。
增资奥罗拉后，振华科技在高端功率半导体器件领域业务布局，实现“十四五”高质量发展的需要。以MOSFET为代表的高端功率半导体器件是支撑工业、国防的基础性器件，应用广泛。同时，受中美冲突加剧的影响，高端功率半导体器件已全部受到国外禁运。因此，基于良好的市场发展前景预期和打破国外垄断，实现国产化替代，满足国民经济和国防事业发展的迫切需要，振华科技已将高端功率半导体器件的业务发展列为“十四五”重点发展方向，通过技术、产品和市场突破，将有助于振华科技补齐“短板”，进一步提升核心竞争力和行业地位，助推振华科技高质量发展，提高上市公司资产质量。
增资奥罗拉后，在振华科技前期已布局的高可靠、宇航级半导体功率二、三极管的基础上，增加了处于高新领域核心功率器件地位的抗辐照MOS产品研制保障能力，以系列化的MOSFET芯片开发为基础，将形成适应不同应用领域需求的MOSFET研制保障能力，进一步丰富、完善高端半导体功率器件产品体系，从而提升振华科技整体JG地位，加快振华科技产品由中低端向中高端的转型升级。
二、项目可行性分析
（一）行业发展有良好的政策支撑
半导体功率器件是支撑国防、工业与信息化发展的基础性器件，属于国家重点鼓励、扶持发展的产业。近年来，国家出台了一系列鼓励支持政策，加大了对于功率半导体行业发展的扶持力度，具体见表1。可以预见，我国半导体产业将迎来大发展。因此，本项目属于国家政策重点扶持的产业，通过本项目的实施，振华科技将从国家战略实施和释放的政策红利中获益。
表11 国外企业情况国家半导体功率器件行业相关扶持政策一览表
时间 相关扶持政策2006年
《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中明确提出，功率器件及模块技术、半导体功率器件技术、电力电子技术是未来5年～15年15个领域发展的重点技术之一。2007年10月
《国家发展改革委办公厅关于组织实施新型电力电子器件产业化专项有关问题的通知》中将MOSFET列为支持重点。2009年4月
《电子信息产业调整和振兴规划》中明确提出要提高新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生产能力，初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系。2010年3月
《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，重点支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等新型电力电子芯片和器件的产业化。2011年3月
国家发展改革委员会《产业结构调整指导目录（2011年本）》将“新型电子元器件（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、半导体功率(电力电子)器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）制造”列入鼓励类。
2011年6月
国家发展改革委员会、科技部等五部委《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年度）》将集成电路电路、信息功能材料与器件、新型元器件等列入重点领域，其中包括“中大功率高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD）芯片和模块，中小功率智能模块；高电压的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）；大功率集成门极换流场效应管（IGCT）；6吋大功率场效应管。”2012 年2月
工业和信息化部《电子基础材料和关键元器件“十二五”专项规划》涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件，是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。
2015年5月
国务院颁布《中国制造2025》发展纲要，明确提出重点发展“大功率电力电子器件”及柔性直流输电用高压高功率IGBT模块
资料来源：赛迪顾问整理
（二）奥罗拉具备打破国外技术封锁、参与国际竞争的技术实力
经过多年的技术积累，奥罗拉的技术团队已掌握抗辐照MOS芯片自主研制能力，根据国内代工平台实际工艺能力，通过芯片自主设计，国内芯片代工平台加工的方式，已研制出的抗辐照MOSFET抗总剂量能力最高可达到300krad（Si），抗单粒子能力达到75MeV.cm
/mg，SGT MOS 总体性能指标优于英飞凌 optiMOS3产品水平。
振华科技全资子公司-中国振华集团永光电子有限公司（以下简称振华永光）与奥罗拉公司已有成功合作经验，先后完成了抗照CS097型N沟道场效应晶体管（对标国外IRHF4730,200V/5.5A）、CSP3103型N沟道场效应晶体管（对标国外IRLR3103）的研制。其中，CS097对标国外IRHF4730， 2020年10月通过了兰州近代物理研究所的单粒子试验，产品抗单粒子栅穿能力≥75MeV.cm
/mg，抗总剂量能力≥100krad（Si）。航天五院、航天八院及小卫星公司等用户均已提出使用需求。通过研发合作，使振华永光成功实现了抗单粒子辐照器件研发的零突破，为公司技术提升，为装备配套打下坚实基础，为我国高端核心器件提供了国产化保障。
（三）振华科技具备推动奥罗拉业务发展的管理基础和资金实力
对于本次投资项目，振华科技将对奥罗拉的主营业务进行审慎测
算，并对将来的业绩发展谨慎估算。奥罗拉有较好的技术基础，主要市场方向定位于国防军事领域，但资质及市场、管理基础不足以支撑其发展。振华科技拥有较好的JG市场基础，有丰富的JG产品研制保障经验，通过优势资源的整合，具备推动奥罗拉业务发展的基础条件和资金能力。
第六章 项目效益评价
一、经营业经预测
（一）预测期限
本项目预测年限为2021~2030年。
（二）总成本费用估算
本项目计算期内总成本费用共计58640万元。
1、生产成本
项目产品主要是外协加工，生产成本主要为代工成本，代工成本占主营业务收入的56.44%左右，随着研发水平的提升，流片成功率及研发成果的产业化率逐步提高，主营业务成本占主营业务收入比例将逐步下降。
摊销费：按10年摊销。
2、销售费用
主要包括销售人员工资福利、销售差旅费、宣传费用、市场推广费等，参考目前产品成本，年均销售费用84万元。
3、管理费用
本项目管理费用按各年营业收入的一定比例计算，主要包括公司经费(办公费、差旅费、保险费等)、工会经费、顾问费、应酬费、房产税、车船牌照税等，参考目前产品成本，年均管理费用291万元。
4、研发费用
团队掌握MOSFET 核心技术，在国内处于领先水平，可自主设计研发芯片；年均研发费用预计为215万元。
5、财务费用
主要为长期和流动资金借款利息支出，长期贷款利率为4.90%，流动资金利率按4.35%计算。
上述费用明细详见附表： “总成本费用估算表”。
（三）收入、税金及附加、利润及其分配
1、主营业务收入
依据奥罗拉公司现有资产评估预期收入及重组奥罗拉公司后经营管理整体规划预测而得。本项目选取民品做收入预测，预计年均营业收入8199万元。详见报告附表。
2、相关税金及附加
本项目增值税按13%计算，城市建设维护税和教育费附加分别按增值税的7%、5%计算。
目前所得税暂按15％的税率计算，待高新技术企业认定后，所得税按15%征收，净利润也随之上升。
表12 奥罗拉公司主要税种及计税依据
税 种 计税依据 税率增值税 产品销售收入13%城市维护建设税 实际缴纳的流转税额 7%
教育费附加 实际缴纳的流转税额 3%地方教育附加 实际缴纳的流转税额2%企业所得税 应纳税所得额15%
税金及附加明细详见“营业收入、税金及附加和增值税估算表”。
3、利润
项目年均利润总额2312万元，年均未分配利润1670万元。振华科技以现金1,800万元对奥罗拉进行增资，本次增资完成后，振华科技持有奥罗拉20.08%的股权比例，年均获得未分配利润335万元。
二、效益评价
本项目总投资2959万元，其中建设投资2429万元，建设期利息39万元，铺底流动资金491万元。
依据项目经营业绩预测，项目投资回收期(静态)为5.80年，内部收益率43.03%。振华科技资金财务内部收益率为10.38%。项目整体经济指标良好，具有良好的经济效益，详见项目投资现金流量表。
表12 主要经济指标估算表序号 项 目 单位 指标 备 注
总投资 万 元
2959
建设投资 万 元
2429
建设期利息 万 元
铺底流动资金 万 元
营业收入 万 元
8199
年平均
销售税金及附加 万 元
年平均
利润总额 万 元2312年平均
总投资收益率%
57.09
年平均
项目资本金净利润率%
91.03
年平均
内部收益率%
43.00
税后
财务净现值ic=12% 万 元
6698
税后
投资回收期(静态) 年
5.80
静态
资本金财务内部收益率%
49.25
振华科技资金财务内部收益率
%
10.38
盈亏平衡点%
83.06
第七章 增资后经营管理
一、发展思路
奥罗拉将结合振华科技战略发展规划，以MOSFET 产业化为方向，着力提升产品设计能力，成为国内高端半导体功率器件领域具有专业化优势、在国防自主可控领域有重要贡献的军民结合型半导体功率器件设计企业，打造国内高性能MOSFET高新领域第一品牌，实现行业市场份额处于领先地位。
二、着力提升核心技术竞争力
奥罗拉将专注于MOSFET 需求,积极拓展新能源、电动汽车、工业控制等高附加值市场，一方面加快现有客户委托研发项目产品和自研产品定型、实现量产销售；另一方面投入相当人力和资金研发具有国际领先水平的MOSFET 芯片及第三代半导体功率器件芯片设计、制造技术，力争产品与英飞凌、三菱公司最先进产品同代次，技术指标达到国际领先水平。
三、着力加大人才招募和激励
奥罗拉将在3年内完成高端人才和基础人员招聘的招募，并将持续改进现绩效管理与激励计划，对于核心及骨干人员实施更具吸引力的股权（期权）激励计划，通过设立员工持股平台，从法律层面彻底落实和保障核心及骨干人员通过持股平台持有奥罗拉股权，与企业长
期合作、共同发展。
四、着力提升管理水平
针对奥罗拉公司研发、生产、人力资源、项目管理、质量管控、财务管理等各环节管理流程进行全面梳理和深入剖析，结合企业特点，逐步推进IPD产品开发体系建设，形成高效率产品开发流程。对奥罗拉组织架构进行优化调整，改革和规范现有管理制度，建立研发管理规范（流程、文档）等，对不合理的管理流程进行进一步细化完善，形成长效的管理机制。
五、着力拓宽市场渠道
加强与工业控制、新能源发电、电动汽车、JG领域等行业终端用户合作，通过产品替代、定制化开发、提供系统解决方案等方式解决终端市场需求。在营销上，重点持续加强与现有合作伙伴及代理商的合作方式，逐步固化产品营销渠道。
第八章 项目风险分析及对策
一、市场开拓风险
（一）风险描述
奥罗拉处于系列化产品研制开发期，对市场终端用户需求熟悉度不够，这将会对产品的有效推广带来困扰和风险。同时由于奥罗拉不具备JG科研生产相关资质，不能直接对JG用户供货，导致在JG市场的话语权缺失，存在利润空间被压缩的风险。
（二）对策
一方面加大市场需求调研，并围绕市场需求进行新产品和新技术的研发，继续保持奥罗拉在产品技术上的领先优势；另一方面，利用振华科技多年形成的JG市场营销网络、JG行业品牌效应，整合内部资源，加快市场开拓。
二、人才流失风险
（一）风险描述
芯片设计作为集成电路产业的前段环节，技术含量高，对创新能力的要求高，需要配置高素质的人员团队，因此高素质专业技术人才是奥罗拉的核心资源之一，是保持和提升公司竞争力的关键要素。目前，随着国家对我国集成电路技术创新的扶持力度加大，产业规模不
断提升，新兴企业不断涌现，对专业人才的需求量也不断增加，尤其是对高素质专业人才的争夺日趋激烈，对奥罗拉而言，存在人才流失的风险。
（二）对策
为了避免核心人才流失，稳定员工团队，振华科技可提供多年积累的人力资源管理体系供奥罗拉参考。首先，通过对于核心及骨干人员实施更具吸引力的股权（期权）激励计划，保持现有核心技术团队的稳定性。其次，加速培养市场和管理方面人才，同时，振华科技可派出专业管理和营销人才予以协助，以全面提升奥罗拉管理团队的从业经验。再次，将加强知识管理，将经验、成果固化为奥罗拉的知识库，形成可传承、可延续的知识管理体系，以防范人才流失带走核心技术的不利局面出现。最后，通过优化员工规划职业生涯渐进式培训体系，结合传帮带的团队管理，建立系统的人才梯队，强化自身造血的能力以满足企业发展的需要。
三、技术研发风险
（一）风险描述
芯片设计的前端到后端均需要丰富的经验、高水平的设计能力、支撑能力强的代工企业作为支撑，高端的芯片研发可能需要通过多次的流片、验证才会成功。因其复杂性，很可能存在新产品研发过程中某些关键技术未能突破或者产品性能、参数、良率等无法满足市场需
要而研发失败，但仍需支出较高流片成本的风险，以及研发周期长的风险。
（二）对策
一方面，通过振华科技的增资提高设计基础条件保障能力。另一方面，强化技术基础管理，针对已研制成功的产品，建立模块化的数据库(代码库、软件库)，通过套用数据库并开展适度的延伸研发，以缩短研发周期，有效降低流片成本(提高一次流片成功率)，保障新产品的顺利研制。
四、运营管理风险
（一）风险描述
芯片研发与生产的过程中，可能存在以下管理风险：一是因管理体系不健全，使得职能界面不清晰、责权利不清晰、流程不规范，从而导致在工作上互相推诿、没有担当，在实际工作中率性而为。二是因工作目标不量化、围绕目标考核的奖惩措施不到位，导致执行力不够，研发团队的创新活力难以激发。
（二）对策
一方面，振华科技可派出管理人才，在财务、技术、管理、市场销售等方面进一步强化对奥罗拉的指导，使奥罗拉快速成长。针对管理风险，将以职能界面清晰、责权利明晰、有利于激发创新活力为核
心，建立完善的管理体系，并以精细化管理为目标，不断提升管理水平。
第九章 项目结论
通过分析，本项目符合振华科技实现转型升级的战略需要，振华科技增资后，奥罗拉通过资金资源的注入，有望成为国内领先拥有独立自主知识产权的MOSFET 芯片设计公司，从而提升振华科技在研制和生产JY高端半导体功率器件领域的地位，可有效保障重点国防工程的自主可控。
综合来看，本项目投资是必要的，也是可行的。
表B1 总投资估算表
单位:
万元
序号 工程或费用名称
估算价值 占投资比例建筑工程费 设备购置费 安装费 其他费用 合计 (%)一 工程费用 65 500 565 23.26
（一）
工艺设备 500 5001 测试系统 300 300
1.1 功率半导体动态测试系统E3430 180 180
1.2 热阻测试系统Phase12 120 120
2 运输设备 50 503 ERP系统 150 150
（二）
建安工程费 65 651 办公装修 65 65二 工程建设其他费用 1816 1816 74.761 建设单位管理费 60 602 前期工作费 15 153 工程招标代理服务费 1 14 研发费 1740 1740三 预备费 48 48 1.98四 建设投资合计 65 500 1864 2429 100.00五 建设期利息 39 39六 铺底流动资金 491 491七 总投资合计 65 500 2394 2959
表B2 流动资金估算表
单位：万元序号 项
目
最低周
周 转
计 算 期转天数
次 数
1 2 3 4 5 6 7 8 9 101 流动资产 89 305 564 930 1797 1867 1986 2073 2165 2265
1.1 应收账款 30 12 33 105 194 312 594 618 659 690 724 761
1.2 存货 31 163 308 570 1148 1186 1256 1301 1348 1396
1.2.1 原材料 30 12 1 58 116 250 522 537 566 584 602 620
1.2.2 燃料 25 14 1 1 1 1 2 3 3 3 4 4
1.2.3 在产品 18 20 12 53 96 165 330 341 361 374 387 400
1.2.4 产成品 15 24 17 52 95 154 294 306 326 340 355 371
1.3 现金 25 14 25 37 62 48 55 62 71 81 94 1092 流动负债 3 59 118 252 526 542 572 591 610 628
2.1 应付账款 30 12 3 59 118 252 526 542 572 591 610 628
3 流动资金(1-2) 87 246 447 678 1271 1325 1414 1482 1556 16364 流动资金本年增加额
87 159 201 232 593 54 88 68 74 805 流动资金借款 187 780 834 923 991 1065 11456 流动资金利息 8 34 36 40 43 46 50
表B3 项目总投资使用计划与资金筹措表
单位：万元
序号 项
目
合
计
计 算 期1 2 3 4 5 6 7 8 9 101 项目投入总资金 4104 364 1616 935 232 593 54 88 68 74 80
1.1 建设投资 2429 277 1447 705
1.2 建设期利息 39 10 29
1.3 流动资金 1636 87 159 201 232 593 54 88 68 74 80
1.4 原有资产投资
2 资金筹措 4104 364 1616 935 232 593 54 88 68 74 80
2.1 项目资本金 2159 364 1216 535 44
2.1.1 用于建设投资 1629 277 1047 305
2.1.2 用于铺底流动资金 491 87 159 201 44
2.1.3 用于建设期利息 39 10 29
2.2 债务资金 1945 400 400 187 593 54 88 68 74 80
2.2.1 用于建设投资 800 400 400
2.2.2 用于建设期利息
2.2.3 用于流动资金 1145 187 593 54 88 68 74 80
2.3 原有资产投资
表B4 总成本费用估算表
单位：万元
序号
项 目 合 计
计 算 期1 2 3 4 5 6 7 8 9 101 生产成本 52422 260 1255 2192 3569 6879 7096 7403 7661 7922 8187
1.1 代工成本 46276 15 699 1397 2995 6260 6440 6795 7010 7225 7440
1.2 直接燃料及动力费
525 15 15 15 30 50 60 70 80 90 100
1.3 直接工资及福利费
2738 70 100 225 247 272 299 329 362 398 438
1.4 制造费用 2883 160 441 555 297 297 297 209 209 209 209
1.4.1
修理费 198 3 3 24 24 24 24 24 24 24 24
1.4.2
折旧费 2049 13 204 273 273 273 273 185 185 185 185
1.4.3
其他制造费 636 144 234 2582 管理费用 5063 150 190 365 400 456 522 598 686 789 909
2.1 研发费用 2148 30 60 180 198 218 240 264 290 319 351
2.2 其它管理费 2915 120 130 185 202 238 282 334 396 470 5583 财务费用 312 47 50 36 40 43 46 50
3.1 利息支出 312 47 50 36 40 43 46 50
3.1.1
长期借款利息 55 39 16
3.1.2
流动资金借款利息
257 8 34 36 40 43 46 504 营业费用 843 15 45 52 62 76 95 122 161 216
总成本费用合计58640 410 1460 2602 4067 7446 7729 8135 8512 8917 9361
其中：固定成本 10415 280 587 956 934 1025 1110 1141 1281 1448 1653
可变成本 48225 130 873 1646 3133 6421 6619 6994 7231 7469 7708
6 经营成本 56279 397 1256 2329 3747 7124 7420 7910 8284 8686 9126
表B5 利润与利润分配表单位：万元序号
项 目 合 计
计 算 期1 2 3 4 5 6 7 8 9 101 营业收入 81993 233 1304 2256 4265 8685 10010 11710 13110 14510 159102 税金及附加 512 7 37 55 76 94 113 1303 总成本费用 58640 410 1460 2602 4067 7446 7729 8135 8512 8917 93614 补贴收入 280 100 20 20 20 20 20 20 20 20 205 利润总额（1-2-3+4） 23121 -77 -136 -326 211 1222 2246 3519 4524 5500 64396 弥补以前年度亏损 538 211 3287 应纳税所得额（5-6） 22582 -77 -136 -326 894 2246 3519 4524 5500 64398 所得税 3468 134 337 528 679 825 9669 净利润（5-8） 19653 -77 -136 -326 211 1088 1909 2991 3846 4675 5473
期初未分配利润 -77 -212 -538 -328 646 2268 4810 8079 12053
可供分配利润（9+10） -77 -212 -538 -328 760 2555 5259 8656 12754 17526
提取法定盈余公积金 1965 76 191 299 385 467 547
可供投资者分配的利润（11-12）
-77 -212 -538 -328 684 2364 4960 8272 12287 16978
提取任意盈余公积金 983 38 95 150 192 234 274
未分配利润（13-14） -77 -212 -538 -328 646 2268 4810 8079 12053 16705
其中：振华科技（持有奥罗拉
20.08%的股权比例）
-15 -43 -108 -66 130 455 966 1622 2420 3354
息税前利润（利润总额+利息支出）
23433 -77 -136 -326 258 1271 2282 3559 4567 5546 6489
息税折旧摊销前利润（息税前利润
+折旧+摊销）
25482 -64 69 -53 531 1544 2555 3744 4752 5731 6674
表B6 项目投资现金流量表
单位：万元序号
项 目 合 计
计 算 期1 2 3 4 5 6 7 8 9 101 现金流入 84328
335 1343 2322 4383 8705 10030 11730 13130 14530 17820
1.1 营业收入 81993
233 1304 2256 4265 8685 10010 11710 13110 14510 15910
1.2 抵扣税额 166 2 19 46 98
1.3 补贴收入 280 100 20 20 20 20 20 20 20 20 20
1.4 回收固定资产余值 253 253
1.5 回收流动资金 1636 1636
2 现金流出 60857
761 2862 3235 3986 7753 7530 8075 8446 8873 9337
2.1 建设投资 2429 277 1447 705
2.2 流动资金 1636 87 159 201 232 593 54 88 68 74 80
2.3 原有资产投资
2.4 经营成本 56279
397 1256 2329 3747 7124 7420 7910 8284 8686 9126
2.5 税金及附加 512 7 37 55 76 94 113 130
2.6 维持运营投资3 所得税前净现金流量（1-2） 23472
-425 -1518 -913 397 952 2500 3655 4684 5657 84834 累计所得税前净现金流量 -425 -1944 -2856 -2459 -1508 993 4648 9332 14989 234725 调整所得税 3596 39 191 342 534 685 832 9736 所得税后净现金流量（3-5） 19876
-425 -1518 -913 358 761 2158 3121 3999 4825 75097 累计所得税后净现金流量 -425 -1944 -2856 -2498 -1737 421 3542 7541 12367 19876
表B7项目资本金现金流量表单位：万元序号
项 目 合计
计 算 期1 2 3 4 5 6 7 8 9 101 现金流入 84328
335 1343
2322
4383
8705
10030
11730
13130
14530
17820
1.1 营业收入 81993
233 1304 2256 4265 8685 10010 11710 13110 14510 15910
1.2 抵扣税额 166 2 19 46 98
1.3 补贴收入 280 100 20 20 20 20 20 20 20 20 20
1.4 回收固定资产及无形资产余值 253 253
1.5 回收流动资金 1636
16362 现金流出 64675
761 2472 2864 4329 7661 7848 8554 9099 9670 11418
2.1 项目资本金 2159
364 1216 535 44
2.2 借款本金偿还 1945
484 316 1145
2.3 借款利息支付 312 47 50 36 40 43 46 50
2.4 经营成本 56279
397 1256 2329 3747 7124 7420 7910 8284 8686 9126
2.5 营业税金及附加 512 7 37 55 76 94 113 130
2.6 所得税 3468
134 337 528 679 825 966
2.7 维持运营投资
3 净现金流量（1-2） 19653
-425
-1128
-542
54 1044
2182
3176
4031
4860
6402
表B8 振华科技现金流量表
单位：万元序号项目合计
计算期现金流入实分利润资产处置收益分配租赁费收入技术转让或适用收入其他现金流入现金流出实缴资本租赁资产支出其他现金流出净现金流量（）
计算指标：
资金财务内部收益率
1234567891013405 -15 -27 -65 42 196 326 510 656 798 985
1.13354 -15-27-6542196326510656798934
1.251 51
1.3
1.4
1.5
21800 3641216220
2.11800 3641216220
2.2
2.3
31-21605 -379 -1243 -285 42 196 326 510 656 798 985
10.38%
表B9 借款还本付息计划表
单位：万元
序号项目合计
计算期
期初借款余额本期新增借款当期还本付息其中：还本
期末借款余额
12345678910
1.1400 800 316
1.2800 400400
1.3894 10 29 523 332
800 48431639 10 2955 39 16
1.4400 800 31624841247
2.1
211974
2.2
273273
5.46 25.68
1.00 3.85
借款
建设期付息生产期付息
还款资金来源未分配利润折旧及摊销费计算指标
利息备付率偿债备付率
表B10 财务计划现金流量表
单位：万元
12345678910122179-6288-7629141022183216407449065708
1.19286635114662539484098341133213253148351641717999
1.1.18199323313042256426586851001011710131101451015910
1.1.21059115142263555112913021523170518872069
1.1.3280100202020202020202020
1.1.422
1.2706874121379254642118424911410037107611151112291
1.2.156279397125623293747712474207910828486869126
1.2.2615815123217393820845892922951980
1.2.3512737557694113130
1.2.44269643094576317839361089
1.2.53468134337528679825966
1.2.6
2-4104-364-1616-935-232-593-54-88-68-74-80
2.1
2.2410436416169352325935488687480
2.2.124292771447705
2.2.2
2.2
序号项目合计
计算期经营活动净现金流量
税金及附加增值税投资活动净现金流量
原有资产投入筹资活动净现金流量
应付利润（股利分配）净现金流量
.31636871592012325935488687480
2.2.4391029318473641616935-29922718482528-1115
3.1410436416169352325935488687480
3.1.12159364121653544
3.1.2800400400
3.1.311451875935488687480
3.1.4
3.1.5
3.1.6
3.22257531366364043461195
3.2.131247503640434650
3.2.219454843161145
3.2.3
3.2.4
419922-6288-7981044218231764031486045125-622619117116133436519105501541019922
现金流入营业收入增值税销项税额补贴收入其他流入现金流出经营成本增值税进项税额所得税其他流出现金流入现金流出建设投资流动资金其他流出现金流入项目资本金投入建设投资借款流动资金借款债券短期借款其他流入现金流出各种利息支出偿还债务本金其他流出累计盈余资金
表B11 资产负债表
单位：万元
123456789101290182724942587422562049313132461801322440
1.1414366821048295852108505126231757522187
1.1.1-366481166121634066590106311550320031
1.1.233105194312594618659690724761
1.1.3
1.1.431163308570114811861256130113481396
1.1.51410598
1.2
1.3
1.42481391181215391266993808623438253
1.5
2290182724942587422562049313132461801322440
2.1345991875613061376149515821674628
2.1.1359118252526542572591610628
2.1.1.1
2.1.1.2359118252526542572591610628
2.1.1.3
2.1.1.4
2.1.2400800316
2.1.31877808349239911065
2.2287136815761831291948277818116641633921812
2.2.1364158021152159215921592159215921592159
2.2
序
项目
计算期号
资产流动资产总额
其他在建工程原有资产投入固定资产净值无形及其他资产净值负债及所有者权益负债小计流动负债总额短期借款应付账款预收账款其他
累计盈余公积金累计未分配利润资产负债率.2114400849142621272948
2.2.3-77-212-538-3286462268481080791205316705
(%)0.8725.1536.8029.2230.9122.1816.0511.949.302.80
货币资金应收账款预付账款存货
建设投资借款流动资金借款所有者权益资本金
表B12 营业收入、营业税金及附加和增值税估算表
单位：万元
12345678910
81993233 1304 2256 4265 8685 10010 11710 13110 14510 15910
1.117600100 200 800 1500 2000 2500 3000 3500 4000
1000 2000 8000 15000 20000 25000 30000 35000 40000/1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
228813 26 104 195 260 325 390 455 520
1.22849617.00 693 1386 2640 3960 3960 3960 3960 3960 3960
50.00 2100 4200 8000 12000 12000 12000 12000 12000 12000
/3300 3300 3300 3300 3300 3300 3300 3300 3300 3300
37052.21 90 180 343 515 515 515 515 515 515
1.345263 8 15 75 225 300 750 900 1050 1200
0.20 0.50 1 5 15 20 50 60 70 80
/15 15 15 15 15 15 15 15 15 15
5890.39 1 2 10 29 39 98 117 137 156
1.430338113 225 750 3000 3750 4500 5250 6000 6750
45 90 300 1200 1500 1800 2100 2400 2700/2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5
394615 29 98 390 488 585 683 780 878
1.51033213 390 430
560160 200 200190100 9028353 90 1406212.78 23.40 25.8025127 37 55 76 94 113 130
2.12994 22 32 44 55 66 76
2.21272 9 14 19 23 28 32
2.3861 6 9 13
序
项目合计
计算期号营业收入抗辐射MOS芯片数量(颗）单价（元颗）销项税额SGT
MOS晶圆数量(片）单价（元片）销项税额固态继电器专用MOS数量(万颗）单价（元颗）销项税额其他产品数量(颗）单价（元颗）销项税额技术服务收入抗辐射MOS芯片SGT
MOS固态继电器专用MOS销项税额税金与附加教育费附加税地方教育费附加税抵扣税额
16 19 223426964 309 457 631 783 936 1089
3.11059115 142 263 555 1129 1302 1523 1705 1887 2069
3.2615613 123 217 393 820 845 892 922 951 980
3.31662194698
城市维护建设税增值税销项税额进项税额
表B13 固定资产折旧费估算表
单位：万元
序号项目合计
计算期原值当期折旧费原值当期折旧费原值当期折旧费生产设备及工艺管道原值当期折旧费其他固定资产原值当期折旧费原值当期折旧费原值当期折旧费小计当期折旧费
345678910
2333333333
111111111
11111111
8888888888
11232323232323232323
898989898989898989
686868686868686842302
132042732732732731851851851852481391181215391266993808623438253
房屋、建筑物
净值